UNYQ是一家很有趣的3D打印公司，他们的主要业务是为残疾人的假肢提供3D打印的精美外壳或其他配饰。天工社早先曾经报道过这家公司。UNYQ是在2014年刚刚成立的，如今已经在西班牙塞维利亚和美国旧金山设立了精品工作室。
该公司目前提供30款限量版假肢外壳，当然，所有的都是3D打印的。UNYQ称设计师和工匠们会在这些款式的基础上，与客户一起创造独一无二、只适合其本人规格指标和个人风格的产品。
如今UNYQ公司宣称，他们已经与数字化设计和制造专家3D Systems公司签订了多层次合作协议，后
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3D Systems 3D打印
英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
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英特尔 NAND
英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限
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英特尔 镁光 3D NAND
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出符合JEDEC(电子元件工业联合会) e∙MMC™ 版 5.1[1]标准、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND闪存产品。新产品集成了采用15nm工艺技术制造的NAND芯片，广泛适用于各类数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB和64GB产品样品即日起出货，32G
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东芝 NAND
虽然东芝的宣传口号是“智社会 人为本，以科技应人之求”，但2015慕尼黑上海电子展上，仔细观看东芝强大产品阵容之后，我倒更愿意用“半导体技术温暖你的心”来形容它。因为东芝的很多设计确实很贴心，真的可以让生活更加方便快捷。
东芝电子亚洲有限公司副董事长野村尚司说，中国市场大体上有两种产品需求，一是以量价为中心的产品，另一种是以提高附加值为中心的产品。东芝有非常宽广的产品线来满足以上两种市场的需求。
东芝展位
存储产品解决方案
东
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东芝 LED NAND
全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司近日宣布成功开发出48层第二代3D NAND闪存(亦称为BiCS2)。 计划于2015年下半年在位于日本四日市的合资工厂内投入试生产，于2016年进行规模化商业生产。
闪迪存储技术部执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“我们非常高兴能够发布第二代3D NAND，它是一种48层架构，与我们的合作伙伴Toshiba共同研发。 我们以第一代3D NAND技术为基础，完成了商业化的第二代3D NAND的开发;我们相信，它将为我们的客户提供让人赞
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闪迪 NAND
三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)产品，但三星的领先优势恐维持不了多久，因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!
日本媒体产经新闻25日报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆叠32层，但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆叠48层，且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂
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东芝 3D Flash
TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示，随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动，加上 NAND Flash 业者陆续推出完整的TLC储存解决方案，预估今年TLC产出比重将持续攀升，将在第四季接近整体 NAND Flash 产出的一半。
DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，由于成本较具优势，过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星(Samsung)从2013年起积极将
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TLC NAND
三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破，加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进，使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高，因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。
三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。
在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND
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三星 TLC NAND
由EMC公司发布的一份图表显示，传统SAN驱动器阵列销售衰退的趋势已然出现，与此同时超融合型、软件定义以及全闪存阵列存储业务则及时赶上，填补了这部分市场空间。
William Blair公司分析师Jason Ader在本月十号出席了EMC战略论坛大会，并以邮件的形式向客户发布了此次会议的内容总结。
EMC公司的管理层引用了一部分IDC研究公司的调查数据，其中显示从2014年到2018年外部存储系统市场的复合年均营收(目前为260亿美元)将实现3%增幅。在此期间，“传统独立混合系
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EMC NAND
中国大陆智能型手机的高成长，使得内存等零组件的消耗激增。这也使得南韩的内存供应商不管是从零组件竞争还是手机整机的竞争上都倍感压力。
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DRAM NAND Flash
为提升NAND Flash性能而将Cell垂直堆叠的3D堆叠技术竞争逐渐升温。目前三星电子(Samsung Electronics)已具备生产系统独大市场，SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等半导体大厂也正加速展开相关技术研发和生产作业。
据ET News报导，NAND Flash的2D平面微细制程，因Cell间易发生讯号干扰现象等问题，已进入瓶颈。主要半导体大厂转而致力确保将Cell垂直堆叠的3D技术。半导体业界的技术竞争焦点从制程微细化，转变为垂直堆
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NAND 三星
近日，美光科技在上海举行以“存储及其发展如何帮助实现未来互联世界”为主题的“美光开放日”活动。美光科技高层与业内专家、学者和媒体共同分享公司在该领域的见解和创新解决方案，探讨和展望未来行业发展趋势。
美光科技作为仅有的两家能够提供提供全存储类型解决方案的厂商，占据整个存储器22%以上的市场份额，稳居第二位。如今美光科技面向网络建设、机器对机器、移动设备、云和大数据五大应用领域，提供全球最广泛的存储产品组合，包括：DRAM芯片和存储条、固态硬盘、NA
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美光 存储器 NAND 201503
希捷科技(Seagate Technology)与美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布签署策略性协议，设立一结合两家公司创新与专业技术之架构。在此协议的架构基础上，双方客户能够同时受益于领先业界的储存解决方案，进而更快速且有效率地实现创新。
尽管在合作初期，美光与希捷将着重于下个世代的 SAS 固态硬碟(SSD)与策略性 NAND 型快闪记忆体的供货，但是双方皆预期这项长达数年的结盟协议在未来将有机会发展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快闪记忆体的企业级储存解决
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美光 希捷 NAND
2015年2月9日，3D Systems公司发布公告称，正式完成对CAD/CAM软件厂商Cimatron的全部收购活动，收购款项约9700万美元也已经支付。这项并购交易早在去年11月份就已经敲定。
3D Systems公司称，对Cimatron公司制造和数字化工作流程软件的整合将加强该公司以3D打印为中心的先进制造业务。这家总部位于美国南卡罗来纳州Rock Hill的公司表示，此项交易对双方的技术和客户都能形成有效的互补，并会扩大3D Systems在全球范围内的销售。
该协议的最后细节意
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