全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，2014年第二季全球DRAM产值达108亿美元，较上季成长9%。由于产品比重调配得宜，三大DRAM厂获利能力皆进一步上升，其中仍以三星(Samsung)表现最佳，营业获利达39%，SK海力士(Hynix)以38%紧追在后，而美光集团(Micron)中则以华亚科营业获利达54.6%最为亮眼。
韩系厂商三星与SK海力士品牌记忆体市占率各为39%与27%，合计逼近七成全球市场占有率，影响力不容小觑，而美系厂商亦手
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DRAM 20nm
原先DRAM在半导体产品中最是动荡不定，令人难以捉摸。可通过近年的整合，世界DRAM市场企稳：所存DRAM厂商已为数不多，如今三星、SK Hynix和Micron已成三巨头鼎立之势，且对DRAM都已不再有几十亿美元的大规模建设投资;产品应用从PC独大扩展到了智能手机、平板电脑、网络设备、车用电子等方方面面，增加了需求，(特别是移动DRAM)提高了价格;DRAM平均单价呈上升态势。据市调公司IC Insights最近报告，2013年的DRAM平均单价几乎月月上揚，2014年2月的售价为3.19美元，创2
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DRAM 半导体 201408
行动装置热销，激励今年1至5月半导体产值喷发达6,003亿元，创历年同期新高。展望未来，经济部统计处副处长杨贵显表示，第3季为传统旺季，应能延续畅旺，第4季则视品牌大厂新品推陈出新时间表。
经济部统计处昨(5)日公布今年1至5月半导体产业统计数据，集成电路与半导体封测为我国半导体产业两大主轴，合计两者产值占整体逾九成，两者今年1至5月产值皆创历史同期新高，推升半导体产值续创新高。
杨贵显说，去年半导体产值增速已达二位数成长，今年1至5月成长动能延续，上升至14.2%，凸显半导体荣景
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半导体 DRAM
经济部统计处5日公布上半年集成电路(简称IC)出口分布状况，结果一喜一忧。出口至东南亚的金额，出现跳跃性成长;但出口至大陆及香港的金额仍占整体逾半，即将面临大陆与韩国严酷的挑战。
按出口地区看，今年上半年台湾集成电路出口到日本、韩国的金额，双双出现衰退，但出口至马来西亚、菲律宾金额分别大幅成长39.4%、26.4%。
经济部官员表示，近来台湾半导体产业推动高阶化成效显著，国际竞争力越来越强，以DRAM为例，过去可能要回销日韩做进一步加工，才能出口至东南亚，现可直接出口东南亚国。
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集成电路 DRAM
以智慧型手机为首的行动装置全球热卖，带动今年前5月半导体产值创下史上新高，达6003亿元、年增14.2%。其中，低迷多年的DRAM出头天，价量齐扬，以产值615亿元也创下历史新高，一口气较去年同期成长56.9%。
半导体是台湾重要的外销产业之一，今年上半年南韩及日本的出口衰退最多，对马来西亚及菲律宾的出口成长最快速。
经济部今天公布上述台湾半导体产值的统计结果。更进一步看，其中以积体电路业产值3916亿元占65%为最大宗，半导体封装及测试业产值1647亿元占27%居次，2者合占逾9
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半导体 DRAM
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，2014年第三季行动式记忆体价格与前季相较相对持稳，所有产品线的跌幅皆落在5%以内，其中大部分的智慧型手机厂甚至在第三季的采购价格与前季完全相同，在行动式记忆体连续跌价超过两年的前例看来，今年受旺季需求支撑所呈现的价格持平走势相当难得，DRAM厂在该领域的获利持续向上攀升。
DRAMeXChange研究协理吴雅婷表示，智慧型手机仍是第二季最大的需求来源，其中由于正值中国地区电信系统由3G转4GTD-LTE，
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移动存储器体 DRAM
最近一款“全球首款全息手机”上市，那么究竟什么是全息功能、在手机上又是如何实现的?
首先，让我们先来了解一下传统意义上的“全息”概念。通常来说，“全息显示”泛指全息投影技术，由英国匈牙利裔物理学家丹尼斯·盖伯在1947年发明，并在1971年获得诺贝尔物理学奖。一开始，全息投影仅应用在电子显微技术中，直至1960年激光技术被发明出来之后才取得了实质性进展。
在这里，我们不讨论全息投影复杂的技术原理，
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全息影像 3D
记者昨日从省经信委举行的新闻发布会上获悉，我拾芯片”产业有了新规划，预计到2020年，20%的显示面板、家电、汽车电子产品将有“本土芯”。
变频空调运行、液晶显示、汽车行驶……这些产品的运行都离不开它们的“心”—集成电路。为了进一步扶持集成电路产业，《安徽省人民政府办公厅关于加快集成电路产业发展的意见》近日发布，从多方面明确了我省集成电路产业的发展目标：到2017年产业总产值突破300亿元，2
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芯片 3D
在如今这工程师漫山遍野的年代，工程师已经变得随处可见、遍地都是，但我相信每个工程师心目中都有属于自己的“王牌”器件。如电脑的记忆芯片 - 存储器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可读写类、只可读类等等。同时存储器在我们日常生活中也随处可见，每人必备的U盘、硬盘、光盘等等，所以作为工程师的我们必须关注下这十款经典的存储器。下面就为大家带来工程师们心目中那永远的十款“王牌”存储器。
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一款非常
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存储器 SRAM DRAM
全球市场研究机构TrendForce旗下内存研究部门DRAMeXchange最新发表的模块营收调查显示，2013年全球模块市场总销售金额约为73亿美元，相较于2012年55亿美元，大幅提升32%，主要受益于标准型内存价格的上涨、现货市场转趋热络及合约市场的比重提升。2013年模块厂前十名几乎囊括全球模块市场中88%的营业额，其中金士顿稳坐模块厂龙头，年营收增长约32%;威刚与记忆科技则分居二、三名，营收也大幅增长116%及37%。由于模块厂营业项目转趋多元，本次排名仅针对各家模块厂的DRAM营收做统计
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DRAM 内存模块
近来DRAM价格晶片大宗订单的价格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供应给日益成长的智慧手机市场，令人担心个人电脑(PC)未来的供应。预料在8月之前苹果最新iPhone晶片采购达到高峰前，DRAM晶片价格都不会下滑。
在6月下半个月期间，DRAM产业指标产品2GBDDR3的大宗订单价格约莫每单位2.03美元，而4G的继格约每单位33美元。虽然这些价格与6月上半个月差不多，但与去年同期相比劲增20%。目前2GBDDR3现货价约为每单位2.2美元。
市场需求上升不只来自苹果，随着中国
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DRAM 智能手机
应用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系统。作为业内领先的中电流离子注入设备，该系统专为2x纳米以下节点的FinFET和3D NAND制程而开发，具有超凡的控制能力，可以帮助高性能、高密度的复杂3D器件实现器件性能优化，降低可变性，提高良率，是应用材料公司在精密材料工程领域的又一重大突破。
VIISta 900 3D系统能有效提高离子束角度精度和束线形状准确度，并且还能够出色的控制离子剂量和均匀性，从而帮助客户实现制程的可重复性，优化器件性
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VIISta 900 3D 2x纳米 FinFET
DRAM拉货潮启动，加上芯片厂制程推进受阻，主流DDR3 4Gb颗粒现货报价攀上4.35美元，创近一年半新高价，本季涨幅近二成，有机会向历史新高4.6美元迈进，华亚科、南科将成为大赢家。
DRAM市调机构集邦科技表示，本季DRAM现货价与合约价价差已达20%，预估第3季合约价看涨5%至10%。IC通路商透露，三星已率先鸣枪，通知旗下通路商及委托制造厂(OEM)厂，7月起涨幅10%，揭开DRAM另一波涨势。
集邦预期，下半年DRAM因各大芯片厂并无考虑增产，加上制程推进和良率提升进度缓慢，将
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DRAM 存储器
1 引言
FIFO(First In First Out)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取，而这种先进先出的结构特点很好地适应了这些要求，是传统RAM无法达到的。
许多系统都需要大容量FIFO作为缓存，但是由于成本和容量限制，常采用多个FIFO芯片级联扩展，这往往导致系统结构复杂，成本高。本文分别针对Hynix公司的两款SRAM和DRAM器件，介绍了使用CPLD进行接口连接和编程控制，来
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FIFO SRAM DRAM CPLD
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