- 根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD)，较首季的93亿美元(9.29 Billion USD)，成长约15%。在 NAND Flash 部分，品牌厂商第二季整体营收为47亿7,600万美元，较首季43亿6,300万美元成长约9.5%。
三星第二季营收仍居全球DRAM厂之冠
从市场面观察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手机，SSD 硬盘等的NAND闪存容量则将大有增长。
Hynix Cheong-ju M11工厂
Hynix公司称首款基于2xnm制程的NAND闪存芯片产品将于今年年底上市销售。Hynix公司虽然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 摘要：U-Boot不能从NAND Flash启动给应用带来些不便，因此修改U-Boot使其支持从NAND Flash启动。分析了U-Boot启动流程的两个阶段及实现从NAND Flash启动的原理和思路，并根据NAND Flash的物理结构和存储特点，增加U-
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实现 启动 Flash NAND U-Boot
- 由国际半导体设备材料产业协会(SEMI)主办的台湾国际半导体展(SEMICON Taiwan 2010)，即将于9月8~10日登场，3D IC再度成为年度关注话题。SEMI将针对3D IC等先进封测技术推出3D IC及先进封测专区，并将于3D IC前瞻科技论坛中由日月光、矽品、联电、诺基亚(Nokia)、高通(Qualcomm)、应用材料(Applied Materials)、惠瑞捷(Verigy)等业界代表，以及Yole Developpment、IME、SEMATECH、工研院等研究分析机构，共同
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Qualcomm 3D 封测
- 日本半导体厂2010年度第1季(4~6月)财报表现明暗两极。东芝(Toshiba)、尔必达(Elpida)拜内存事业表现亮眼之赐，获利从谷底攀升;瑞萨电子(RenesasElectronics)则因系统芯片事业拖累，该季仍难挥别亏损阴霾。
东芝半导体事业的营业利益皆为NANDFlash所挹注。副社长村冈富美雄表示，受惠于苹果(Apple)iPhone等智能型手机需求带动，加上 NANDFlash均价跌幅趋缓，东芝半导体事业表现远超过预期。小幅亏损的系统芯片事业亦因NANDFlash的丰沛获利得以
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东芝 NAND
- VLSI提高IC预测，但是该公司看到虽然很多产品供不应求，但是有一种可能DRAM市场再次下跌。
同时由于经济大环境可能对于产业的影响，目前对于产业抱谨慎的乐观，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同样的看法。
VLSI在它的最新看法中发现各种数据是交叉的，按VLSI的最新预测，2010年IC市场可能增长30%，但是2011年仅增长3.7%。而2010年半导体设备增长96%。
而在之前的预测中认为2010年全球IC市场增长28.1%，其它预测尚未改变。
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芯片制造 NAND
- 无疑2009年对于闪存市场是可怕之年。
要感谢产业的很快复苏，预测2010年全球闪存市场已经很热，然而按Web-Feet Research报告，其供应链部分却遭受困境。
按Web-Feet刚公布的全球闪存的季度报告，NOR及NAND市场都很热。NOR市场由2009年的47亿美元，上升到2010年的57亿美元。而NAND市场与2009年相比增长33.4%，达215亿美元。
这是好的消息而坏消息在供应链中也开始传了出来。
Apple及其它OEM釆购大量的闪存，使得市场中有些购买者采
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闪存 NAND NOR
- iPhone、iPad等苹果i家族产品的热销，正引发连锁反应。
7月28日，闪存企业SanDisk全球高级副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir在上海接受本报记者专访时表示，苹果产品的热销消耗了整个闪存芯片市场不少库存，目前行业正处于供不应求的局面。
受此拉动，闪存芯片巨头们普遍迎来了一个靓丽的财季。
近期陆续出炉的最新一季财报显示，在iPhone以及iPad的拉动下，闪存芯片近期需求及价格大幅上升，英特尔、三星、美光、海力士、东芝、SanDisk等闪存芯片主要提供商在当季的销售
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NAND 闪存芯片 iPhone
- 据国外媒体报道，三星电子周五发布了该公司2010年第二季度财报。财报显示，受芯片业务大幅增长的推动，公司第二季度净利润同比增长83%。
在截至6月30日的第二季度，三星电子净利润为4.28万亿韩元(约合36亿美元)。这一业绩好于上年同期，2009年第二季度，三星电子的净利润为2.33万亿韩元。三星电子第二季度运营利润为5万亿韩元(约合41亿美元)，创公司季度运营利润历史新高，同比增长87.5%。三星电子第二季度营收为37.9万亿韩元，较去年同期增长17%。三星电子本月初发布的初步财报显示，公司第
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三星电子 NAND 闪存芯片
- 未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段，在4x，3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有)，是黄金时刻，然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多，如两次图形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金属栅等。由此，在未来的2011-2012年，甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间，它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议
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半导体制造 DRAM NAND
- 数字相框是一种无需打印便可显示数字照片的装置，当摄影从传统底片进入数字时代后，由于平均只有35%的数字照片被打印，无可避免地引发数字相框的发展，部分数字相框也提供内置储存器，可直接从相机记忆卡读取静态的数字照片或动态的数字影像。
随着3D风潮渗透数字相机、数字摄影机等电子产品后，3D数字相框也因应而生。业者表示，目前3D数字相框的成本与售价，至少要比2D同规格产品贵上1~1.5倍，由于消费者对数字相框的价格相当敏感，目前市面上低于新台币1,000元的数字相框比比皆是，甚至有下杀到700~800元
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数字相框 3D
- 三星电子(Samsung Electronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)中所储存的影片、照片、音乐等再生速度将更上一层楼。
三星近期已完成可支持400Mbps资料处理速度的Toggle DDR2.0规格NAND Flash开发作业，并计划于2011年投入量产。三星计划20奈米制程以下的NAND Flash产品将
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三星电子 NAND
- 三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划，旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率，具体来说，两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术，这比目前版本的NAND闪存接口技术快了十倍，这项技术将于英特尔、镁光和SanDisk共同开发的ONFI接口进行直接竞争，主要面向高性能产品例如SSD以及智能手机和消费电子产品。
三星和东芝公司目前供应NAND快闪记忆体市场70%的货源，因此它们在行业内具有相当大的话语权，这对他们的新规范计划将非常有利。
三星上个月
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三星 NAND 30nm
- 日厂尔必达(Elpida)将与飞索半导体(Spansion)扩大合作范围，双方除共同研发NAND Flash制程技术与产品外，尔必达将为飞索半导体代工生产NAND Flash。另外，尔必达亦在研拟双方合作研发NOR Flash，并为其代工的可能性。
据悉，尔必达已取得飞索的NAND IP技术的授权，该项技术乃是以其称为MirrorBit的独家技术为基础。此外，尔必达计划自2011年起透过旗下的广岛12寸厂，为飞索代工生产高阶NAND Flash，而双方亦将各自进行客户营销。
路透(Reut
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尔必达 NAND
- 三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准，被业界广泛接受使用。
最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND闪存的10倍。
高速闪存接口的优势不言而喻，未来将
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三星 NAND 东芝
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