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imec首度展示晶背供电逻辑IC布线方案 推动2D/3D IC升级

• 比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
• 关键字： imec  晶背供电  逻辑IC  布线  3D IC  

英飞凌推出全球首款符合ISO26262标准的高分辨率车用3D图像传感器

• 3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。         
• 关键字： 3D  图像传感器  

英飞凌携手湃安德为Magic Leap 2开发3D深度传感技术，赋能尖端工业和医疗应用

• 增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
• 关键字： 3D  s深度传感  

3D DRAM技术是DRAM的的未来吗？

• 5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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NVIDIA透过人工智能 将2D平面照片转变为3D立体场景

• 当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
• 关键字： 3D  CPU  GPU  NVIDIA  

适用于 TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块

• TMAG5170UEVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170 的主要特性和性能。此评估模块 (EVM) 包含图形用户界面 (GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。还包括一个 3D 打印旋转和推送模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。特性· GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果· 3D 打印旋转和推送模块· 可分离式 EVM 适用于定制用例· 方便通过常见的 micro-USB 连接器充电
• 关键字： 精密数模转换器  霍尔效应传感器  3D  

摩尔定律如何继续延续：3D堆叠技术或许是答案

• 按照摩尔定律进一步缩减晶体管特征尺寸的难度越来越大，半导体工艺下一步发展走到了十字路口。在逼近物理极限的情况下，新工艺研发的难度以及人力和资金的投入，也是呈指数级攀升，因此，业界开始向更多方向进行探索。
• 关键字： 摩尔定律  3D  堆叠技术  

双目立体赋能3D机器视觉，银牛携芯片模组登陆中国市场

• 1   几种3D深度感知技术比较3D深度感知主要有3个技术方向：双目立体，结构光，飞行时间（ToF），结构光起步比较早，但是技术的局限性较大，而双目立体的发展速度较快，势头迅猛。从物理原理上，双目立体和结构光二者都用了三角测距，但是双目立体是依靠自然的红外反射在摄像头上产生特征点，来计算对象物深度的数据。结构光需要有一个发射光的发射源，带编码的光到了对象物体再反射回来来计算这个深度。结构光的弱点是在室外时，结构光发射带编码的光经常受到环境的干扰；而双目立体不容易受到室外光的干扰，因此室
• 关键字： 3D  双目  深度  

一文读懂｜什么是dToF激光雷达技术？

• 在苹果大力推广了Face ID功能（3D面部识别技术，该技术于2017年首次在iPhone X上首次推出）之后，它作为一种引领智能手机创新的新形式而受到了广泛关注。3D图像传感器捕获图像的方式主要分为三种技术：立体视觉、结构光和飞行时间（ToF）。ToF进一步分为两种技术，包括测量相位差的 Indirect ToF（iToF）和测量时间差的Direct ToF（dToF）。两种
• 关键字： dToF  激光雷达  

AMD推动高效能运算产业发展 首款3D chiplet应用亮相

• AMD展示了最新的运算与绘图技术创新成果，以加速推动高效能运算产业体系的发展，涵盖游戏、PC以及数据中心。AMD总裁暨执行长苏姿丰博士发表AMD在高效能运算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技术；与业界领导厂商特斯拉和三星合作，扩大了AMD运算与绘图技术在汽车与手机市场的应用；新款AMD Ryzen处理器瞄准狂热级玩家与消费性PC；最新AMD第3代EPYC处理器所带来领先的数据中心效能；以及为游戏玩家提供的一系列全新AMD绘图技术。 AMD总裁暨执行长苏姿丰展示AMD全新3D chi
• 关键字： AMD  3D chiplet  Ryzen  

什么是3D XPoint？为什么它无人能敌却又前景堪忧？

• 3D Xpoint技术是美光与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术。据悉，3D Xpoint的延迟速度仅以纳秒计算，比NAND闪存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近处理器的位置存储更多的数据成为可能，可填补DRAM和NAND闪存之间的存储空白。
• 关键字： 3D XPoint  美光  英特尔  

ams携手ArcSoft 力推3D dToF走进安卓手机

•  作为传感器领域风头最劲的企业，ams（艾迈斯半导体）通过技术积累和持续的并购战略逐渐成为各类传感器领域的领导者，特别是经过收购欧司朗之后，进一步实现了公司业务规模的扩大和业务领域的平衡，使得ams在各个核心领域上都有非常好的市场地位。 经过对欧司朗的收购之后，ams聚焦在三大核心技术领域，主要包括传感、照明（光源）以及可视化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中华区销售和市场高级副总裁陈平路表示，随着5G时代带来的技术和产业的革新非常看好iToF、
• 关键字： ams  ArcSoft  3D dToF  安卓手机  

康耐视推出In-Sight 3D-L4000视觉系统

• 作为全球工业机器视觉领域的领导者之一，康耐视公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式视觉系统。这是一款采用3D激光位移技术的创新型智能相机，能帮助用户快速、准确且经济高效地解决自动化生产线上的一系列检测应用难题。“一直以来，3D检测系统对于大多数用户来说面临两个问题：产品操作复杂、使用成本昂贵，”康耐视3D事业部经理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000视觉系统很好的解决了这两个痛点，其提供了大量的3D视觉工具套件，使3D检测能够像行业先进的In-
• 关键字： In-Sight 3D-L4000视觉系统  嵌入式视觉系统  3D图像处理  无斑点蓝色激光光学元件  3D视觉工具  

TDK推出使用3D NAND闪存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存·    新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社（TSE:6762）将于2020年12月推出新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
• 关键字： TDK  3D NAND  闪存  SSD  

美光推出 176 层 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。

• 11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176 层存储单元堆叠。新的 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128 层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特
• 关键字： 美光  3D NAND