头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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3D 图像传感器
多年来，设计人员一直在工业和汽车系统中使用霍尔效应传感器进行接近检测、线性位移测量、旋转编码和许多其他应用。随着时间的推移，更高的系统性能要求促使集成电路供应商提高灵敏度精度、集成更多功能、提供不同的传感方向和更低的功耗，从而将霍尔效应传感器的使用范围扩大到未来几十年。本文将探讨有关霍尔效应传感器的常见误解，并在适当的时候将其与实际应用联系起来。1. 霍尔效应传感器仅提供简单的开关信息许多机电设计需要使用传感器检测物体，该传感器提供一个简单的逻辑信号来指示其存在或不存在。一个例子是笔记本电脑盖的关闭和打开
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霍尔效应传感器
增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度传感
在现代工业生产尤其是自动化生产过程中，传感器几乎必不可少。具体来讲，工业生产者需要使用各种传感器来监视、控制生产过程中的各个参数，使设备处于正常状态，如果出现故障也能被及时发现。一、光电传感器 光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类：外光电效应、内光电效应及光电效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。 光电
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霍尔效应传感器 工业传感器
霍尔效应传感器也称霍尔传感器，用来测量磁场。1.霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种。可以用来位移测量两块永久磁铁同极性相对放置，是以高精度、一致性和可靠性监控磁场。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。2.磁场传感器是可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的装置。各类磁传感器磁传感器是一种旨在测量磁场的大小和方向的传感器，根据目的不同有多种传感器,电磁场传感器是利用某些材料的磁电效应做成的对磁场敏感
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霍尔效应传感器
什么是磁传感器？磁性传感器磁传感器是能够检测和分析由磁铁或电流产生的磁场的设备。它们可用于不同类型的应用，例如感应磁场位置和角度的变化，感应磁场强度或方向的变化等。有多种类型的磁传感器，例如用于检测磁场强度变化的霍尔效应传感器（霍尔开关、线性霍尔传感器等），用于检测磁场方向变化的磁阻传感器、用于检测磁场角度变化的角度传感器、3D 霍尔传感器以及磁性速度传感器。霍尔效应传感器被广泛应用于接近传感器、位置和速度测量等领域。它们甚至用于计算机打印机、气缸、计算机键盘等。磁传感器通常是一种固态器件，由于其高精度和
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霍尔效应传感器
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
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TMAG5170UEVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170 的主要特性和性能。此评估模块 (EVM) 包含图形用户界面
(GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。还包括一个 3D 打印旋转和推送模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。特性· GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果· 3D 打印旋转和推送模块· 可分离式 EVM 适用于定制用例· 方便通过常见的 micro-USB 连接器充电
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按照摩尔定律进一步缩减晶体管特征尺寸的难度越来越大，半导体工艺下一步发展走到了十字路口。在逼近物理极限的情况下，新工艺研发的难度以及人力和资金的投入，也是呈指数级攀升，因此，业界开始向更多方向进行探索。
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摩尔定律 3D 堆叠技术
1 几种3D深度感知技术比较3D深度感知主要有3个技术方向：双目立体，结构光，飞行时间（ToF），结构光起步比较早，但是技术的局限性较大，而双目立体的发展速度较快，势头迅猛。从物理原理上，双目立体和结构光二者都用了三角测距，但是双目立体是依靠自然的红外反射在摄像头上产生特征点，来计算对象物深度的数据。结构光需要有一个发射光的发射源，带编码的光到了对象物体再反射回来来计算这个深度。结构光的弱点是在室外时，结构光发射带编码的光经常受到环境的干扰；而双目立体不容易受到室外光的干扰，因此室
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3D 双目 深度
自主移动机器人可自动执行非技术性任务，像是在仓库中运输材料。它们的车轮内装设位置感测与速度控制等高精确系统，以便在工厂或仓库里安全有效率地移动，可优化制造流程，提升产出量及生产力。随着工业 4.0 将先进制程推往全球市场，对高度自动系统的需求也大幅增加。这些系统可以整合制造流程运作并持续收集制程控制资料，应用范围包含机械手臂的磁性编码器、近接传感器、致动器、压力传送器、线性马达与自主移动机器人，其中多数需要利用先进位置感测解决方案来控制性能以及工厂级数据，以便让装置做出更适当的决策、操作起来也更安全可靠。
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霍尔效应传感器 位置控制
AMD展示了最新的运算与绘图技术创新成果，以加速推动高效能运算产业体系的发展，涵盖游戏、PC以及数据中心。AMD总裁暨执行长苏姿丰博士发表AMD在高效能运算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技术；与业界领导厂商特斯拉和三星合作，扩大了AMD运算与绘图技术在汽车与手机市场的应用；新款AMD Ryzen处理器瞄准狂热级玩家与消费性PC；最新AMD第3代EPYC处理器所带来领先的数据中心效能；以及为游戏玩家提供的一系列全新AMD绘图技术。 AMD总裁暨执行长苏姿丰展示AMD全新3D chi
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3d 霍尔效应传感器介绍
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