- 断路器在汽车系统中很有用，既需要过电流检测防止有故障的负载、也需要过电压保护避免敏感电路不受高能负载突 ...
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集电极 晶体管 负载
- 序言随着便携式手持设备(如手机、PDA等)的功能不断增加，加上对较小体积与更长电池寿命的要求，使得锂电池成为许多此类设备的首选供电能源。本文将讨论线性充电技术与相关的离散调节元件，并重点讨论主要离散参数与选择标准。
锂离子电池充电周期为模拟充电电路中的主要功率损耗，以便选择正确的元件，我们必须了解锂离子(Li-Ion)电池的充电周期。图1 显示了单个锂离子电池的典型充电周期。预充电压阈值(VPRE)、上端电池电极电压阈值(VT)、以及再充电阈值(VRECHG)，取决于锂离子电池的种类及不同的生产商。而
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- 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件，占板面积为2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持，有助于改善电路效率和降低工作温度。 Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：“我们最新的双极晶体管能够支持20V至1
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- 近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有独一无二的表现，它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求：平坦垂直，侧边轮廓不含任何硅材料凹陷，同时没有任何副产品残留物。 应用材料公司资深副总裁、硅系统业务
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- 飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等
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- 电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其业界领先的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
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- 恩智浦半导体(NXPSemiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上唯一能够在整个UHF波段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。电视广播发射行业不断提高输出功率以满足高清电视的需求，广播商凭借恩智浦的这一最新高效率解决方案能够显著提高输出功率，同时降低成本。 如今的高性能电视发射机投资巨大，所以广播商正
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- 车载GPS的出现，给驾车者提供了极大地方便。目前，随着中国开始进行以省、市为主体的ITS(智能道路交通系统)建设，车载导航系统也将发生一些新的变化，如车载导航系统是采用原装还是后装产品、如何把车载导航系统与车载音响进行融合？车载导航信息以什么样的方式显示？从IIC一些公司的展示产品我们可以发现一些趋势。
ST的导航系统可以收看数字电视节目车载导航和车载音响的融合 从瑞萨展出的车载信息系统设备来看，因为目前驾驶者倾向于语音指路的模式，所以，车载导航系统和车载音响会出现融合。另外，融合到这
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- 恩智浦半导体（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。
华硕公司研发处主任郑庆福表示：“卓越的节能性能是华硕科技（ASUSTek）非常关注的一项重要性能，也是我们获得世界首个笔记本电脑T
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- 英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45纳米晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核以及英特尔®至强®系列多核处理器中，将置入数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有五种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45纳米处理器产品的第一批。 在台式机、笔记本和服务器领域，晶体管技术的提升使得公司能够继续创造出处理器计算速度的全新纪录
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- 瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。 作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 RQG2003的功能总结如下： 业界最高的性能水
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- 这款无滤波器的高集成度 2.2W 放大器内置灵活的 I2C 兼容控制功能 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号：NSM) 宣布该公司最新推出的 Boomer? 音频子系统除了内置 2.2W 的立体声 D 类 (Class
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3D Boomer D 类音频子系统内置 立体声 美国国家半导体 音效增强及耳机检测等功能
- 瑞萨科技开发用于45纳米节点及以上工艺芯片的高性能、低成本晶体管技术 --可以经济地生产带有采用金属（P型）和多晶硅（N型）栅极混合结构的CMIS晶体管 而不必对现有的制造工艺进行重要改变— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，开发出一种可用于45nm（纳米）节点及以上工艺微处理器和SoC（系统级芯片）产品的高性能和低成本晶体管技术。新开发的技术包括采用P型晶体管金属栅极，以及N型晶体管传统多晶硅栅极的混合结构的高性能CMIS*1晶体管。它可以在不
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- 意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自主开发的第二代 MDmeshTM 技术，最大通态电阻 RDS&nb
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- 1 为何要开发3D封装 迄今为止，在IC芯片领域，SoC（系统级芯片）是最高级的芯片；在IC封装领域，SiP（系统级封装）是最高级的封装。 SiP涵盖SoC，SoC简化SiP。SiP有多种定义和解释，其中一说是多芯片堆叠的3D封装内系统集成（System-in-3D Package），在芯片的正方向上堆叠两片以上互连的裸芯片的封装，SIP是强调封装内包含了某种系统的功能。3D封装仅强调在芯片正方向上的多芯片堆叠，如今3D封装已从芯片堆叠发展占封装堆叠，扩大了3D封
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