今年12月16日是晶体管诞生60周年纪念日，但是摩尔定律的发现者，英特尔公司联合创始人戈登▪摩尔却在接受美联社采访时说，摩尔定律还只能延续十年，此后在技术上将会变得十分困难，在他看来，晶体管体积继续缩小的物理极限即将达到。美联社评论称，由此，曾经驱动了数字技术革命--甚至是现代经济--的半导体技术引擎将"刹车"停车。
"摩尔定律"可以简述为：每18个月，同一面积芯片上可以集成的晶体管数量将翻一番，而价格下降一半。问世40多年来，摩尔定律对推动整个半导体行业发展，驱动数字革命和加速信息
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嵌入式系统 单片机 晶体管 半导体 摩尔定律 IC 制造制程
据市场研究公司NanoMarkets最新发表的研究报告称，包装、显示屏、智能卡、传感器等行业对柔性大面积电子电路的需求将推动有机晶体管和存储芯片市场在2015年达到216亿美元。虽然有机存储芯片的增长低于有机薄膜晶体管的增长，但是，它将迅速赶上来。到2015年，将有价值161亿美元的电子产品中将包含有机存储芯片。这篇报告的要点包括：
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存储 芯片 晶体管 存储器
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SA1444
100V
1.5A
2W
*
80MHZ
PNP
2SA1494
200V
17A
200W
*
20MHZ
PNP
2SA1516
180V
12A
130W
*
25MHZ
PNP
2SA1668
200V
2A
25W
*
20MHZ
PNP
2SA1785
400V
1A
1W
*
140MHZ
PNP
关键字：
晶体管 型号 元件 制造
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
9011
50V
0.03A
0.4W
*
150MHZ
NPN
9012
50V
0.5A
0.6W
*
*
PNP
9013
50V
0.5A
0.6W
*
*
NPN
9014
50V
0.1A
0.4W
*
150MHZ
NPN
9015
50V
0.1A
0.4W
*
150MHZ
PNP
9018
30V
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晶体管 型号 元件 制造
自从1985年首款FPGA器件诞生以来，FPGA产业一方面修炼内功——从技术上来说，工艺从2μm发展到65nm，晶体管数量从8.5万个增长到10亿个以上;另一方面向外扩张——应用领域从最初的通信业不断向消费电子、汽车、工业控制等渗透，同时在不断“蚕食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式处理器的市场。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA产业的领导厂商也不再是20多年前的孤军奋战，在其周围，FPGA开发和应用的生态系统已然初步形成，大大促进了FPGA产业的发展。
“非传统”应用领域
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嵌入式系统 单片机 FPGA 晶体管 DSP MCU和嵌入式微处理器
Applied CEO Mike Splinter指出，在生态可持续发展方面，电子行业做的还太少，在半导体制造业必须开始朝一个目标努力。Splinter指出，半导体行业持续地关注电子产品的速度和性能，而不够重视能源使用效率。他说，未来的芯片架构必须关注功率优化。Splinter补充说，随着消费电子中半导体产品的使用，芯片在可持续发展上扮演着重要的角色。
在和印度半导体产业协会(India Semiconductor Association)的一位成员交谈时，Splinter说尤其在少数半导体制造
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消费电子 电子行业 晶体管 消费电子
日本汽车制造商本田把3维传感器技术用于提高汽车安全性。本田汽车宣布对Canesta公司的电子感知技术投资500万美元。本田在过去三年中一直对Canesta进行投资，近日表示它将采用该技术来开发避撞系统这样的汽车安全应用。 Canesta的图像传感器可以被隐藏在车身、汽车装饰品或汽车仪表盘中。“它提供一种成本比较低的芯片级3D摄像方案，可以一种安装来提供多种应用，”本田战略风险投资的领导人ToshinoriArita在一次发言中说。
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模拟技术 电源技术 本田 3D 传感器 传感器
断路器在汽车系统中很有用，既需要过电流检测防止有故障的负载、也需要过电压保护避免敏感电路不受高能负载突 ...
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集电极 晶体管 负载
序言随着便携式手持设备(如手机、PDA等)的功能不断增加，加上对较小体积与更长电池寿命的要求，使得锂电池成为许多此类设备的首选供电能源。本文将讨论线性充电技术与相关的离散调节元件，并重点讨论主要离散参数与选择标准。
锂离子电池充电周期为模拟充电电路中的主要功率损耗，以便选择正确的元件，我们必须了解锂离子(Li-Ion)电池的充电周期。图1 显示了单个锂离子电池的典型充电周期。预充电压阈值(VPRE)、上端电池电极电压阈值(VT)、以及再充电阈值(VRECHG)，取决于锂离子电池的种类及不同的生产商。而
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模拟技术 电源技术 0708_A 杂志_技术长廊 晶体管 锂离子 模拟IC 电源
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件，占板面积为2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持，有助于改善电路效率和降低工作温度。 Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：“我们最新的双极晶体管能够支持20V至1
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模拟技术 电源技术 Zetex 晶体管 电源功率 模拟IC 电源
近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生产的解决方案。应用材料公司的Carina技术具有独一无二的表现，它能达到毫不妥协的关键刻蚀参数要求：平坦垂直，侧边轮廓不含任何硅材料凹陷，同时没有任何副产品残留物。 应用材料公司资深副总裁、硅系统业务
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测试 测量 应用材料 晶体管 刻蚀 IC 制造制程
飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ISM）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50V，与双极和MOSFET 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(MRI)系统、CO2激光器、等
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嵌入式系统 单片机 飞思卡尔 LDMOS 晶体管 嵌入式
电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其业界领先的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
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模拟技术 电源技术 安森美 晶体管 模拟IC 电源
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上唯一能够在整个UHF波段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。电视广播发射行业不断提高输出功率以满足高清电视的需求，广播商凭借恩智浦的这一最新高效率解决方案能够显著提高输出功率，同时降低成本。 如今的高性能电视发射机投资巨大，所以广播商正
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电子 恩智浦 晶体管
车载GPS的出现，给驾车者提供了极大地方便。目前，随着中国开始进行以省、市为主体的ITS(智能道路交通系统)建设，车载导航系统也将发生一些新的变化，如车载导航系统是采用原装还是后装产品、如何把车载导航系统与车载音响进行融合？车载导航信息以什么样的方式显示？从IIC一些公司的展示产品我们可以发现一些趋势。
ST的导航系统可以收看数字电视节目车载导航和车载音响的融合 从瑞萨展出的车载信息系统设备来看，因为目前驾驶者倾向于语音指路的模式，所以，车载导航系统和车载音响会出现融合。另外，融合到这
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3D GPS 汽车电子 消费电子 汽车电子
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