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3d 晶体管 文章 最新资讯

飞思卡尔推出全球首款50V LDMOS功率晶体管

  •   飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用,包括空中交通管理和长射程气象雷达。    RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 - 1400 MHz之间时, MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率;与竞争性双极场效晶体管(FET)器件相比,它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。    先进的RF功率
  • 关键字: 飞思卡尔  晶体管  RF  LDMOS  

ST推出VIPer17开关式离线电源转换器

  •   2008年5月23日,意法半导体推出VIPer17开关式离线电源转换器。新产品集成一支800V抗雪崩MOSFET晶体管和多项有助于节省外部组件和提高待机能效的先进功能,新转换器内置可调设置点,恒流开关操作,能够配合所有的市电电压,最高可适用于12W的开关电源(SMPS)设计。   通过集成一个高压启动电流电源以及必要的保护功能,VIPer17不再需要外部感应元件和启动电阻器。保护功能包括精确可调的过压和超载保护、延时过热保护和两级过流保护。故障检测电路激活转换器的自动重启功能,以防浪涌对电源或负载造
  • 关键字: ST  意法半导体  电源  转换器  晶体管  SMPS  

飞利浦计划推出家庭型3D电视 无需佩戴眼镜

  •   5月21日消息,据澳大利亚媒体报道,飞利浦公司计划推出适合家庭用的3D电视,不同的是此次推出的产品无需佩戴收看3D电视需要的眼镜。   飞利浦公司本周二简要介绍了其产品计划,表示新产品仍在研制阶段,采取全息影像技术,将多个存在微小视角差异的影像整合形成具有不同深度的视频影像。目前的结果并不很乐观,有些区域影像模糊,有些部分则仅有两维图像,但有些时候表观效果令人吃惊。Bjorn Teuwsen在产品解说时谈到,“这部分市场的推进是由黑白到彩色,到高清,再到3D。估计用不了多久3D电视就会进
  • 关键字: 飞利浦  3D  电视  视频影像  

ST推出一系列新型的绝缘栅双极晶体管

  •   近日,意法半导体(ST)推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管(IGBT),新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH),用于工作频率超过20kHz的照明等镇流器节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。   开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低,使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作,带来
  • 关键字: ST  意法半导体  晶体管  镇流器  电容器  

处理器核改进 引发能耗地震

  •   根据摩尔定律,每18个月(起初是24个月)芯片上的晶体管密度就会翻番,但是前几年功耗问题曾一度困扰Intel等公司的发展。为此,Intel对摩尔定律进行了大胆的修正,指出摩尔定律是晶体管密度、性能和功耗的折中发展规律。为此,多核开创了一个崭新的计算时代。 图1 原摩尔定律不再有助于功耗降低   通常认为,多核设计与优化的处理器相互协同作用,才能带来芯片能耗降低的地震(图2)。多年来一直倡导在SoC中进行多核设计,在可配置多核方面独树一帜的Tensilica,在多核低功耗方面取得了巨大的突破,产
  • 关键字: 摩尔定律  芯片  晶体管  功耗  处理器  

英飞凌推出行业最优峰值输出功率的LDMOS射频功率晶体管

  •   英飞凌科技股份公司(IFX: FSE, NYSE)发布两款面向无线宽带应用的最新LDMOS射频功率晶体管,例如在2.5至2.7 GHz频段上运行的WiMAX应用。这些产品可提供最高达170 W的峰值输出功率,进一步壮大了英飞凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX应用的射频功率晶体管产品阵营。这款LDMOS射频功率晶体管杰出的峰值功率性能可支持设计师简化其射频功率放大器的设计。      英飞凌科技公司副总裁兼射频功率器件业务部总经理Helmut Volger表示:&ldqu
  • 关键字: 英飞凌  LDMOS  晶体管  

世界最小晶体管问世仅1个原子厚10个原子宽

  •   北京时间4月21日消息,据美国连线杂志报道,目前,英国研究人员研制世界上最小的电子晶体管,其厚度为1个原子,直径10个原子。   这项最新研制的新型电子晶体管比之前32纳米硅材料电子晶体管小3倍,英国曼彻斯特大学研究人员科斯特亚·诺沃舍罗夫说,“这种电子晶体管可用于任何半导体制造。”他和另一位合著作者将该研究报告发表在《科学》杂志上。   电子晶体管形式的逻辑门可加强计算处理能力。根据摩尔定律,每隔24个月,集成电路上的晶体管的数量将翻番,从而不断
  • 关键字: 晶体管  

CMOS场效应晶体管的发展趋势

  •   前言   自从1947年第一支晶体管的发明,半导体集成电路在二十世纪的后三十年有了一个极大的发展。这个发展极大的推动了世界性的产业革命和人类社会的进步。 今天在我们每个人的日常生活中, 英特网,手机的普及和计算机在各个领域的大量应用,已经使我们进入了信息时代。在这中间起决定性作用的是在硅晶片上工作的CMOS场效应晶体管的发明,它的制造工艺的不断发展和以它为基础的超大规模集成电路的设计手段的不断改进。   图1是一个最基本的CMOS逻辑门—反向器的物理结构和电路图。当输入为逻辑0时它的输
  • 关键字: CMOS  晶体管  

GPS 3D导航设计的稳定性考虑

  • 摘要: 3D地图的出现和推广、更多信息点的地图,使大容量的存储器成为2008年导航产品发展的一个重要方向。大容量存储器的需要还来源于对数据保护的需求。本文通过对比Embedded Raw MLC和Managed Nand两种存储方式,介绍了系统硬件和软件设计对GPS导航设备稳定性的影响。 关键词: GPS;SLC;MLC;3D导航   GPS 3D导航地图的出现并非偶然,3D导航比2D显示更多的信息量,通过3D图像来真实地模拟显示现实世界中的街道和交叉路口,驾驶者不仅可以看到详细而
  • 关键字: GPS 3D  导航设计  稳定性考虑  200803  

电源半导体市场扩大 相关厂商研发活跃

  •   近年来地球温室效应问题引起了公众的广泛关注,对节能电子设备的呼声也越来越高。人们强烈要求所有电子设备所用的电源都要提高效率,节约能耗,要求手机所代表的电池驱动移动产品不仅要有节能的意识,还要能够提供极高的能效,以延长电池的使用寿命。   各种电子设备的电源由原来的通过变压器调节电压方式,演变为开关电源、DC—DC变频器、逆变器调压。作为下一代电源,使用DSP对电源实现高精度控制的数字电源正在开发并开始上市。   DC—DC变频器IC用于调节直流电压、改变基板电压。其中开关频
  • 关键字: 电源  半导体  晶体管  

借鉴国际经验 推动我国IC产业持续发展

  •   1947年第一只晶体管在贝尔实验室诞生,揭开了电子信息技术发展新纪元。1958年德州仪器公司和仙童公司成功地开发出全球第一颗集成电路。半个世纪以来,微电子技术和集成电路产业的崛起,大大推动了信息产业的发展,促进了经济繁荣和社会进步。现在,芯片、微处理器、存储器等集成电路产品,已不再是技术名词,而是与人们日常生活休戚相关的东西;专业内常用的摩尔定律、晶圆代工线(Foundry)、无制造线集成电路企业(Fabless)、集成器件制造模式(IDM)等已成为社会经济学界日常讨论的内容。当今集成电路技术已进入纳
  • 关键字: 集成电路  晶体管  摩尔定律  模拟IC  

单电子晶体管研制成功 或重新精确定义电流单位

  •     芬兰与美国的一个研究小组研制出单电子晶体管(SET)它能将振荡电压转换成非常精确的电流,这有望更精确重新定义电流的基本单位———安培。该项科研成果刊登在近期出版的《纳米科学与技术在线资源》网站上。   安培、伏特及欧姆是电子学的三大基本单位,后两者分别通过约瑟夫森电压和量子化霍尔电阻的测量而得,然而目前的安培测量技术却还延续着十九世纪使用的版本:真空中相距1米的两根无限长且圆截面可忽略的平行导线内通过一恒定电流,当两导线每米长度之间产生的力等于2
  • 关键字: 单电子  晶体管  研制  

压电振荡器供给白光LED发光

  •   压电陶瓷蜂鸣器从单电池为白光LED供能。   接收单电池供电的LED驱动器正受到广泛关注。为由低电压电源产生能够点亮白光LED的高电压,主要需要某种电子振荡器,最简单的为压电蜂鸣器。压电转换器特殊地用于振荡器和驱动白光LED(图1)。压电模片或弯曲板组成压电陶瓷片,带双面电极,用可传导粘合剂贴在黄铜、不锈钢或类似材料制成的金属板上。电路使用三端压电转换器。在这个转换器中,模片在其中一个电极上有反应标记。电感和容性器件之间谐振产生振荡。工作的频率为:fOSC=1/(2π      ),在
  • 关键字: LED  振荡器  晶体管  发光二极管  LED  

LSI 庆祝晶体管发明 60 周年

  •   LSI 公司 日前宣布向位于加利福尼亚州山景市 (Mountain View) 的计算机历史博物馆捐赠了其首枚晶体管的复制品,以庆祝晶体管发明 60 周年。   晶体管是1947 年 12 月 16 日由贝尔实验室的科学家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同发明的,它是当今集成电路的构建块,而集成电路则是从电脑到手机乃至导弹和心脏起搏器等各种产品的中枢。 晶体管于1951 年最早由位于宾夕法尼亚州阿伦敦联合大道 (Union Boul
  • 关键字: LSI  晶体管  集成电路  嵌入式  

回顾历史——晶体管诞生60周年

  •     在半导体产业迅猛发展的今天,让我们一起来阅读这段60年前的历史…...     LSI 热烈庆祝晶体管诞生 60 周年     60年前的1947年12月,3 名贝尔试验室的科学家共同发明了晶体管,从而开辟了现代电子时代,包括当今的LSI在内的全球性产业也由此诞生。       &nbs
  • 关键字: 晶体管  诞生  60  周年  元件  制造  
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3d 晶体管介绍

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