- 意法半导体日前推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于
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- 四轮定位仪涉及了机械、光学、电子、计算机软件、数学模型等多项领域的知识，从构成来看，四轮定位仪主要由上位机和下位机组成。上位机包括箱体、电脑主机、显示器、打印机、软件、通讯系统。下位机由测量传感器、夹具、转角盘组成。
箱体：位于四轮定位仪前方，里面有计算机、打印机、显示器、键盘、鼠标以及夹具传感器或夹具反像板等。
电脑主机：它是运行主程序的载体，可以是电脑市场的组装机、品牌机、商用机。
软件：即所用的操作系统和四轮定位仪应用程序，与电脑主机共同决定了可视性、操作性、功能稳定性、测量速
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- 欧胜微电子有限公司宣布其位于High Wycombe的工程中心已获得了国际上认可的ISO 9001:2000质量管理标准的资格认证，并经过了英国标准协会（BSI）的全面审核。继1994年位于爱丁堡的主工程中心获得此项认证之后，High Wycombe部门是欧胜第二间获得此项认证的工程中心。
欧胜的工程项目经理Norman Davidson说：“High Wycombe分部作为去年收购Sonaptic的一部分，为欧胜所继承。欧胜AudioPlus™的enhanced sou
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- 1947年贝尔实验室肖克莱等人发明晶体管，1958年仙童公司RobertNoyce(罗伯特·诺伊斯)和德州仪器JackKilby(杰克·基尔比)分别发明基于硅和基于锗的集成电路，1971年英特尔推出1KBDRAM(动态随机存储器)，1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(静态随机存储器)，在集成电路的技术和工艺的每一次跃变过程中，都离不开半导体设备与材料的不断推陈出新。
支撑业是集成
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- 特瑞仕半导体株式会社开发了XCM517 系列内置晶体管600mA 同步整流双路降压DC/DC 转换器。
XCM517 系列是在一个封装组件中搭载两个XC9235/XC9236 系列的同步整流降压DC/DC 转换器而组成的实装芯片(IC)。工作电压范围从2.7V 到6.0V。内置时钟控制器分为1.2MHz 和3.0MHz 两种，可以根据具体应用来选择合适的工作频率。工作模式可选择PWM 控制模式或PWM/PFM 自动转换控制模式，即使是纹波控制难度较大的产品，也能实现从小负载到大负载的
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- MEMS产品的世界领先厂商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款全新3D方位传感器，是ST计划开发的新系列传感器产品的首款产品。通过在一个简单易用的表面贴装封装内整合多项传统传感器功能，ST计划开发一系列重要的多功能MEMS传感器。全新FC30芯片集成3D方位和鼠标单击/双击检测功能，使设计人员能够在产品设计内集成鼠标按键控制功能。
“FC30是一系列全新多功能传感器的首款产品，以完整的转钥解决方案，让客户在系统微控制器上简化系统复杂性，降低处理开销。”意法半导
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- 就像摩尔定律驱动半导体几何尺寸的缩小一样，有关解决半导体可靠性问题的活动也遵循一个似乎有点可以预测的周期。例如，技术演进到VLSI时，为了保持导线的电路速度，引入了铝线连接。此时，很快就发现了电子迁移这类的可靠性问题。一旦发现了问题所在，就会通过实验来对退化机制进行建模。利用这些模型，工艺工程师努力使新技术的可靠性指标达到最佳。随着技术的进一步成熟，焦点转移到缺陷的降低上面。而随着ULSI的引入，由于使用了应力硅、铜和低K介电材料等，又开始一轮新周期。
随着引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
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- 6月19日消息，据国外媒体报道，闪存制造商SanDisk公司近日发布了报送给美国证券交易委员会的一份报告，该报告称，SanDisk将与东芝公司合作，共同开发和制造可重写3D内存。
SanDisk公司称，两家公司将共同致力于3D内存芯片的开发和生产，并共享与开发项目有关的专利许可技术。作为合资企业一部分，东芝将向SanDisk支付许可费用。
双方合资最终将导致一种可替代NAND闪存的新型内存技术，SanDisk是NAND型闪存的主要生产商之一。后者被iPod、iPhone、数码相机和其他设备
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- 飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。
RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当频率在1200 － 1400 MHz之间时， MRF6V14300H生成330 W的RF脉冲输出功率；与竞争性双极场效晶体管（FET）器件相比，它重新设立了该功率和频率级的新的效率、增益和热阻标准。
先进的RF功率
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- 2008年5月23日，意法半导体推出VIPer17开关式离线电源转换器。新产品集成一支800V抗雪崩MOSFET晶体管和多项有助于节省外部组件和提高待机能效的先进功能，新转换器内置可调设置点，恒流开关操作，能够配合所有的市电电压，最高可适用于12W的开关电源（SMPS）设计。
通过集成一个高压启动电流电源以及必要的保护功能，VIPer17不再需要外部感应元件和启动电阻器。保护功能包括精确可调的过压和超载保护、延时过热保护和两级过流保护。故障检测电路激活转换器的自动重启功能，以防浪涌对电源或负载造
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- 5月21日消息，据澳大利亚媒体报道，飞利浦公司计划推出适合家庭用的3D电视，不同的是此次推出的产品无需佩戴收看3D电视需要的眼镜。
飞利浦公司本周二简要介绍了其产品计划，表示新产品仍在研制阶段，采取全息影像技术，将多个存在微小视角差异的影像整合形成具有不同深度的视频影像。目前的结果并不很乐观，有些区域影像模糊，有些部分则仅有两维图像，但有些时候表观效果令人吃惊。Bjorn Teuwsen在产品解说时谈到，“这部分市场的推进是由黑白到彩色，到高清，再到3D。估计用不了多久3D电视就会进
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- 近日，意法半导体（ST）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作频率超过20kHz的照明等镇流器节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作，带来
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- 根据摩尔定律，每18个月（起初是24个月）芯片上的晶体管密度就会翻番，但是前几年功耗问题曾一度困扰Intel等公司的发展。为此，Intel对摩尔定律进行了大胆的修正，指出摩尔定律是晶体管密度、性能和功耗的折中发展规律。为此，多核开创了一个崭新的计算时代。
图1 原摩尔定律不再有助于功耗降低
通常认为，多核设计与优化的处理器相互协同作用，才能带来芯片能耗降低的地震（图2）。多年来一直倡导在SoC中进行多核设计，在可配置多核方面独树一帜的Tensilica，在多核低功耗方面取得了巨大的突破，产
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- 英飞凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）发布两款面向无线宽带应用的最新LDMOS射频功率晶体管，例如在2.5至2.7 GHz频段上运行的WiMAX应用。这些产品可提供最高达170 W的峰值输出功率，进一步壮大了英飞凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX应用的射频功率晶体管产品阵营。这款LDMOS射频功率晶体管杰出的峰值功率性能可支持设计师简化其射频功率放大器的设计。
英飞凌科技公司副总裁兼射频功率器件业务部总经理Helmut Volger表示：&ldqu
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- 北京时间4月21日消息，据美国连线杂志报道，目前，英国研究人员研制世界上最小的电子晶体管，其厚度为1个原子，直径10个原子。
这项最新研制的新型电子晶体管比之前32纳米硅材料电子晶体管小3倍，英国曼彻斯特大学研究人员科斯特亚·诺沃舍罗夫说，“这种电子晶体管可用于任何半导体制造。”他和另一位合著作者将该研究报告发表在《科学》杂志上。
电子晶体管形式的逻辑门可加强计算处理能力。根据摩尔定律，每隔24个月，集成电路上的晶体管的数量将翻番，从而不断
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