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3d 晶体管 文章 最新资讯

全球首款立体LED诞生

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 立体  LED  3D  半导体  

半导体特征循环与可重构芯片

  •   1 引言   1965 年,摩尔用三个集成电路产品集成度随时间的增长数据,外加1959 年的晶体管(集成度为1)和1965 年预计可推出的实验室产品(有64 个元件),用半对数坐标,外插预测到十年后集成电路的集成度将达到65,000 个元件。1975 年预测成真,随后被称为“摩尔定律”。近40 年来,“摩尔定律”作为半导体发展的指南针对整个产业的发展产生了重大影响。由此我们可以体会到总结规律、预测发展的重要意义。半导体产品是半导体技术的载体,也是半导体
  • 关键字: 集成电路  晶体管  半导体  摩尔定律  可重构  

低压差线性稳压器在开关电源中的应用

  •   1 引言    电源是各种电子设备必不可缺少的组成部分,其性能的优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作。目前常用的直流稳压电源分线性电源和开关电源两大类,由于开关电源内部关键元器件工作在高频开关状态,本身消耗的能量很低,开关电源效率可达80%~90%,比普通线性稳压电源提高近一倍,目前已成为稳压电源的主流产品。   2 开关稳压电源的结构   图(1)画出了开关稳压电源的原理图及等效原理框图,它是由全波整流器,开关管Vi,激励信号,续流二极管VD,储能电感和滤波电容C
  • 关键字: 开关电源  整流器  晶体管  滤波  LDO  稳压器  

电子测量仪器的分类及应用

  • 电子测量仪器按其工作原理与用途,大致划为以下几类。 1.多用电表   模拟式电压表、模拟多用表(即指针式万用表VOM)、数字电压表、数字多用表(即数字万用表DMM)都属此类。这是经常使用仪表。它可以用来测量交流/直流电压、交流/直流电流、电阻阻值、电容器容量、电感量、音频电平、频率、晶体管NPN或PNP电流放大倍数β值等。 2.示波器   示波器是一种测量电压波形的电子仪器,它可以把被测电压信号随时间变化的规律,用图形显示出来。使用示波器不仅可以直观而形象地观察被测物理量的变化全
  • 关键字: 电子测量  示波器  信号发生器  晶体管  红外测试  

安森美半导体推出新微封装的晶体管和二极管

  •   安森美半导体(ON Semiconductor)扩充分立器件封装系列,推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列,配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。   安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说:"对我们的便携产品客户来说,小尺寸、低高度且同时具备功率密度是相当关键的参数。安森美半导体提供用于电源管理、开关和保护应用的微封装二极管和晶体管,使便携产品能集成更多功能,而无须增加终端产品的尺寸或降低能效。"   新的微封装晶体管
  • 关键字: 安森美  分立器件  封装  晶体管  二极管  

葡萄牙成功研制全球首个纸质晶体管

  •   葡萄牙新里斯本大学(New University of Lisbon)的研究人员于日前成功研制了全球首款用纸层制成的晶体管,这种晶体管比采用氧化物半导体制成的普通薄膜晶体管(TFT)更具竞争力。   据负责此项研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露,这种新型晶体管具备与采用氧化物半导体制成的薄膜晶体管一样的性能,纸质晶体管可以用在纸质显示屏、智能标签、生物程序和RFID(无线射频识别)电子标签等新型电子设备中。虽然目前业界十分看重采用生物高聚物的低成本电子产品
  • 关键字: 晶体管  新里斯本大学  场效应晶体管    

系统控制器免费IP 核的应用

  •   1.前言   随着集成电路业工艺的发展,单位面积晶体管的数量急剧增加。按传统的方法,能满足芯片功能和时序要求设计的IC设计工程师,产能约为100门/天,要完成 1200万门的芯片设计需要500人年。设计复用(Design Reuse)技术成为解决问题的有效方法。根据业界经验,任何模块如果不作任何修改就可以在10个或更多项目中复用,都应该开发成IP 。基于IP的数字IC设计方法是有效提高设计产能的关键技术。IP核又称IP (Intellectual Property)Core指具有独立知识产权的电路核
  • 关键字: 集成电路  晶体管  IC设计  IP Core  

ST推出250A功率MOSFET 提高电机驱动能效

  •   意法半导体日前推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管,新产品拥有市场上最低的导通电阻,可以把功率转换损耗降至最低,并提高系统性能。   新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10™ 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET,无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III™ 制程,典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括:开关损耗低,抗雪崩性能强。除提高散热效率外,九线源极连接配置还有助于
  • 关键字: MOSFET  ST  意法半导体  晶体管  

详解汽车四轮定位仪的构成及检测方式

  •   四轮定位仪涉及了机械、光学、电子、计算机软件、数学模型等多项领域的知识,从构成来看,四轮定位仪主要由上位机和下位机组成。上位机包括箱体、电脑主机、显示器、打印机、软件、通讯系统。下位机由测量传感器、夹具、转角盘组成。   箱体:位于四轮定位仪前方,里面有计算机、打印机、显示器、键盘、鼠标以及夹具传感器或夹具反像板等。   电脑主机:它是运行主程序的载体,可以是电脑市场的组装机、品牌机、商用机。   软件:即所用的操作系统和四轮定位仪应用程序,与电脑主机共同决定了可视性、操作性、功能稳定性、测量速
  • 关键字: 汽车  四轮定位仪  激光  PSD  CCD  3D  

欧胜位于High Wycombe 的工程中心获得ISO 9001认证

  •   欧胜微电子有限公司宣布其位于High Wycombe的工程中心已获得了国际上认可的ISO 9001:2000质量管理标准的资格认证,并经过了英国标准协会(BSI)的全面审核。继1994年位于爱丁堡的主工程中心获得此项认证之后,High Wycombe部门是欧胜第二间获得此项认证的工程中心。   欧胜的工程项目经理Norman Davidson说:“High Wycombe分部作为去年收购Sonaptic的一部分,为欧胜所继承。欧胜AudioPlus™的enhanced sou
  • 关键字: 欧胜  主动噪音消除  3D  

光伏产业:中国半导体支撑业的新机遇

  •      1947年贝尔实验室肖克莱等人发明晶体管,1958年仙童公司RobertNoyce(罗伯特·诺伊斯)和德州仪器JackKilby(杰克·基尔比)分别发明基于硅和基于锗的集成电路,1971年英特尔推出1KBDRAM(动态随机存储器),1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(静态随机存储器),在集成电路的技术和工艺的每一次跃变过程中,都离不开半导体设备与材料的不断推陈出新。      支撑业是集成
  • 关键字: 集成电路  晶体管  光伏  EDA  LED  

特瑞仕推出内置晶体管600mA双路降压DC/DC转换器

  •   特瑞仕半导体株式会社开发了XCM517 系列内置晶体管600mA 同步整流双路降压DC/DC 转换器。    XCM517 系列是在一个封装组件中搭载两个XC9235/XC9236 系列的同步整流降压DC/DC 转换器而组成的实装芯片(IC)。工作电压范围从2.7V 到6.0V。内置时钟控制器分为1.2MHz 和3.0MHz 两种,可以根据具体应用来选择合适的工作频率。工作模式可选择PWM 控制模式或PWM/PFM 自动转换控制模式,即使是纹波控制难度较大的产品,也能实现从小负载到大负载的
  • 关键字: 转换器  特瑞仕  晶体管  PWM  

ST推出一款全新3D方位传感器

  •   MEMS产品的世界领先厂商意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出一款全新3D方位传感器,是ST计划开发的新系列传感器产品的首款产品。通过在一个简单易用的表面贴装封装内整合多项传统传感器功能,ST计划开发一系列重要的多功能MEMS传感器。全新FC30芯片集成3D方位和鼠标单击/双击检测功能,使设计人员能够在产品设计内集成鼠标按键控制功能。   “FC30是一系列全新多功能传感器的首款产品,以完整的转钥解决方案,让客户在系统微控制器上简化系统复杂性,降低处理开销。”意法半导
  • 关键字: ST  3D  传感器  MEMS  

WLR测试中所面临的新挑战

  •   就像摩尔定律驱动半导体几何尺寸的缩小一样,有关解决半导体可靠性问题的活动也遵循一个似乎有点可以预测的周期。例如,技术演进到VLSI时,为了保持导线的电路速度,引入了铝线连接。此时,很快就发现了电子迁移这类的可靠性问题。一旦发现了问题所在,就会通过实验来对退化机制进行建模。利用这些模型,工艺工程师努力使新技术的可靠性指标达到最佳。随着技术的进一步成熟,焦点转移到缺陷的降低上面。而随着ULSI的引入,由于使用了应力硅、铜和低K介电材料等,又开始一轮新周期。   随着引入的化合物材料的增加,可靠性方面的挑
  • 关键字: 半导体  VLS  可靠性测试  晶体管  

SanDisk与东芝合资开发3D内存芯片

  •   6月19日消息,据国外媒体报道,闪存制造商SanDisk公司近日发布了报送给美国证券交易委员会的一份报告,该报告称,SanDisk将与东芝公司合作,共同开发和制造可重写3D内存。   SanDisk公司称,两家公司将共同致力于3D内存芯片的开发和生产,并共享与开发项目有关的专利许可技术。作为合资企业一部分,东芝将向SanDisk支付许可费用。   双方合资最终将导致一种可替代NAND闪存的新型内存技术,SanDisk是NAND型闪存的主要生产商之一。后者被iPod、iPhone、数码相机和其他设备
  • 关键字: SanDisk  东芝  3D  内存  芯片  
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3d 晶体管介绍

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