- NOR 和NAND 是闪存(Flash Memory)的两大主要类型，强调可靠性的NOR 主要用途在于应用程序和操作系统储存(Code Storage)，成本较低的NAND 则主要使用于数据储存(Data Storage)方面，近来由于手机、数字相机、数字音乐播放机、可携式媒体播放机(PMP)、机顶盒(STB)等终端产品的需求旺盛，带动两者销售量持续成长，尤其NAND 在苹果计算机推出的数字音乐播放机iPod 热卖
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- 根据内存市场研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所发表的最新报告，七月上旬NAND Flash合约价出炉；SLC市场供给吃紧、合约价大涨，平均涨幅约15%~30%。而根据集邦的研究数据来观察，整体NAND Flash需求将在本季超过供给，下半年NAND Flash产出将供不应求。 在MLC部分，集邦表示，因供货商持续将产能转往8Gb以上的产品，另外加上iPhone题材所带来的预期心理，4Gb产出日益降低而大涨30%，高容量MLC也顺势涨了
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- 相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS计划发表最新研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于FeRAM与MRAM，在PCM领域发展机会较大。 工研院IEK-ITIS计划分析师陈俊儒表示，相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体工艺技术，相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主
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- 本文就目前在智能仪器仪表领域中获得广泛应用的DSP(数字信号处理器)，介绍了如何把液晶显示模块用做DSP系统显...
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- 北京时间7月19日硅谷动力从国外媒体处获悉：市场研究机构iSuppli在内存市场有增长迹象和贯穿2007年的内存价格下滑结束的情况下，将近期DRAM内存供应商面临市场条件等级由消极提升到中性，同时对NAND闪存的市场条件等级做了同样的调整。
iSuppli在今年一月中旬把DRAM内存市场的条件等级降为消极，当时DRAM内存市场正处在严重低迷的状态，到六月底DRAM内存的价格下滑超过了70%。但是，iSuppli预期市场在6月底将跌到底部，7月上半月随着内存原始制造商DRAM内存价格的上涨，内存
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- 仅仅一个多月，在全国内存市场占80%的1GB DDR2-667内存条的价格就从最低价的200元左右涨到330元以上，涨幅高达65%。 昨日，《第一财经日报》从深圳内存厂家获悉，引发此次内存价格狂飙的主要原因是深圳的某两家渠道商的走私货物被深圳海关扣押，被扣押的货物以内存条为主，总值达1亿元之巨。 “这股严打风潮不知道什么时候能过去。”深圳内存厂家负责人黄伟(化名)透露，现在内地内存经销商已基本停止大宗走私行为，目前市场上所销售的产品基本都是之前的库存
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- 针对当今电子系统对高速大容量内存的需要，本文阐述了使用DDR控制器IP核来设计实现DDR内存接口的方法。
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- 由于内存市场需求长期疲软，计算机OEM厂商对内存砍价过甚，三星已决定中止对计算机OEM厂商的DRAM供货，其中还包括戴尔和惠普等大厂。但如此一来正好给了其对手海力士半导体和南亚一个绝佳的机会，两家纷纷争抢OEM厂商的订单。 据市场研究机构DRAMeXchange称，五月下旬512MB和1GB的DDR2报价已跌至14美元和28美元，512MB的DDR2-533和1GB的DDR2-667则为17.5和35美元。 现在的DRAM价格可说已跌至谷地，报价甚至比生产成本还低。为抵制如此无理的
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- 亚洲芯片制造商上周末召开了会议，研究结果表明内存DRAM芯片价格已经达到了波谷，未来将有所上浮。在上周四的全球市场上，DRAM内存平均售价再次下滑了五个百分点，而该数字在周五也处于下滑态势。计算机内存制造商三星电子和现代半导体甚至表示，内存产品的售价迅速下调，有可能影响到公司4到6月季度盈利情况。实际上，自从今年开始，某些内存产品的售价足足下滑了70％。 “如今的价格已经几乎达到了最低点，我们都在等待重新的上浮。”Daiwa研究所分析家JaeLee先生表示，“如果库存量下滑，价格上浮
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- 在5月18-25日，DRAM内存价格终于出现了反弹，业界分析家对该现象是标志着大范围的调整开始还是仅仅是一个短期现象持有不同意见。 据DRAMeXchange的数据显示，从5月18日开始，包括eTT在内各种频率型号的512MB DDR2内存现货价格据呈上升势头。在所有类型当中，eTT压低内存升幅最大，达到16%。 一些业内人士担心DRAM现货市场的价格反弹将会影响DRAM合同价格的调整。来自DRAM内存厂商的消息称现还没有收到电脑厂商需求急剧变化的反馈，而来自内存模组厂的消息称，由于DRAM厂商
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- 在5月18-25日，DRAM内存价格终于出现了反弹，业界分析家对该现象是标志着大范围的调整开始还是仅仅是一个短期现象持有不同意见。
据DRAMeXchange的数据显示，从5月18日开始，包括eTT在内各种频率型号的512MB DDR2内存现货价格据呈上升势头。在所有类型当中，eTT压低内存升幅最大，达到16%。
一些业内人士担心DRAM现货市场的价格反弹将会影响DRAM合同价格的调整。来自DRAM内存厂商的消息称现还没有收到电脑厂商需求急剧变化的反馈，而来自内存模组厂的消息称，由于DRA
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- 内存颗粒在最近一两天终于价格开始反弹，DDR2 512Mb ETT颗粒昨天收盘于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz则从1.7美元反弹至1.76美元。 内存业者表示，DRAM制造厂不再杀低出货，再加上部份模组厂开始趁低收货，是带动近日DRAM现货价跌深反弹的主因。只是目前终端市场需求依然疲软，因此DRAM价格是否就此落底，仍待进一步观察。 创见上海代表处的总经理颜明吉表示，此前内存之所以狂跌，戴尔和惠普等PC大厂故意观望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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- “凭良心来讲，现在内存的品质整体来说真的很差。”某品牌内存的一位高管向PConline产业资讯这样透露。
根据相关人士透露，内存晶元的测试，是晶元厂要另外要付费给专门的测试厂商。按照业界的概况，DDR2的颗粒一般好一点的原厂要测试800秒，普通的厂商是测试400秒。一般来说，原厂的品牌颗粒不太敢完全不测试，多少会测一下。但是现在测试时间变成了200秒或者100秒，甚至有些厂商只测50秒。
一般来说，如果经过800秒完全测试，内存颗粒的不良率可以低于500PPM(注1)，非常的低。当测试时间从800秒
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- 1 嵌入式系统中对内存分配的要求
①快速性。
嵌入式系统中对实时性的保证，要求内存分配过程要尽可能地快。因此在嵌入式系统中，不可能采用通用操作系统中复杂而完善的内存分配策略，一般都采用简单、快速的内存分配方案。当然，对实性要求的程序不同，分配方案也有所不同。例如，VxWorks采用简单的最先匹配如立即聚合方法；VRTX中采用多个固定尺寸的binning方案。
②可靠性。
也就是内存分配的请求必须得到满足，如果分配失败可能会带来灾难性的后果。嵌入式系
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- 据国外媒体报道，周四，美国半导体巨头IBM公司宣布，他们研发出了一种垂直方向上以堆叠方式连接不同芯片的技术，这种技术可以大大减少处理器和内存之间的距离，从而加速数据的传输，并节省手机或者电脑的功耗。 利用IBM公司的研发成果，今天的不同芯片之间的导线将失去作用。众所周知的是，在电脑或者手机中，微处理器和内存芯片之间依然靠导线来传输数据，相对于芯片内部的晶体管相比，这种“遥远”的导线距离延缓了数据的传输，使得内存访问成为系统性能的一个瓶颈。 在IBM公司的方案中，两个芯片将被上下堆叠在一起，两者之间的距离只
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