自2016年一季度以来半导体行业所享受的强劲市场需求和史无前例的定价权难以为继，NAND闪存超级周期料将发生逆转。
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内存 闪存
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存储器芯片获利恐难显著成长为由，将三星电子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投资评等自“加码”降至“中性权重”，目标价下修3.4%至280万韩元。大摩指出，随着NAND型快闪存储器报价在2017年第四季开始反转，下行风险随之升高;在此同时，2018年第一季以后的DRAM供需能见度也已降低。自2016年一季度以来半导体行业所享受的强劲市场需求和史无前例的定价权难以为继，N
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内存 闪存
近一年多来，内存价格持续高涨，虽然这一段时间暂时有所平稳，涨价的势头似乎被遏制住了，但想降价的话短期内还是个梦。
据博板堂统计，2017年10月份中国区TOP11内存品牌总出货量又下滑了10%左右，连续两个月倒退。
原因主要是上游DRAM内存颗粒供应依然十分紧张，而且供货时间有限，再加上双11电商备货影响，整个市场异常惨淡。
作为内存行业老大，金士顿缺货问题非常严重，实际出货时间只有半个月左右，整体工厂出货量创下历史新低，当月还
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内存 DDR4
在此轮内存涨价行情中，由于不少企业加大了建仓囤货的力度，导致在内存流通环节甚至出现了价格倒挂的现象。
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内存 DRAM
由于我国目前只有上海新昇能够确定拥有生产12寸硅晶圆的能力，并且产能相较于其他国外产商而来并不算高。因此在这种情况之下，业界的硅晶圆缺口在短时间内无法得到填补，全面涨价已经不可避免。
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内存 CPU
内存价格从去年开始，就蹭蹭往上涨，但与年初相比，如今的价格又有了一波上涨，价格高到让人难以置信。
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内存 三星
随着硅晶圆大缺货，业界的抢货潮正蔓延当中，这个对国际大厂影响的范围还是有限的。但是对于二、三线晶圆厂与新兴厂商就不行了，他们恐怕就会面临抢不到料、 冲击生产的问题了。
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内存 CPU
普通消费者对此情况也无力改变，内存要想回归之前的价格水平，只能寄希望国内厂商杀入内存市场，让三星、SKHynix、美光以及金士顿等厂商感受到竞争压力。
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内存 美光
美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。
美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。
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美光 3D NAND
仅仅是活动促销，未来一段时间内，内存价格仍然会居高不下，有需要的用户必然要继续纠结。
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内存 DRAM
10月31日，三星电子公司宣布了其领导层改组事宜，并表示将维持目前的三人联席CEO管理架构。其中，三星半导体业务部门总裁金奇南接替三星电子首席执行官兼副董事长权五铉的职位;三星显示器部门执行副总裁金玄石取代尹富根，继任为消费电子部门负责人和总裁;曾负责监督三星旗舰智能手机研发的高东镇接替申宗钧的职务，担任IT和移动通信业务部门总裁。
据悉，这些新任命立即生效。此外，三星电子将首次分离CEO和董事会主席角色。首席财务官李尚勋获推荐将担任董事会主席。
10 月初，权五铉宣布，计划辞去 CEO
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三星 内存
内存的上游原料DRAM颗粒在这1年以来，涨幅到达111%，原料价格的上涨导致内存成本上升，是最大的原因。
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内存 DRAM
内存价格持续上涨，主要是源头的三星、SK海力士、美光三大家DRAM颗粒供应严重不足，而且整个2018年都不会缓和。
其实在台湾还有一家DRAM厂商南亚科技，只是市场规模偏小而已。DRAM市场需求如此旺盛的情况下，南亚也积极动手了，首先已经开始量产20nm4GbDDR3颗粒，今年第四季度还会量产20nm8GbDDR4。
DDR4的时代为何还要大规模生产DDR3?主要还是DDR4产能即便再怎么扩充，也需要时间，一时半会不可能缓解，而在很多领域，DDR3仍然有很大的需求。
最近不少主板厂商
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内存 DDR3
据外媒报道，得益于芯片市场需求的回升和芯片价格的暴涨，韩国芯片生产商海力士在今年第三季度的运营利润大涨了415%。海力士公司目前是世界第二大的半导体元件制造商，在截至9月末的第三季度中，海力士公司的运营利润达到了3.7万亿韩元(约合人民币218.1亿元)，这远远高于比去年同期的7260亿韩元。
此外，SK海力士公布今年7-9月营收为8.1万亿韩元，较去年同期成长91%;营业利润达3.73万亿韩元。
SK海力士表示，当季DRAM出货成长17%，平均售价较前季成长6%，主要受惠于移动设备，以及
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海力士 内存
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