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1b dram 文章 进入1b dram技术社区

英特尔:为产业融合而重组

  •   英特尔在2005年1月17日重组的4年之后,于2009年9月14日再次对其组织架构大刀阔斧地进行了重组。   坊间着实对此热议了一阵。从这些文章的标题看,有就事论事说主要产品部门整合到英特尔架构事业部的,也有说重组是为了给CEO欧德宁腾出时间专注企业战略的,还有说是因为中国读者熟悉的基辛格离职去了EMC的,而笔者发现最多而又最离谱的文章标题是《英特尔重组 为物色CEO接班人做准备》。   西方现代管理制度强调的是因事用人,而因人设事最为忌讳。事实上,英特尔自创始以来,从诺伊斯到摩尔再到贝瑞特直到现
  • 关键字: 英特尔  CPU  存储器  DRAM  

三星DRAM芯片停止对台供货

  •   三星电子(Samsung Electronics)2009年随著新经营团队上任,营运策略出现不少重大转变,将影响存储器产业生态,三星日前决定全面停止对台销售DRAM芯片,一律只销售DRAM模块。存储器厂表示,三星策略明显侧重OEM市场,减少与现货客户合作,就连NAND Flash芯片供货策略,亦同样以消费性电子大厂为优先,尤其近期PC厂对于DRAM模块需求强劲,三星供应台湾DRAM模块数量大减,市场日前甚至喊出 1条DDR2模块40美元天价。   存储器业者指出,三星2009年在全球供货策略出现许多
  • 关键字: Samsung  DRAM  NAND  

TMC争取政府注资 低于百亿新台币

  •   台湾创新内存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“经济部”,与新任“经济部”长施颜祥见面,争取TMC营运资金。据了解,TMC规划,政府注资金额低于100亿元(新台币,下同),由于金额远低于官方与业界原预期,一般认为TMC将可如愿获得政府注资,正式迈入营运。   DRAM现货价直逼2美元,DRAM厂即将迈入转盈之际,TMC仍然积极运作。施颜祥先前担任经济部常务次长时,便负责协助TMC筹划与沟通等重要工作,与宣明智互动密切。这是施颜祥就任“
  • 关键字: TMC  DRAM  

制程差距扩大 台湾DRAM厂隐忧

  •   台湾DRAM大厂南科宣布8亿股现金增资计划,预计筹措100亿元以上资金,全数投入50纳米制程,以及偿还公司债,尽管DRAM现货价格已站上每颗2美元,时间点来得比预期早,国内DRAM厂暂时度过最艰困的时刻,但三星半导体将在明年把40纳米推升为生产线主力,成本大幅降低的优势,势必更加显著,台厂与国外一线大厂的苦战还是难免。   由于DDR2过渡至DDR3面临产能转换的瓶颈期,导致DDR3产能不足,进一步拉抬DDR2价格,原本内存模块厂预测,今年第四季底,DDR2现货价才有机会达到2美元,但根据集邦科技报
  • 关键字: 南科  50纳米  40纳米  DRAM  

南亚科拟再募资上百亿元

  •   DRAM大厂南亚科再度宣布筹资计画,预计办理8亿股的现金增资,筹措资金新台币百亿元,用途在于买3厂的机器设备和偿还到期公司债,目前南亚科积极转换制程到美光(Micron)68奈米制程,约有20~25%产能比重已转换过去,10月目标是80%产能都转到68奈米,为未来主力制程50 奈米做暖身,南亚科将挟持台塑集团的银弹和美光的技术,成为台系DRAM厂聚焦之处。   南亚科在6月发行10亿股的私募,当时由台塑集团相关企业出面认购,募得资金约新台币122.2亿元资金,南亚科24日再度宣布将办理8亿股的现金增
  • 关键字: 南亚科  DRAM  晶圆  

三星对半导体销售前景仍谨慎 拒谈收购Hynix

  •   全球最大内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)近日表示,尽管半导体业已由2年的低迷谷底重振,公司对前景仍抱持谨慎态度。   三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)在中国台湾台北举办的移动解决方案年度论坛上表示,由于政府鼎力相助,此行业现发展情况优于公司当初预期。然而他指出:“尽管如此,我们抱持的观点仍偏向谨慎,预估欧美感恩节假期时,将是销售情况的转折点。”   感恩节假期在美国落在11月,加拿大则为10月。   权五铉另表示,目
  • 关键字: Samsung  内存芯片  DRAM  

年内必有存储厂商倒闭 Spansion进行战略调整

  •   “2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭,产业链进一步整合是必然趋势,而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存,就必需尽快寻找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR闪存厂商Spansion(飞索)公司企业营销总监John Nation抵京,他带来了Spansion最新的第二季度财务状况,以及公司为脱离破产保护而进行的战略调整。   Spansion是全球最大的NOR型闪存制造商,也是全球最大一家专门出品闪存的企业。   今年3月1日,Spansion公司宣布,根
  • 关键字: Spansion  DRAM  NOR  

IC资本支出依然谨慎 供应收紧价格上涨

  •   分析师指出,资本支出创下历史新低使IC市场供应收紧,价格可能随之上涨,但可能会发生其他不可预料的结果。   IC Insights总裁Bill McClean称,今年半导体资本支出在销售额中所占的比例降至12%,创历史新低。芯片商在经历了严重衰退后,对资本投入依然比较谨慎。   “我们还不知道资本支出比例12%意味着什么。”McClean说道,“我们从来没有遇到过这种情况。”   资本支出比例在2008年为16%,2004年至2007年均在20%至
  • 关键字: NAND  DRAM  

海力士半导体拟售28%股权 晓星集团有购买意向

  •   据外电报道,晓星集团表示了收购海力士半导体的意向。   海力士股份管理协商会主管机构的外换银行表示,在受理海力士收购意向书(L01)截止的最后一天,只有一家企业提交了意向书。据了解,这家企业是晓星集团。   外换银行本月7日向43家企业发出了出售通知。该43家企业包括:公平交易委员会指定的企业集团当中,去年资产总额达到5万亿韩元以上的29家企业;在2007年和2008年均受到相互出资限制的企业集团中,资产总额达2万亿韩元以上的14家企业。   当初估计,国内至少会有4、5家企业会对收购海力士有兴
  • 关键字: 海力士  DRAM  存储芯片  

三星加大DDR3芯片产量缓解市场需求压力

  •   据报道,三星芯片部总裁Oh-Hyun Kwon近日在台北举行的三星年度移动解决方案论坛上表示,三星正在提高DDR3芯片产量,以缓解目前市场上DDR3芯片供应短缺现状。   Oh-Hyun Kwon指出,DDR3芯片的需求增长量超过了先前的预计,导致了DDR3供应短缺。不过三星目前已经加大了DDR3芯片生产量,以满足市场的增长需求,40nm工艺将成为他们明年芯片生产的主要处理技术。   Oh-Hyun Kwon认为,提高产量的方法并不只是多建几家工厂,技术升级将是三星以后提高芯片产量的主要途径。
  • 关键字: 三星  40nm  DRAM  DDR3  

Rambus联合金士顿开发出“线程式内存条技术”

  •   Rambus公司以往的新闻几乎都与XDR DRAM的官司有关,不过这次他们则和金士顿合作开发出了一种可用于增大DDR3内存带宽的技术“线程式内存条技术”(Threaded memory module)。这种技术基于现有的DDR3技术,不过将内存条上的内存芯片进行了分块处理,位于各个分块内部的芯片共享一个命令/地址端口,不过数据传 输部分则可通过各自独立的传输通道进行传输,传输的位宽可达64字节(512bit),这样就可以将传统DDR3内存的带宽提升50%左右,而且采用这种 技术
  • 关键字: Rambus  DRAM  DDR3  

三星芯片部总裁:全球芯片需求形势好于预期

  •   据国外媒体报道,三星电子芯片部门总裁权五铉(Oh-Hyun Kwon)周二表示,全球芯片需求形势好于公司原来预期,因此三星电子正在提高芯片产量以满足市场需求。   权五铉将需求提升归功于企业重建库存以及政府的经济刺激政策。   在台北的新闻发布会上,权五铉举例道个人电脑用的DDR3芯片的需求就非常强劲。三星电子正在台北举行一个关于手机行业的论坛。   他表示,三星正在提高DDR3芯片的产量,预计将有助于结束市场供给短缺的现象。   权五铉表示,此前由于制造商产能过度扩张,DRAM(动态随机存取
  • 关键字: 三星  DRAM  DDR3  液晶面板  记忆体芯片  

4大DRAM厂现金正流入 华亚科、力晶、茂德飞越现金成本线

  •   DRAM价格涨不停,1Gb容量DDR2价格直逼2美元,苦熬多时的台系DRAM厂终于进入现金正流入的状态,包括华亚科、力晶和茂德营运都终止失血,南亚科在自己晶圆厂生产部分也开始有现金流入,但采购自华亚科的部分,受到母子公司拆帐仍是Margin-Sharing模式,因此部分还是现金流出,但以整个台塑集团的DRAM事业来看,已进入现金正流入状态,下一步台系DRAM业者的目标是转亏为盈。   4 大DRAM厂2008年亏损金额超过新台币1,000亿元,眼看龙头厂三星电子(Samsung Electronic
  • 关键字: 力晶  DRAM  DDR2  

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

  •   IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。   IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM还表示,基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管,和32nm、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。   IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒,与同类SRAM相比待机功耗降低4倍,软错误率降低1000多倍,功耗也大大减少。   IBM希望将3
  • 关键字: IBM  32nm  DRAM  动态存储器  

摩根士丹利:计算机存储芯片市场已复苏

  •   据国外媒体报道,投资银行摩根士丹利在周一表示,在经历了三年的衰退之后,计算机存储芯片市场已开始复苏,预计此次复苏将会持续两年的时间。   摩根士丹利分析师韩亘(Keon Han)在周一的报告中指出,DRAM芯片销售在2010年将会达到224亿美元,较今年的184亿美元增长21%。在摩根士丹利分析师上调了三星电子、海力士和三家台湾芯片制造商的股价预期之后,韩国和台湾芯片股周一普遍出现上涨。   瑞萨科技在周一表示,该公司计划在下月上调芯片售价。瑞萨科技此举表示,芯片制造商正在走出去年供给过剩以及亏损
  • 关键字: 海力士  DRAM  存储芯片  
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