摘要： 新思科技数字和模拟EDA流程经过认证和优化，针对Intel 18A工艺实现功耗、性能和面积目标； 新思科技广泛的高质量 IP组合降低集成风险并加快产品上市时间，为采用Intel 18A 工艺的开发者提供了竞争优势； 新思科技 3DIC Compiler提供了覆盖架构探索到签收的统一平台，可实现采用Intel 18A和 EMIB技术的多裸晶芯片系统设计。加利福尼亚州桑尼维尔，2024年3月4日 – 新思科技（Synopsys, I
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新思科技 英特尔 Intel 18A EDA 芯片设计
● 设计工程师现在可以使用 RFPro 对 Intel 18A 半导体工艺技术中的电路进行电磁仿真● RFPro 能够对无源器件及其在电路中的影响展开电磁分析，为一次性打造成功的射频集成电路设计奠定坚实基础是德科技与Intel Foundry强强联手，成功验证支持Intel 18A工艺技术的电磁仿真软件是德科技近日宣布，RFPro电磁（EM）仿真软件作为是德科技 EDA 先进设计系统（ADS）综合工具套件中的一员，现已通过 Intel Foundry 认证，
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是德科技 Intel Foundry Intel 18A 电磁仿真
根据韩国媒体TheElec的报导，英特尔执行长Pat Gelsinger去年会见韩国IC设计公司高层，并介绍英特尔芯片代工业务的最新发展。英特尔目标是大力向韩国IC设计公司销售晶圆代工服务，以争取商机。上周，英特尔首届晶圆代工服务大会宣布，四年五节点计划后，推出Intel 14A制程，芯片2027年量产。迄今晶圆代工业务已获150亿美元订单，到2030年将成为全球第二大代工厂，目标是超越排名第二的三星，仅次市场龙头台积电。韩国媒体报导，三星晶圆代工重点在争取国际大厂订单，所以韩国IC设计公司几乎很难拿到三
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英特尔 Intel 18A IC设计 晶圆代工
台积电19日法说会，市场关注前瞻技术竞争实力。台积电总裁魏哲家强调，2纳米进度乐观，维持2025年进入量产步调；3纳米家族持续进步，N3E通过认证已达良率目标。他更透露N3P经内部评估，整体功耗表现足以与竞争对手18A（2纳米以下制程）匹敌，甚至享有更好的技术成熟度与成本优势，因此可以肯定，2纳米（with backside power rail）也将优于竞争对手。魏哲家补充，HPC、智能型手机客户对2纳米抱持高度兴趣，预计2025年上半年便能供货给客户，并于2026年进入量产；他分析，AI需求着重提升能
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9 月 10 日消息，英特尔此前曾宣布与 Arm 建立合作关系，在 Intel 18A 制程上优化 Arm IP，进一步降低采用 Arm IP 的客户采用 Intel 18A 的成本与风险。郭明錤最新的调查显示，Arm 和 Intel 之间的合作不仅限于先进的制程优化。Arm 很可能成为 Intel 18A 客户，这意味着 Intel 将使用 18A 生产 ARM 自家芯片。当然，由于没有基带 IP，而且考虑到现有智能手机客户（如苹果、高通等），Arm 芯片大概率不会涉及手机方面。郭明錤认为，如果 Arm
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近年来，Intel制定了4年掌握5代制程技术的IDM 2.0战略，决心在2025年重回半导体领先地位。在IDM 2.0战略中，IFS芯片代工业务的重要性与x86芯片生产相当，为了推动IFS芯片代工业务的发展，Intel对该部分业务进行了独立核算并积极争取客户。其中，备受关注的18A工艺是其重现辉煌的关键，Intel表示18A工艺不仅在技术水平上超过了台积电、三星等公司的2nm工艺，而且在进度上也领先于它们。据悉，Intel正全力以赴地推进内部和外部测试18A工艺芯片，有望在2024年下半年实现生产准备就绪
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联发科 Intel 18A
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