- 【环球时报综合报道】继台积电日本首座晶圆厂2024年年底开始量产后，台积电美国厂也正式加入投产行列。据台湾《联合报》1月12日报道，美国商务部长雷蒙多近日对英国路透社透露，台积电最近几周已开始在美国亚利桑那州厂为美国客户生产先进的4纳米芯片。她还说，这是美国史上首度在本土由美国劳工制造先进的4纳米芯片，良率和质量可媲美台湾。路透社称，台积电去年4月同意将原先计划的投资金额增加250亿美元至650亿美元，并于2030年前在亚利桑那州兴建第三座晶圆厂。去年11月，美国商务部敲定66亿美元补助款，资助台积电美国
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- 中国大陆积极扶植国内半导体业发展，据报道两家中国大陆大厂包括紫光展锐、小米的4纳米手机芯片都流片成功，代表离陆产4纳米芯片不远了。紫光展锐和小米都采用国外IP核心ARM、IMG打造国产芯片，预计这2款芯片进行规模化应用后，有机会突破高通和联发科在手机芯片垄断的局面。科技博主「定焦数字」表示，紫光展锐4纳米芯片已Tape Out（送交制造），这款芯片采用X1大核、A78中核、A55小核，GPU采用Mali G715 MC7，性能达到高通骁龙888的水平。另一博主「Oneline科技」透露，小米自研芯片成果已
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- 几个月前，台积电发布了 2023
年年报，但显然，文件中包含的关键信息被遗漏了。在深入探讨之前，我们先来谈谈台积电的 A14，或者说被许多分析师称为技术革命的
A14。台积电宣布，该公司终于进入了"Angstrom 14 时代"，开始开发其最先进的 A14 工艺。目前，台积电的 3 纳米工艺正处于开始广泛采用的阶段。因此，1.4 纳米工艺在进入市场之前还有很长的路要走，很可能会在 2 纳米和 1.8 纳米节点之后出现，这意味着你可以预期它至少会在未来五年甚至更长的时间内出现。著
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- 3月17日，据台湾《经济日报》消息，台积电美国亚利桑那州厂预计2024年量产4纳米，高通（Qualcomm）全球资深副总裁暨首席运营官陈若文今天表示，高通将是台积电美国厂4纳米的首批客户。陈若文进一步说明，外界误解台积电的美国大客户要求台积电将台湾地区的产能搬至美国，实际上是希望台积电在美国也能建置产能。至于成本，他不认为是个问题。
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- 据韩媒Business Korea报道，三星电子将在今年上半年开始大规模生产第三代4纳米芯片。报道称，三星电子3月12日发布了一份商业报告，报告提到将在今年上半年开始2.3代（2.3-generation
process）4纳米工艺大规模生产。这是三星电子首次提到4纳米新版本的具体量产时间。与4纳米芯片的第一代产品SF4E相比，第二代和第三代产品显示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圆面积。目前，业界已经量产的最先进的半导体工艺制程为3纳米，但市场主要产品仍为4纳米和5纳米芯片上，竞争厂商主要
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- 10月20日，三星电子在韩国首尔举办晶圆代工论坛，此前三星已经分别在美国加州、德国慕尼黑、日本东京举办了该论坛活动，韩国首尔是今年三星晶圆代工论坛的收官站点。在上述晶圆代工系列活动上，三星对外介绍了最新技术成果，以及未来五年晶圆代工事业发展规划。豪赌先进制程：2025年2nm、2027年1.4nm！今年6月，三星率先启动了基于GAA(全环绕栅极）架构的3nm制程芯片生产。未来三星将继续提升GAA相关技术，并将其导入2nm和1.7nm节点工艺。按照规划，三星将于2025年量产2nm先进制程工艺技术，到202
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- 代工厂放任客户编造制造工艺谎言许多人偶尔会谎报自己的年龄或体重，但若公司出现了谎报行为，则可视为虚假广告或至少构成了品牌稀释。最近的半导体市场就出现了这种情况，当时，两家领先的代工厂都放任客户声称他们采用了4纳米工艺，而实际使用的却仍是5纳米技术。这种情况让双方均形象受损，尤其是代工厂。而这背后，也意味着晶体管发展的缓慢。这个问题最初始于三星。在与台积电下一个节点的长期竞争中，三星在交付5纳米芯片的一年后宣布将于2021年底交付生产4纳米芯片。如图1所示，台积电计划在5纳米和4纳米节点之间用两年时间，在2
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- 据外媒报道，在今年的IEEE国际电子设备会议（IEDM）上，芯片巨头英特尔发布了2019年到2029年未来十年制造工艺扩展路线图，包括2029年推出1.4纳米制造工艺。
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- Intel日本分公司在筑波市举行了一次技术会议，内容颇为丰富，涉及半导体技术现状与未来、Nehalem微架构、ATM主动管理技术、Anti-Thefe防盗技术、My WiFi无线技术等等。
其中有关半导体制造工艺的展望引起了我们的特别关注。近十几年来，Intel以每两年升级一次的速度从0.25微米(um)一路走到了45纳米(nm)，中间历经了0.18微米、0.13微米、90纳米、65nm等四个世代，并带来了多种技术革新，比如晶圆尺寸从200毫米到300毫米、内部互联材料从铝到铜、通道从硅到应变硅
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