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从VHDL代码到真实硬件:设计一个8位算术逻辑单元

  • 在这个项目中,我们使用VHDL语言创建了一个8位算术逻辑单元(ALU),并在连接到带有输入开关和LED显示器的自定义PCB的Altera CPLD开发板上运行它。使用基于硬件的方法开发电子系统并不总是需要将各种晶体管和逻辑门物理连接到面包板或PCB上。可以使用离散逻辑构建算术逻辑单元(ALU),但随着逻辑复杂性的增加,还有更好的选择。通过可编程逻辑设备和硬件描述语言(HDL),可以在单个芯片中实现从简单电路到高度专业化的处理单元的任何内容。ALU项目概述在这个项目中,我将介绍8位算术逻辑单元(ALU)电路
  • 关键字: VHDL代码,8位算术逻辑单元  

消息称英特尔已砍掉 Beast Lake 及后续处理器产品

  • 9 月 3 日消息,消息源 Moore's Law is Dead 在最新一期视频中,爆料称从英特尔内部(公司高层)掌握新线索,称英特尔已经取消了 Beast Lake 处理器产品线。消息源表示在首席执行官帕特・基辛格(Pat Gelsinger)掌舵下,英特尔公司不再专注于研发高性能 CPU 核心,而是将重心放在 GPU 方面,让 CPU 给 AI 处理器(本质上是 GPU)铺路。而另一个原因是开发费用。消息称 Royal Core 的开发耗费了大量现金,英特尔不得不削减开支,因此基于 Roya
  • 关键字: 英特尔  基辛格  beast lake  

瑞士开发出首个高性能、微型脑机接口芯片 MiBMI,准确率高达 91%

  •  9 月 3 日消息,作为一项各国都在探索的前沿技术,脑机接口(BMI)对于帮助严重运动障碍患者恢复沟通和身体控制能力有望带来更具开创性的解决方案,且有可能扩展到语音合成和手写辅助领域,但现有的脑机接口设备体积庞大、耗电量高,且实际应用有限。瑞士洛桑联邦理工学院 (EPFL,与苏黎世联邦理工学院一起组成瑞士联邦理工学院,2025QS 世界大学排名第 26) IEM 和 Neuro X 研究所的集成神经技术实验室研究人员开发出了一款微型脑机接口 (MiBMI) ,相关研究成果已于8 月 23 日发
  • 关键字: 脑机接口芯片  BMI  瑞士  

国产GPU独角兽象帝先否认全员解散,公司“重整”前景不明

  • 从多名知情人士处得知,融资20多亿、估值高达150多亿元的国产GPU公司象帝先计算技术(重庆)有限公司于8月30日召开全员会议,宣布公司遭遇资金危机,计划与员工终止劳动合同。对于“全员解散”一事,象帝先则在当日发布公告予以否认,称目前的变动是“针对部分团队成员的调整”。公告中提到,国产GPU的发展尚未达到公司预期,当前确实面临一定市场压力,但公司截至目前并未采取解散或者清算的措施,接下来会“全力寻找外部融资机会”。
  • 关键字: 国产GPU  解散  

苹果中国回应“iPhone16不支持微信”

  • 有网传消息称“iPhone16可能不支持微信”,对此记者致电苹果官方热线,接线的苹果中国区技术顾问表示,第三方言论关于iOS系统或者苹果设备能否再使用微信,包括微信后续能否在苹果应用商店继续上架和下载,需要由苹果公司和腾讯之间相互沟通和探讨,才能确定之后的情况。该技术顾问表示,目前,苹果正在与腾讯积极沟通,来确认后续腾讯是否还会继续向苹果应用商店提供软件下载的抽成。不过其也提到,微信作为一个比较大众的软件,双方也都会为了自己相应的效益做出一定处理,所以暂时不用担心。9月2日,有传言称微信可能不支持iPho
  • 关键字: 苹果  微信  iOS 18.2  

6.6 kW车载电动汽车充电器设计

  • 我们采用单全桥LLC拓扑结构,以获得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等组成。NCV4390(U60)是一种电流模式高级LLC控制器。它是FAN7688的引脚到引脚兼容设备。如果您在网站上找不到该设备,可以参考FAN7688的说明。有关该零件的更多详细信息,请参阅数据表和应用说明。由于输出电压高(250−450 Vdc),同步整流器对整流器的帮助不大传导损失。因此,我们省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道IGBT驱动器。
  • 关键字: 车载电动汽车充电器  NVHL060N090SC1  SiC   

我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术

  • 9 月 3 日消息,“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文,报道称国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时 4 年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,实现我国在该领域的首次突破。项目背景碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构,目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。平面碳化硅 MOS
  • 关键字: 碳化硅  mosfet  第三代半导体  宽禁带  

台积电CoW-SoW 预计2027年量产

  • 随着IC设计业者透过增加芯片尺寸提高处理能力,考验芯片制造实力。英伟达达AI芯片Blackwell,被CEO黄仁勋誉为「非常非常大的GPU」,而确实也是目前业界面积最大的GPU,由两颗Blackwell芯片拼接而成,并采用台积电4纳米制程,拥有2,080亿个晶体管,然而难免遇到封装方式过于复杂之问题。CoWoS-L封装技术,使用LSI(本地硅互连)桥接RDL(硅中介层)连接晶粒,传输速度可达10/TBs左右;不过封装步骤由于桥接放置精度要求极高,稍有缺陷都可能导致价值4万美元的芯片报废,从而影响良率及获利
  • 关键字: 台积电  CoW-SoW  InFO-SoW  SoIC  

智能戒指 开穿戴装置新战场

  • 三星Galaxy Ring等纷纷问世;苹果正积极开发,智能戒指有望继手表、手环后成品牌商新的成长动能
  • 关键字: 智能戒指  穿戴装置  

国家队加持,芯片制造关键技术首次突破

  • 据南京发布近日消息,国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时4年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。公开资料显示,碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要有平面结构和沟槽结构两种结构。目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。平面碳化硅MOS结构的特点是工艺简单,元胞一致性较好、雪崩能量比较高;缺点是当电流被
  • 关键字: 碳化硅  沟槽型碳化硅  MOSFET  

英特尔或调整晶圆代工业务,出售Altera

  • 近日,据外媒报道透露,英特尔首席执行官Pat Gelsinger和公司主要高管计划在本月晚些时候向董事会提交一项计划,计划的主要目标是剥离非核心业务和调整资本支出,以期重振公司在芯片制造领域的领导地位。8月29日,Pat Gelsinger告诉投资者,该公司的销售可能会在未来很多年内陷入低迷,这迫使公司重新考虑其增长战略和支出。具体而言,该计划包括与相关投资银行家合作寻求资金支持,可能会拆分晶圆代工业务部门以及出售Altera可编程芯片部门,以及大幅减少不必要的资本开支。对于资金部分,据行业相关知
  • 关键字: 英特尔  晶圆代工  Altera  

第二季全球前十大晶圆代工产值季增9.6%

  • 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示,第二季中国618年中消费季的到来,以及消费性终端库存已回归健康水平,客户陆续启动消费性零部件备货或库存回补,推动晶圆代工厂接获急单,产能利用率显著提升,较前一季明显改善。同时,AI服务器相关需求续强,推升第二季全球前十大晶圆代工产值季增9.6%至320亿美元。从排名来看,前五大晶圆代工厂商第二季保持不变,依次为TSMC(台积电)、Samsung(三星)、SMIC(中芯国际)、UMC(联电)与GlobalFoundries(格芯)。在六至十名中,VI
  • 关键字: 晶圆代工  制程  先进制程  TrendForce  

NVIDIA GeForce RTX标志升级了!加入AI的力量

  • 9月3日消息,NVIDIA低调升级了其“GeForce RTX”的标志,增加了一行小字“Powering Advanced AI”,也就是“打造先进AI”的意思。未来的RTX显卡,无论是零售包装盒,还是预装台式机、笔记本,都是打上这个标志。GeForce一直都是游戏显卡品牌,无论早期的GTX系列,还是如今的RTX系列,莫不如此。但是近些年,GPU成为AI加速计算的最强有力芯片,再加上CUDA的生态优势,NVIDIA在这方面可以说根本没有敌手,Intel、AMD都在提倡的CPU、GPU、NPU三位一体策略也
  • 关键字: 英伟达  AI  GeForce  

什么是IGBT的退饱和(desaturation)? 什么情况下IGBT会进入退饱和状态?

  • 如下图,是IGBT产品典型的输出特性曲线,横轴是C,E两端电压,纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分:1、关断区:CE间电压小于一个门槛电压,即背面PN结的开启电压,IGBT背面PN结截止,无电流流动。2、饱和区:CE间电压大于门槛电压后,电流开始流动,CE间电压随着集电极电流上升而线性上升,这个区域称为饱和区。因为IGBT饱和电压较低,因此我们希望IGBT工作在饱和区域。3、线性区:随着CE间电压继续上升,电流进一步增大。到一定临界点后,CE电压迅速增大,而集电极电流并不随之增
  • 关键字: IGBT  

双色LED点阵显示器行、列引脚的识别与检测

  • 双色点阵显示器有共阳型和共阴型两种类型。图13—20所示是8×8双色点阵显示器的电路结构,图13—20(a)为共阳型点阵显示器,有8行16列,每行的16个LED(两个LED组成一个发光点)的正极接在一根行公共线上,有8根行公共线,每列的8个LED的负极接在一根列公共线上,共有16根列公共线,共阳型点阵显示器也称为行共阳列共阴型点阵显示器;图13—20(b)为共阴型点阵显示器,有8行16列,每行的16个LED的负极接在一根行公共线上,有8根行公共线,每列的8个LED的正极接在一根列公共线上,共有16根列公共
  • 关键字: LED  
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