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历史首次，2022年中国IT安全硬件市场规模同比下降3.3%

  • 2023年5月6日 北京IDC《2022年第四季度中国IT安全硬件市场跟踪报告》显示，2022年第四季度中国IT安全硬件市场厂商整体收入约为14.6亿美元，同比下降3.1%。结合全年数据，2022全年中国IT安全硬件市场规模达到36.5亿美元，规模增速不及预期，同比下降3.3%。IDC定义下的网络安全硬件市场分别由统一威胁管理 (UTM)、基于UTM平台的防火墙 (UTM Firewall) 、安全内容管理（SCM）、入侵检测与防御 (IDP)、虚拟专用网（VPN）、传统防火墙 (Traditional
  • 关键字： IT安全硬件  IDC  

ST助力构建赛-课-证一体化嵌入式应用人才培养生态圈

  • 近日，第六届（2023）全国大学生嵌入式芯片与系统设计竞赛应用赛道启动报名，大赛连续3年入选全国普通高校大学生竞赛目录。大赛自2014创办以来，意法半导体（ST）一直作为主要的协办厂商参与其中，STM32产品及开发板作为大赛使用率最高的开发平台，也受到来自国内外高校电子电气类相关专业同学及高职高专学校学生的广泛推崇。我们意识到，与下一代创新者合作的重要意义，并力争为他们释放全部创新力提供所需工具、专业知识和解决方案。ST还与上百所高等院校合作开发精品课程、师资培训，建立联合实验室，实施嵌入式人才培养计划，
  • 关键字： ST  赛-课-证一体化  人才培养  嵌入式应用  

浩亭在墨西哥锡劳设立新生产线

  • 2023 年 5 月3日，埃斯佩尔坎普/锡劳 --- 浩亭汽车部门正在扩大其产能：除了德国和罗马尼亚的生产基地外，墨西哥锡劳的制造业务也在进行中。埃斯佩尔坎普总部技术集团推出的电动汽车解决方案将在锡劳实现，以便更为便捷地为中美洲和北美的客户提供浩亭一如既往的高质量服务。“增设电动汽车领域新生产线，浩亭在锡劳的选址是非常正确的，”浩亭汽车总经理Marco Grinblats强调道，“这体现了我们如何满足这一区域特定客户的要求—— 特别是在帮助缩短交付时间和物流路线的同时，也更可持续。”直到去年11
  • 关键字： 浩亭  电动汽车  

三星、美光等推动普及，DDR5正进入放量期

  • 在行业下行周期时，新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。当下DDR5 DRAM作为存储领域的新产品，逐渐成为各大企业竞逐的焦点。据外媒消息报道，行业专家认为三星、美光等公司正大力推动DDR5内存普及，以此遏制半导体市场下滑的趋势。公开资料显示，DDR5 DRAM是联合电子设备工程委员会（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM规范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。据悉，为了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先进的DRAM单元技术节点，例如D1z或D1a (D1α)代，这是1
  • 关键字： 三星  美光  DDR5  

近800亿元？传台积电德国厂最快8月启动

  • 据彭博社引述知情人士消息报道称，台积电计划在德国设立晶圆厂。报道指出，台积电正计划携手恩智浦半导体、博世、英飞凌等成立合资企业，最多斥资100亿欧元（约合人民币764.29亿元）在德国萨克森邦设立晶圆生产工厂。部分人士表示，台积电最快8月通过德国设厂案，德国厂主要生产28nm芯片。不愿具名人士表示，上述合资企业预算至少70亿欧元。但尚未做出最终决定，方案仍可能出现变化。对此，台积电发言人高孟华说，该公司仍在评估欧洲设厂的可能性。恩智浦、博世、英飞凌、德国经济部发言人则婉拒置评。据悉，台积电如果成功在德国设
  • 关键字： 台积电  德国厂  

工信部：Q1集成电路产量722亿块，同比下降14.8%

  • 5月4日，工信部网站发布2023年一季度电子信息制造业运行情况。数据显示，一季度，我国电子信息制造业运行表现出4大特点：生产降幅收窄，出口持续下滑，效益有所改善，投资保持增长。其中，生产方面，一季度，规模以上电子信息制造业增加值同比下降1.1%，降幅较1~2月份收窄1.5个百分点。3月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长1.2%。主要产品中，手机产量3.31亿台，同比下降7%，其中智能手机产量2.39亿台，同比下降13.8%；微型计算机设备产量0.79亿台，同比下降22.5%；集成电路产量722亿块，
  • 关键字： 工信部  集成电路  产量  

晶圆代工景气是否复苏？

  • 随着半导体行业迈入下行周期，去库存成为行业发展当务之急。晶圆代工领域，库存调整情况如何？景气是否有复苏？近期，台积电、联电、世界先进等晶圆代工大厂相继召开业绩说明会，对上述问题进行了解答。台积电：库存去化较预期长，谨慎看待AI需求台积电总裁魏哲家表示，“在第一季度，7纳米及以下制程的库存消化慢于预期。”未来，台积电生产链库存去化时间将较原预期拉长。魏哲家指出，由于总体经济不佳且市场需求疲弱，库存去化恐到今年第三季才会结束。其进一步表示，受到库存调整持续的影响，不含存储器的半导体产业、晶圆代工产业以及台积电
  • 关键字： 晶圆代工  

英伟达的替代方案？微软资助AMD向AI芯片领域进军

  • 美东时间周四，据知情人士透露，微软正在与超威半导体(AMD)展开合作，资助后者向人工智能(AI)芯片领域扩张。这是微软多管齐下战略的一部分，目的是获得更多令人垂涎的人工智能部件。知情人士称，两家公司正在合作，以作为英伟达公司的替代方案。目前英伟达是全球人工智能芯片领域的主导者，市场上所使用的人工智能芯片几乎全部来自英伟达，而受制于产能的限制，英伟达的芯片时常短缺且价格昂贵。当前，微软正在为AMD提供资金支持，并与这家芯片制造商合作开发一款代号为雅典娜(Athena)的人工智能芯片。在ChatGPT等人工智
  • 关键字： 英伟达  微软  AMD  AI芯片  

NAND闪存主控芯片供应商2023年第1季财报出炉

  • 据中国台湾《经济日报》报道，全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技（SIMO）公布2023年第1季财报，营收1亿2407万美元，季减38%，年减49%，第1季毛利率42.3%，税后净利1116万美元。报道引述慧荣科技总经理苟嘉章表示，包括NAND大厂在内的主要客户，目前一致认为市况仍极具挑战。PC和智能手机终端市场持续呈现疲弱，上下游供应链皆将重心放在去化库存，包括消费级SSD和eMMC/UFS等嵌入式存储设备供应商，因此影响相关控制芯片的营收。苟嘉章认为，见到一些客户的下单模式从第2季开始有所改善，再加
  • 关键字： NAND  闪存  主控芯片  

BDD电极痕量重金属检测微弱电流采集电路的设计与实现

  • 基于BDD电极（掺硼金刚石薄膜电极）痕量环境地表水水质重金属检测，溶出过程产生的氧化电流极小且跨度极大，其中最小达到纳安级甚至是皮安级。因此，设计了一种高精度、低噪声、可编程增益的微弱电流采集电路，并将其应用于掺硼金刚石薄膜电极痕量镍离子检测中。实验测试结果表明，应用该微弱电流采集电路后，监测仪的精度、稳定性和抗噪能力都得到了很好的提升，可应用于环境地表水水质重金属检测领域。
  • 关键字： 202304  微弱电流采集电路  高精度  低噪声  可编程增益  掺硼金刚石薄膜电极  

凌华推出基于Intel处理器的无风扇嵌入式媒体播放器EMP-510

  • 先进的计算性能、多显示和紧凑的设计，无缝支持店内数据的可视化 摘要：•       多显示：支持四个独立的显示（FHD/4K/8K），用于媒体播放。•       卓越的边缘计算性能：先进的Intel® 处理器 (Tiger Lake-UP3)， 为物联网提供高性能。•       方便其考虑周全的设计：尺寸紧凑、丰富
  • 关键字： 凌华科技  Intel  无风扇  嵌入式媒体播放器  智能零售  

一种新型混合集成电路老炼温控装置设计

  • 介绍了一款新型混合集成电路老炼温控装置，通过固体交流继电器与温控器及加热器串联，用硅脂垫作为导热媒介对老炼装置进行热传递从而加温，在硅脂垫中间设有温度测量装置与温控器串联，同时，在加热器下方设有散热风扇，当温度过高时，通过温控器的设定，固体交流继电器熔断从而使加热器停止工作，同时散热风扇启动进行散热处理。
  • 关键字： 202304  集成电路  老炼  温控  

基于SSD202D的便携式投屏盒设计与实现

  • 设计了一款便携式投屏盒，支持横竖屏切换，主控采用星宸SSD202D，Wi-Fi采用星宸SSW105；支持 Miracast、display、Airplay等投屏协议，支持Windows、Android、鸿蒙、iOS、macOS等智能终端投屏；采用Type-C供电，HDMI输出，最大分辨率1080 P。
  • 关键字： 202304  无线投屏  SSD202D  便携式  横竖屏切换  Type-C  

提升用户器一体化设计体验 英飞凌力推XENSIV 连接传感器套件

  • 截至 2023 年全国“两会”，“数字经济”作为关键词已经第六次被写入政府工作报告，可见国家对数字经济的重视程度。现在，数字化已经融入到经济和生活的各个方面，可以说，“无数字，不经济”。我们看一组 2023 年第一季度发布的数字化政策。2023 年 1 月 3 日国家知识产权局发布《关于“专利业务办理系统”上线的通知》，决定于 2023 年 1 月 11 日开通“专利业务办理系统”......系统通过统一身份认证平台完善了用户注册信息的注册用户登录后，可以提交发明专利申请，电子接收专利局发出的各类通知书、
  • 关键字： 英飞凌  XENSIV  连接传感器  

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
  • 关键字： 3D NAND  
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