- 单片机作为一种微型计算机，其内部具有一定的存储单元(8031除外)，但由于其内部存储单元及端口有限，很多情况下难以满足实际需求。为此介绍一种新的扩展方法，将数据线与地址线合并使用，通过软件控制的方法实现数据线与地址线功能的分时转换，数据线不仅用于传送数据信号，还可作为地址线、控制线，用于传送地址信号和控制信号，从而实现单片机与存储器件的有效连接。以单片机片外256 KB数据存储空间的扩展为例，通过该扩展方法，仅用10个I／O端口便可实现，与传统的扩展方法相比，可节约8个I／O端口。
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存储器 扩展 数据 P0 单片机 基于 数字信号
- 在深入了解Flash存储器的基础上，采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第1、第2页内容，判断该块的好坏，并给出具体的实现过程，以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能，并通过读取ID号检测Flash的性能，同时该设计能够存储和读取1 GB数据。
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- 韩国半导体大厂海力士(Hynix)公布2010会计年度第1季 (2010年1~3月)财报，与2009年同期净损1.18兆韩元(约10.62亿美元)相比，海力士本季达成获利8,220亿韩元，比前季成长25%。营收则达2.82兆韩元，比2009年同期成长115%，亦比前季略增220亿韩元。
海力士营收稳定成长，主要受到存储器市场景气兴盛、DRAM出货量增加及存储器平均价格拉台刺激。
海力士表示，DRAM本季平均价格成长3%、出货量成长6%。NAND Flash平均价格虽下滑8%，然出货量持平。
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Hynix DRAM 存储器
- 存储器大厂三星电子(Samsung Electronics)器兴厂3月底甫发生停电事件，海力士(Hynix)位于韩国M10厂房21日亦出现停电意外，海力士宣称仅发生0.1秒瞬间电压下降，由于有不断电系统支应，并未造成任何损失，存储器业者则传出这次海力士实际停电时间是下午1~3点，长达2小时之久，尽管停电事件对于实际产出影响有限，然因目前DRAM市场供给严重吃紧，若韩系大厂再减少一些产能，恐怕将对PC厂出货造成冲击。
海力士位于韩国京畿道M10厂房在 21日下午传出突然停电事件，公司在第1时间出面
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Samsung 存储器 DRAM
- 英特尔(Intel)和美系记忆体大厂美光(Micron)所成立的合资企业IM Flash，为了赶上半导体业2010年牛气冲天的景气，决定让新加坡厂重启营运。
2005年英特尔和美光因看好NAND Flash市场，遂于2006年初合资成立IM Flash，由英特尔出钱出力，美光则提供技术，由IM Flash专门为这2家公司生产NAND Flash。但在半导体景气循环来到低点，再加上金融海啸的冲击下，IM Flash受到严重冲击，在2008年IM Flash裁员800人，花费35亿美元打造，本应于2
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三星电子 NAND Flash
- 据路透(Reuters)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)表示，正在考虑为2007年释出的5.83亿美元可转换债券进行再融资，该批可转换债券原定2010年5月可提前赎回。
海力士尚未决定再融资的方式及时间细节，且尚未决定要由哪里家银行经手。韩国媒体则点名摩根大通 (JP Morgan)、高盛(Goldman Sachs)、瑞士信贷银行(Credit Suisse)、美林证券(Merrill Lynch)及苏格兰皇家银行(Royal Bank of Scotland)可能为经手商。
海
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海力士 存储器
- 编者点评(莫大康 SEMI China顾问)：山东要建12英寸，取名华芯，己经有一个班底，而且兼并了奇梦达科技西安有限公司，成立了一流的动态存储器芯片设计开发团队，其注册资金3亿元等。山东对于存储器有想法是值得赞颂。然而看存储器业的规律，不是肯投资就能成功，如台湾地区己累计投资达300亿美元,使得台湾地区的12英寸产能为月产50万片(08年Q2时,全球存储器最大产出时为每季140万片),与韩国一样多。然而在全球存储器的市场份额中(依销售额计)却远低于韩国,大约比例为45%;15%，差3倍。所以除了投资
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集成电路 存储器 封装
- 按Information Network总裁Robert Casterllano的说法,2009年存储器芯片向铜互连工艺过渡开始热了起来，由此虽然2009年整个半导体设备市场下降超过40%以上, 而与铜互连直接相关连的设备仅下降8.7%。
在2006未Micron技术公司首先在DRAM产品制造中采用铜工艺代替铝。一年之后Elpida跟进。之后所有的存储器制造商, 以三星为首都对于存储器生产线进行升级改造, 导入铜工艺。因此影响了2009年铜淀积设备和材料的市场。公司认为此种趋势将影响半导体设备市
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三星 存储器 DRAM
- 近日，NEC宣布将与美国Netezza公司共同开发数据仓库(DWH)应用系统，该产品对基干系统的大量数据进行存储、分析，为企业提供决策支持。
Netezza公司是最早开发DWH应用系统的厂商，凭借其产品的优秀管理性能和易用性赢得了市场的认可，成为商业智能(BI)/DWH领域的领先公司。目前Netezza公司已经赢得了众多客户，来自于通信业、金融业、零售业、制药业、政府机关等诸多行业。
此次，由两家公司共同开发的产品，由组成DWH的最基本要素，数据库・软件、服务器、存储器构成。该产品通过Ne
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NEC 服务器 存储器 数据仓库应用系统
- NIOS II的SOPC中存储器型外设接口的设计,0 引言
随着微电子设计技术与工艺的发展，数字集成电路由最初的电子管、晶体管逐步发展成专用集成电路(ASIC，Application Specific IntegratedCircuit)，同时可编程逻辑器件也取得了长足进步。
如今，可完成超
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接口 设计 外设 存储器 II SOPC NIOS
- 台DRAM产业大吹减资风，继2009年第3季南亚科完成减资66%，力晶12日宣布减资38%，减资后净值6.9元，预期以力晶目前获利能力，第3季底完成减资后，净值可望提升至10元以上，而下一个可能减资的DRAM厂将是茂德，预计在股东会提出减资计画机率相当高，届时台湾3家DRAM 厂减资金额合计超过新台币1,000亿元，成为台湾DRAM产业史上最大规模集体瘦身运动。
2010年全球DRAM产业景气大好，各厂纷掌握此机会办理减资以获得重生，继南亚科2009年完成66%减资计画后，力晶12日董事会亦通过
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力晶 DRAM 存储器
- 摘要：为避免在程序运行时向单片机内置的Flash写入数据导致复位，采用调用锁定与关键码的操作方法对C2805lF35X型单片机的Flash进行擦除、写入和读取操作，并提供程序范例。该方法无需任何接口电路，使用方便，成本低
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擦写 方法 存储器 Flash 单片机 内部 C8051F35X
- 2010年DRAM货源持续短缺，由于Windows 7换机潮驱动下，PC大厂DRAM采购规模持续扩大，排挤到存储器模块厂的货源，为进一步确保与DRAM厂间的合作关系，且彼此拉进距离，日前创见董事会同意贷款给力晶新台币15亿元，同时以瑞晶股票作担保品，并依债权的100%设定质权予创见。
过去DRAM价格崩盘之时，也常出现存储器模块厂金援上游厂的例子，彼此互相协助来共度难关，以往模块厂常以预付货款的方式，协助DRAM厂买原物料生产，再以专款专用方式来确保产能回销给模块厂。
创见指出，这次贷款给
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力晶 存储器 DRAM
- Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现, Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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系统 实现 DSP 管理 Flash 存储 Nand
- 半导体业间的兼并不可避免似乎己被广泛地接受，如近期由日立和三菱半导体部组成的瑞萨，又与NEC合并组成新的瑞萨及AMD兼并ATI等。本文认为兼并发生在各个方面, 未来可能更会加剧。
但是Mentor的市场分析师Merlyr Brunken的看法认为截止今日实际上看到的情况正好相反。如自1960年以来半导体业已经减缓分散性, 如全球首位芯片供应商是英特尔, 它的市场份额近13%几乎没有改变, 尽管35年前全球首位是德仪, 后来的NEC, 但是当时它们的市场份额几乎也在13%左右，变化并不大。
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闪速(flash)存储器介绍
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