- 据台湾内存厂商透露，由于自今年初以来，内存的价格经历了重大下挫，所以这些内存厂商已经开始将目光投在闪存市场上，其中茂德科技(ProMOS Technologies)已经设立了一家NAND闪存存储卡封装合资厂，而华邦(Winbond)则收购了一家NOR闪存设计企业。 据茂德总裁陈民良透露，他们已经投资245万美元于上海开办了一家合资企业，看中的就是大陆手机和数码相机市场对存储卡的巨大需求。茂德在此合资企业中的股份是49%，
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内存 存储器
- 近年来NAND型Flash应用需求发烧，从随身碟、记忆卡、MP3，直到最近手机上使用的小型记忆卡，应用范围不断延伸，内存模块厂莫不全力抢攻NAND型Flash应用产品市场的市场占有率，因此各家模块厂和NAND型Flash控制芯片设计公司的关系可谓是越来越紧密，其中更不乏模块厂自掏腰包来投资NAND型Flash设计公司。 随着储存应用热潮蔓延，不论是读卡机、随身碟或是小型记忆卡等，近几年增长道惊人，过去消费性电子产品市场对随身碟的需求是从无到有、再到蓬勃发
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Flash 模块
- DRAM厂商第2季财报恐多出现赤字，早盘股价纷纷拉回修正，盘中力晶、南科、茂德跌幅均超过1%以上，茂硅一度跌停。 据港台媒体报道，DRAM 价格第 2 季处于低档，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)会计盈转亏，税后亏损 1.28 亿美元、每股亏损 0.2&nbs
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DRAM 存储器
- DRAM制造业巨头调换产能抢攻NAND型闪存市场的效应正在快速扩散，那就是内存芯片正面临缺货危机。三星、Hynix以及我国台湾的力晶纷纷实施或宣布了将产能转调入闪存生产的消息后，内存模块制造商即将进入长达数个月的供货“枯水期”。 内存模块制造业人士称，原本DRAM芯片供货量仅受三星转换产能影响，还没有明显感受到货源不足压力，但从7月起，Hynix也将转换产能生产闪存，在2大DRAM芯片制造商双双转换
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三星 存储器
- 超微（AMD）自从4月发出打算将旗下快闪内存（Flash）部门公开上市，以Spansion之名向美国证管会提出IPO申请后，华尔街分析师认为，近来美国半导体类股市场不佳，Spansion恐怕无法募得足够资金，在市场不看好声中，传出超微有可能递延IPO消息。 据港台媒体报道，超微执行官Hector Ruiz在2005年初就直言对Flash事业营运很不满意，不仅销售额衰退，连续2季营运亏损，2004年第四季（Q4）与2005年Q1分别亏
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AMD 存储器
- 三星公司的CEO兼总裁黄昌圭(HwangChang-gyu)指出，计算机内存芯片价格在下滑40%之后，有望趋于稳定。 今年第二季度，全球芯片制造商超负荷生产，导致了DRAM的价格下降，这对三星第二财季的利润也产生了影响。黄昌圭称：“到现在为止，DRAM的价格下降了40%。今后，价格会趋于稳定。” 三星表示，DRAM制造商开始由生产低价的DRAM向闪存芯片过渡，闪存芯片主要用于数码相机、移动手机和音乐播放器等产品中。同时，由于业内向下一代芯
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三星 存储器
- 硬盘手机将成主流之时，随着手机用户在手机上存储的信息日益增多，业者认为硬盘将成为“必需品”。硬盘手机一旦进入“黄金时代”之时，元件市场也将随之又蕴商机。 据悉，数年来，硬盘厂商一直在为iPod的成功而欢欣鼓舞。iPod以及其它MP3播放机已经使得微型硬盘的销售达到了一个新的高峰。之后手机厂商积极将微型硬盘用于新款手机产品中，业内不断听到新的好消息：三星、诺基亚新出品的手机将集成有硬盘。与以前只能在闪存中存储数首歌曲的手机不同，这些手机的
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存储器
- Crolles2联盟在京都VLSI研讨会上宣布的论文，为未来的低成本、低功耗、高密度消费电路采用超小制程尺寸又添新选择日本京都 (2005年 VLSI 研讨会) ， 2005年6月15日 - Crolles2联盟今天宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文*，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体(NYSE: FSL, FSL.B)、飞利浦(NYSE: PHG, AEX: PH
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飞利浦 飞思卡尔 意法 存储器
- 采用45纳米低成本低功率普通CMOS体效应技术
Crolles2联盟在京都VLSI研讨会上宣布的论文，为未来的低成本、低功耗、高密度消费电路采用超小制程尺寸又添新选择
日本京都 (2005年 VLSI 研讨会) ， 2005年6月15日 – Crolles2联盟今天宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文*，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。
Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体(NYSE: F
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- 全球领先的内存产品供应商英飞凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）近日宣布，该公司已向PC业界领先开发商提供了业界首款DDR3 （双数据速率3 ）内存模组。这标志着英飞凌已置身于新一代内存产品的开发前沿，新一代内存产品的速度将是现有最高速内存产品的两倍。第一批配备DDR3内存的计算机系统有望在2006年年底问世。“DDR3 是满足未来移动性、数字家庭和数字企业应用需求的首选技术。在全球范围内率先推出DDR3内存模组，这进一步彰显了英飞凌在内存产品与技术创新领域的领先地位，” 英飞凌公司内存产品部计算产品总
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英飞凌 存储器
- Oxford半导体公司 (Oxford Semiconductor) 将成为业界首个桥接芯片公司，为外部存储器制造商提供全系列的SATA磁盘接口解决方案。在2005年第二季推出的 “92X” 系列产品包括五款新型SATA桥接芯片，拥有多项创新技术，所支持的接口标准包括USB2.0、FireWire400、FireWire800以及首次支持的External SATA。Oxford半导体的SATA桥接芯片将协助硬盘制造商生产出备有多种接口的外部存储产品，且能共享通用的软件和硬件平台。该产品也是业界首个提供双
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Oxford 存储器
- 6月16日消息 据消息来源称，年底前三星电子和现代半导体公司DRAM初制晶圆(wafer starts)计划产量将分别下降15%和20%，同时他们将把更多的产能调整到NAND闪存生产上来。 消息来源称，三星自今年初就一直在降低它的DRAM产量，现在预计2005年其DRAM初制晶圆计划中的产量将降低15%。 此外，消息来源称，现代半导体已通知它的客户，自5月至年底，它的DRAM初制晶圆计划产量将降低20%，并加大NAND的产能。 据市场调研
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- 内存大厂Infineon已经向Intel提供可以工作的DDR3原型芯片，但是对于容量等细节Infineon守口如瓶。 一位Infineon发言人在本周一表示公司已经开始向Intel提供DDR3芯片，但是他没有透漏内存容量，只是说该芯片并不完全满足JEDEC要求。同时他确认Infineon将在2006年下半年开始大批出样DDR3。但是全面量产估计要到2006年底。DDR3芯片刚开始出样时将采用90nm工艺，之
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英飞凌 存储器
- Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品 ---- FM20L08。此型号的操作电压为3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封装。FM20L08 是 Ramtron 目前生产的容量最大的铁电存储器，可以对其进行无限次的读写操作。该型号是专门设计用来替换标准异步静态随机存储器的 (Standard asynchronous SRAM)。同时，这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数据系统，如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用
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Ramtron 存储器
- 当地时间周一市场调查公司IDC发布报告称，今年第一季度全球存储软件市场所有主要的企业都出现增长，其中Network Appliance和EMC公司分别以61.1%和17.9%的增长幅度高居前2位。 该机构将今年的数字与去年同期进行比较，整个存储软件市场增长14.9%达到21亿美元.IDC存储软件部门经理Rhoda Phillips在声明中称，客户在数据保护、存储资源管理上支出持续增长，是今年头一季度呈现积极态势的主要原因.与数据
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IDC 存储器
闪速(flash)存储器介绍
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