- 摘 要：本文介绍了一种以TMS320C54x为核心的移动存储终端，终端中使用NAND Flash作为存储器件。讨论了TMS320C54x对NAND Flash的编程以及接口设计。关键词：DSP；NAND；Flash
引言移动存储终端包括手机、掌上电脑、PDA和数码相机等手持设备及各种信息家电。在这类产品中既要结合存储功能，又需要具备一定的信号处理能力，因此基于DSP芯片的设计方案成为这些产品的主流方案。同时，为了降低产品成本，采用具有较高容量/价格比的NAND Fla
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DSP Flash NAND 存储器
- 按惯例，设计人员总把SRAM 作为其最基本的形式，即单端口、单时钟域器件。在需要更高性能时，设计人员通常会选择更高的时钟频率和更宽的总线。尽管这样可以显著提高 SRAM 性能，但却并不是唯一的方法。我们也可以开发用于先进通信系统的存储器，这就将工作重点转向了带宽，而不是时钟频率。存储器带宽的定义为：给定时间内可通过器件访问的数据量。通常单位为Mbps乃至极高性能存储器的Gbps。带宽的主要组成部分为 I/O 速度、接入端口宽度以及存储器可用的接入端口数量。用以下简单的方程式可计算出带宽：带宽=I/O速度
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SRAM 存储器
- 摘 要：本文对高速、高精度大容量数据采集板卡所采用的SDRAM控制器技术进行了讨论，详细介绍了基于FPGA的SDRAM控制器的设计、命令组合以及设计仿真时序，并将该技术应用于基于PCI总线的100MHz单通道 AD9432高速大容量数据采集板卡，最后给出了板卡测试结果。关键词：SDRAM；FPGA；AD9432
引言高速数据采集具有系统数据吞吐率高的特点，要求系统在短时间内能够传输并存储采集结果。因此，采集数据的快速存储能力和容量是制约加快系统速度和容许采集时间的主要因素之一。通常用于数据采
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AD9432 FPGA SDRAM 存储器
- 根据彭博资讯(Bloomberg)，证券业者花旗集团旗下半导体分析师，宣布将DRAM业者包括美光集团科技(Micron)、英飞凌(Infineon)与南亚科技等的股票投资评等调高，理由是认为DRAM价格下跌的状态将开始减缓。 据了解，花旗将Infineon和南亚科技的评等由“持有”调高至“买进”，Micron和茂德(PronMOS)则由“卖出”调高至“持有”，韩国三星电子评等维持不变在“持有”。分析师指出，价格可能在下个月或其后一个约触底，而全球
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DRAM 存储器
- 软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如，如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓冲器或后置解压缩重放缓冲器，则一个偶然出现的缺陷位可能不会被察觉，而且对用户而言也许并不重要。然而，当存储元件在关键任务应用中负责控制系统的功能时，软误差的不良影响就会严重得多，不仅会损坏数据，而且还有可能导致功能缺失和关键系统故障。本文将讨论产生这些软误差的根源、不同的测量技术以及抵御
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赛普拉斯 存储器
- 引言当前电子设计的趋势是复合功能化以及更广泛地使用模拟、数字混合技术。在设计、建模和测试诸如3G手机及机顶盒等混合了视频、音频及数据信号的系统时，需要紧密集成与基频采样频率、失真和触发特性相匹配的数字及模拟数据采集和发生硬件。模拟及数字仪器不再是具有完全相异的定时引擎和不匹配模拟性能的独立系统。另外，随着这些具有类似时钟的设备在全球范围内广泛地制造，产品必须在极宽的温度范围内具有稳定性和性能一致性，以便进行可靠的、高性能的功能测试。NI设计的同步及存储磁心(SMC)作为一种针对高速模块化仪器的通用结构回应
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NI 存储器
- 意法半导体(ST)公布的一项新技术rSRAM，完全可以消除近年来不断困扰电子设备制造商的 “软错误”难题。由于该技术对标准SRAM存储单元的改进方法是在单元结构内以垂直方式增装附加电容器，因此，芯片面积以及制造成本都不会受到较大的影响。www.st.com
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ST 存储器
- 4月28日，意法半导体(STMicro)与韩国现代半导体(Hynix)在无锡举行了奠基典礼，在中国建设首家存储器芯片前端制造厂。合资厂计划总投资20亿美元，将制造DRAM存储器和NAND闪存芯片。
点评
与前几年的建线热相比，2005年我国IC制造领域冷清了许多。这一方面是受到全球半导体市场回升缓慢的影响，另一方面也是主流晶圆制造厂商在为下一步的发展在资金和工艺等方面进行积累和蓄势。而在集成电路制造业方面也有一些利好的消息，有媒体报道称，台湾厂商在祖国大陆投资建设晶圆厂的限制将进一步放宽，
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ST 存储器 Hynix
- 摘 要：本文根据FPGA器件的特点，介绍了应用FPGA设计某通信设备中PCM码流处理模块的一种方案。并就设计中遇到的问题进行了分析。关键词：FPGA；RAM引言由于FPGA器件可实现所有数字电路功能 ，具有结构灵活、设计周期短、硬件密度高和性能好等优点，在高速信号处理领域显示出愈来愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技术对PCM码流进行处理的实现方法。变换后的数据写入RAM，与DSP配合可完成复杂的信号处理功能。设计方案某新型通信设备中，在完成调度功能的板子上，需要进行
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FPGA RAM 存储器
- 摘 要：本文介绍了基于SmartRF CC1010芯片的微型无线数据收发模块的设计，给出了采用CC1010芯片设计微型无线数据收发模块的设计方案，并提出了在PCB板制作过程中应注意的问题。关键词：SmartRF CC1010；8051内核；Flash引言无线射频传输主要应用于家庭自动化控制、工业系统控制、自动仪表检测系统、安防报警系统、计算机网络控制以及掌上PDA无线数据通信方面。CC1010是根据SmartRF技术，在0.35mm CMOS工艺下研制出的一种理想的超高
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8051内核 Flash SmartRF CC1010 模块
- 市场调查机构iSuppli日前公布了2004年全球独立（第三方）内存模组厂排名，金士顿（Kingston）继续蝉联宝座，我国台湾省的威刚（A-DATA）迅速崛起，以91％的营业额成长率超越美光（Micron）旗下独立内存模组厂Crucial Technology，成为全球第三大模组厂，今年更有机会挑战亚军地位。 在iSuppli公布的2004年全球独立内存模组厂排名中，前10位的依次为：金士顿、Modular&
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威刚 存储器
- 摘 要：本文在简要介绍SyncFlash(同步Flash)存储器的基础上，着重叙述了SyncFlash在基于ARM体系微处理器的嵌入式系统中的应用，并介绍了采用SyncFlash设计嵌入系统的优势。关键词：SyncFlash；SDRAM；ARM微处理器；嵌入式系统
随着嵌入式处理器的迅速发展，32位RISC处理器的应用越来越广泛，许多基于ARM核的微处理器都集成了SDRAM控制器。应用系统中一般都是采用SDRAM存储器作内存、NOR Flash作程序存储
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ARM微处理器 SDRAM SyncFlash 嵌入式系统 存储器
- 为了满足用户对手机更多服务的需求，服务提供商不断推陈出新，促使仅具通话功能的传统手机向同时具有语音和数据功能的新型手机转换。向数据通信功能的转变将直接影响手机中的硬件结构。目前，2.5G 和3G手机已经能够提供更多的功能，诸如SMS(短信息服务)、MMS(多媒体信息服务)、图象传送、音频/视频流和因特网接入等。随着密度更高、能耗更低、吞吐量更大的存储器的涌现，应用在手机上的存储器也随之变化。对数据处理容量需求的增大，使得现有的基带控制器和存储器难以满足要求。除此之外，电池的使用寿命是移动电话当中的一个更为
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Cypress 存储器
- SRAM一直是网络应用的重要组成部分，它可提高带宽，从而在许多高性能应用中起着主导作用。这些应用包括无总线时延 (NoBL)和四倍数据速率 (QDR) 等。就系统资源及内存带宽要求而论，分组处理对内存带宽的要求最高。分组处理块内部的多个功能以及其它存储功能要求采用不同的 SRAM 架构。因此需要采用支持 SRAM 的新型协议及架构，以满足这些网络系统的需求。本文重点介绍针对网络应用提供的高级 SRAM 架构。此外，还介绍了如何区分采用不同 SRAM 架构的各种应用以及促使用户选择 SRAM 的标准。
网
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SRAM 存储器
- 摘 要：本文根据系统需要，在信号处理机和工控机之间使用双口SRAM，利用ADSP-21062的可编程FLAG引脚控制双口SRAM的左右端口高位地址，设计了高速数据交换电路。关键词：PC104；双口SRAM；数据交换；CPLD
ADSP-21062是ADI公司的通用DSP芯片，它具有强大的浮点/定点数据运算能力和很高的处理速度。多片ADSP-21062可以以多种形式方便地联结成并行处理器系统，适合进行实时数据采集和处理。本文利用多片ADSP-21062设计了连续波雷达信
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CPLD PC104 数据交换 双口SRAM 存储器
闪速(flash)存储器介绍
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