财联社4月14日电，财联社记者于4月14日走访深圳华强北市场了解到，目前多家档口针对CPU、显卡等热门芯片的报价已经暂停，且多家档口关门歇业。图为华强电子世界 财联社记者摄“现在都在观望，封库存了，大家担心价格会暴涨暴跌。”谈及美国关税调整后的影响，一名档口老板告诉财联社记者。此外，记者从多家国产芯片厂商处获悉，关税变化后客户咨询变多。“涉及到美国原产地的产品，已经有下游客户开始跟我们沟通（国产）替代的可行性了。”一名上市分销企业高管告诉记者。（财联社记者 王碧微 付静）
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4月15日消息，当地时间周日，特朗普政府宣布计划对半导体相关进口产品加征关税。次日，英伟达立即公布了最新战略计划：将在美国得克萨斯州与代工厂商合作，生产用于支持人工智能技术的超级计算机。不过，英伟达的这则消息究竟有多少真正"新意"？也引发了部分分析人士的质疑。这是该公司首度公开披露将在得州制造人工智能超级计算机的计划，旨在响应美国政府推动半导体产业链“回流”的政策号召。作为当下全球AI浪潮中的最大受益者，英伟达承诺未来几年将在美投入令人瞠目的5000亿美元。该计划在规模与定位上，与苹果
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4月15日消息，美国时间周一，特朗普政府发布公告，宣布正式启动对药品和半导体进口的调查，旨在以国家安全为由对这两个行业加征关税。相关文件将在周三发布，特朗普政府还宣布，自文件发布之日起21天为公众意见征询期，表明特朗普政府计划根据《1962年贸易扩展法》第232条的授权来推进这些关税。这类调查需要在启动后270天内完成。特朗普政府已针对铜材和木材进口启动了类似调查，其首个任期内完成的调查，为今年1月再次就职后对钢铁、铝材及汽车行业加征关税提供了依据。美国自4月5日起开始对进口商品征收10%的关税。药品和半
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4月12日消息，三星原计划为Galaxy S25系列搭载自主研发的3nm芯片Exynos 2500，但由于三星代工部门的3nm良率未达标，Galaxy S25系列不得不全系采用高通骁龙8 Elite SoC。如今，三星押注下一代旗舰平台Exynos 2600，这颗芯片首发采用三星2nm工艺制程。据媒体报道，三星2nm工艺制程良率已达40%，预计在今年11月正式启动Exynos 2600的量产工作，Galaxy S26系列将会全球首发Exynos 2600。值得注意的是，芯片制造商通常需达到70%-80%的
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4月9日，美国总统特朗普在共和党全国委员会活动上自爆曾威胁台积电，若不继续在美国投资建厂，其产品进入美国将面临高达100%的关税。特朗普还批评拜登政府此前为台积电亚利桑那州工厂提供66亿美元补贴，主张通过税收威胁而非财政激励推动制造业回流。10亿美元罚款？据路透社援引知情人士透露，台积电可能面临10亿美元或更高的罚款，作为美国对其生产的芯片的出口管制调查结果。台积电被指控通过第三方为中国大陆科技企业代工生产近300万颗AI芯片，而根据美国出口管制条例，违规交易最高可被处以交易金额两倍的罚款。台积电在一份声
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4月10日消息，据报道，在本周的Cloud Next大会上，Google发布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副总裁Amin Vahdat表示：Ironwood是我们迄今为止功能最强大、性能最强、最节能的 TPU。它专为大规模支持思考和推理AI模型而设计。首先在计算性能上，Ironwood实现4614 TFLOP的峰值算力，配备192GB专用RAM和7.4Tbps超高带宽，确保数据高速传输。其次，芯片间互连(ICI)带宽提升至1.2Tbps，较前代提升50%，大幅
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2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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上周三，美国总统特朗普宣布对进口商品征收全面关税；随后周五，中国政府宣布对美国采取反制措施，对所有美国进口的商品加征34%的关税。
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如果你需要将电子从这里移动到那里，你可以求助于铜。这种常见元素是一种极好的导体，很容易制成电线和电路板走线。但是，当你变小时，情况就会发生变化：在纳米尺度上真的非常小。相同的铜显示出越来越大的电阻，这意味着更多的电信号会因热量而损失。为更小、更密集的设备供电可能需要更多的能量，这与您想要的微型电子设备正好相反。斯坦福大学的研究人员在 Eric Pop 实验室由 Asir Intisar Khan 领导，一直在试验一种按比例缩小到约 1.5 纳米厚度的新型薄膜。他们发现，随着这
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3月24日消息，近日，英伟达首席执行官黄仁勋表示，英伟达计划在未来四年内斥资数千亿美元采购美国制造的芯片和电子产品。英伟达设计的最新芯片以及用于数据中心的英伟达驱动服务器，现在可于台积电和鸿海在美国运营的工厂生产。黄仁勋称，“总体而言，在未来四年里，我们将采购总额可能达到5000亿美元的电子产品。我认为我们可以很容易地看到，我们在美国制造了数千亿个这样的产品。”黄仁勋还表示，英伟达正与台积电、富士康等公司合作，将制造业务转移到美国本土。黄仁勋称，此举将增强供应链韧性。对于市场传闻的“英伟达可能投资英特尔”
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英伟达CEO黄仁勋最新表示，中国人工智能企业DeepSeek发布的R1模型只会增加对计算基础设施的需求，因此，担忧“芯片需求可能减少”是毫无根据的。当地时间周三（3月19日），黄仁勋在GTC大会与分析师和投资者会面时表示，外界先前对“R1可能减少芯片需求”的理解是完全错误的，未来的计算需求甚至会变得要高得多。今年1月时， DeepSeek发布的R1模型引发了市场轰动，该模型开发时间仅两个月，成本不到600万美元，仅用约2000枚英伟达芯片，但R1在关键领域的表现能媲美OpenAI的最强推理模型o1。这导致
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3 月 19 日消息，惠普在其 Amplify Conference 2025
会议上宣布推出首批可抵御量子计算机密码破译攻击的打印机产品，包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono
MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型号。惠普表示这些打印机均采用量子弹性设计，搭载了采用抗量子加密技术设计的新型 ASIC，该芯片增强了打印机的安全性和可管理性，能防止针对 BIOS 和固件的量子攻击，并支持固件数字签名验证。此外这些
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3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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台积电扩大投资美国千亿美元（约新台币3.3兆）未来将兴建3座晶圆厂、2座先进封装厂及1座研发中心，从研发到制造全面布局。 英特尔前CEO基辛格（Pat Gelsinger）近日再度公开喊话，重建半导体供应链应该敦促供应链移往美国，并对芯片课关税。综合外媒报导，基辛格对于台积电扩大投资美国持正面态度，他称赞台积电很棒，但台积电在美国没有研发中心（R&D）且拥有研发能力相当关键，长期创新与研发将带领任何产业往前迈进。另一方面，基辛格又暗示地缘政治风险，基辛格表示：「据波士顿顾问公司BCG的研究，中国台
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3 月 11 日消息，据 ZDNet Korea 今日报道，三星电子 11 日的业务报告称，三星电子第四代 4 纳米工艺（SF4X）已于去年 11 月开始量产。由于该工艺专注于人工智能等高性能计算（HPC）领域，预计将在三星代工业务的复苏中发挥关键作用。三星第一代 4 纳米于 2021 年量产。图源：三星电子据了解，与前几代相比，三星的第四代 4 纳米芯片采用了先进的后端连线（BEOL）技术，能够显著提升芯片的整体性能，同时降低制造成本。此外，该芯片还配备了高速晶体管，还支持 2.5D 和 3D 等下一代
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