- 针对不久前结束的哥本哈根会议，中国政府出台了具体的量化政策，“到2020年我国单位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同时，2010年是“十一五”的最后一年，单位GDP能耗降低20%的目标也需要实现。在“节能减排”政策的量化、“十一五”的最后冲刺加上可再生新能源应用不断发展、智能电网的持续建设、混合动力和电动汽车市场的刺激等若干利好因素的共同作用下， 2010年将成为电力电子行业
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慕尼黑上海电子展 可再生能源 IGBT
- 随着绿色电力运动势头不减，包括家电、照明和电动工具等应用，以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点。为了有效地满足这些产品的需求，电源设计师正通过最少数量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太阳能源转换成所需的交流或者直流电压。
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太阳能 逆变器 高效率 造就 电压 IGBT 优化
- 英飞凌科技股份公司今天宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。
通过广泛的半导体技术专利交叉许可，双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议，飞兆半导体将向英飞凌支付许可费，但协议的具体条款和条件保密。
英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院，双方已经达成和解，并将申请撤诉。
作为半导体行业的全球领袖，英飞凌目前正
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英飞凌 MOSFET IGBT
- 新型电力半导体器件的代表，IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才，我国都处于全方位的落后状态。应当认识到，电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要，因此，政府应该对IGBT产业予以大力扶持。
众所周知，电力电子技术可以提高用电效率，改善用电质量，是节省能源的王牌技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件，它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件，
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器件 IGBT 封装 测试 MOSFET
- 这是一个结果尚不明朗的赌注，巴菲特和王传福站在一边，巴菲特已经赌赢了，但是王传福暂时还没有。
初冬的傍晚天黑得早，宁波北仑港保税港区的比亚迪(73.4,-0.70,-0.95%,经济通实时行情)宁波半导体公司(原宁波中纬)依旧冒着腾腾的热气，公司墙上贴满了新员工的名字，由于人数众多，许多人还来不及办理入厂证件。大批身穿比亚迪厂服的员工走出工厂大门，投入茫茫夜色，这里有许多来自深圳的年轻工程师，他们正试图适应在宁波度过的第一个寒冷冬天。
这些员工身上，承载着王传福的野心和梦想。“
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比亚迪 IGBT
- 过去，人们常把集成电路比作电子系统的大脑，而把功率半导体器件比作四肢，因为集成电路的作用是接受和处理信息，而功率器件则根据这些信息指令产生控制功率，去驱动相关电机进行所需的工作。如今，新型功率半导体器件如MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)及功率集成电路应用逐渐普及，其为信息系统提供电源的功能也越来越引人注目。功率半导体器件在电子系统中的地位已不仅限于“四肢”，而是为整个系统“供血”的“心脏&rdq
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- IGBT以其输入阻抗高，开关速度快，通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件，但在它的使用过程中，精确测量导通延迟时间，目前还存在不少困难。在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上，利用其优良的特性，设计一套高精度的IGBT导通延迟时间的测量系统，所测时间间隔通过液晶显示器直接读取，是一套较为理想的测量方案。
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IGBT 导通 精确测量 方法
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。
AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代场截止沟槽技术，大幅度降低了传导和开关损耗。此外，这款新器件的焊前金属可实现双面冷却，提高了散热性能，
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- 9月8日，随着第一批高压大功率晶闸管正式投片，国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。
为满足国民经济发展的急切需求，打破国外公司的市场垄断，推动大功率半导体产业上水平、上规模，中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司(南车时代电气)依托公司良好的技术基础，总投资近3.5亿元，于2006年年底启动大功率半导体器件研发及产业化基地的建设，历经22个月后实现正式投产。
位于湖南株洲的生产基地总面积超2万平方米，部分净化级别达到了100级，由于产品对生产环境的要求极其苛刻
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半导体器件 IGBT 二极管
- 中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地近日在湖南株洲正式投产。长期以来，高端半导体器件技术和市场一直被国外垄断，该基地的投产运行将加速推动国产化大功率半导体器件产业化进程。
大尺寸功率半导体器件(晶闸管、IGBT、IGCT均属于大尺寸功率半导体器件)是变流器的关键元件，被誉为电力电子产品的“CPU”，广泛用于轨道交通、电力(高压直流输电、风力发电)、化工、冶炼等领域。长期以来，国内高端半导体器件技术和产品主要依靠进口，价格昂贵，严重制约民族工业的快速发展。
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半导体 晶闸管 IGBT
- 从普通串级调速原理入手，简要分析影响串级调速系统功率因数的主要因素。对三相四线双晶闸管串级调速、新型GTO串级调速等高功率方案分析与比较的基础上，提出了一种新型三相四线制双IGBT串级调速控制方案。
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IGBT 斩波 串级调速 系统
- 英飞凌科技股份公司在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一的宝座。据IMS Research公司2009年发布的《功率半导体分立器件和模块全球市场》报告称，2008年，此类器件的全球市场增长了1.5%，增至139.6亿美元(2007年为137.6亿美元)，而英飞凌的增长率高达7.8%。现在，英飞凌在该市场上占据了10.2%的份额，其最接近的竞争对手份额为6.8%。在欧洲、中东和非洲地区以及美洲，英飞凌也继续独占鳌头，分别占据了22.8%和11.2%的市场份额。
随着汽车、消费和工
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英飞凌 IGBT MOSFET
- 经济领域有两大活跃因子：技术与资本。走进凤凰半导体科技有限公司，你可以感受到这两大活跃因子结合后迸发出的强劲效应。这家注册于2008年7月的“530”企业，一期工厂已开始安装设备。今年9月正式投产后,其生产的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片将填补国内空白，告别同类产品依赖进口的局面。
刚满“周岁”的凤凰半导体就将进入产业化阶段,其速度令人惊奇，但在总经理屈志军看来,这一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士团队拥有国际一流技术;二是拥有
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