全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出适用于DC-DC节能汽车应用的 AUIRS2191S 600V 驱动 IC 和 AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 。
新器件具有非常快的开关速度和高功率密度，非常适合高频 DC-DC 应用，包括用于电动汽车和混合动力电动汽车的高功率 DC-DC 开关电源 (SMPS) 转换器。
AUIRS2191S
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IR IGBT
在全球的绿色能源发展趋势下，越来越多的家用电器、照明设备、电动工具、不间断电源系统(UPS)以及其它工业设备开始采用太阳能供电，将太阳能量转换为所需的交流(AC)或直流(DC)电压。 为高效率地产生这些设备所需
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太阳能 逆变器 设计 500W 开关 IGBT 作为 功率 采用
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
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IGBT 栅极电阻 开关特性 分析
据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管(IGBT)等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。因此高压变频器厂商对电力电子元器件行业的关注从来没有放松过。2010年，他们发现国家对于电力电子元器件的重视程度也越来越高。
2010年3月19日，国家发改委办公厅发布《关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，明确指出将组织实施新型电力电子器件产业化专项，以大力推进新型电力电子器件产业发展，努力掌握自主知识产权的芯片和器件的设计
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高压变频器 IGBT
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计，包括马达驱动、不间断电源系统 (UPS)、太阳能逆变器和焊接。
IR全新的IGBT在线选择工具能评估总线电压、开关频率和短路保护要求等应用条件。新在线工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供预估损耗，还可以建议一些能够在给定限制条件内运行的器件。该工具还为每个零件提供了定价，使设计人员能够考虑有关器件的选择对系统
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IR IGBT
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计，包括马达驱动、不间断电源系统 (UPS)、太阳能逆变器和焊接。
IR全新的IGBT在线选择工具能评估总线电压、开关频率和短路保护要求等应用条件。新在线工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供预估损耗，还可以建议一些能够在给定限制条件内运行的器件。该工具还为每个零件提供了定价，使设计人员能够考虑有关器件的选择对系统
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IR IGBT
士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。
士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《关于控股子公司组建功率模块生产线项目的议案》。
多芯片高压功率模块组件因其具有较高的功率密度和可靠性、较高的集成度、安装使用便捷等优点，而越来越受到市场的关注，应用的领域也越来越广。目前采用芯片设计与制造一体化运行的士兰微电子，通过芯片设计、器件结构开发、工艺开发等
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士兰微 IGBT 芯片设计
Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文介绍EconoDUAL 3模块主要特性,典型应用电路以及EconoDUAL™3模块驱动板主要特性,评估板电路,以及IGBT各种驱动电路和驱动板材料清单(BOM).
The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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Infineon EconoDUAL3 汽车驱动 IGBT
【 导读：在新能源领域的大多数功率变换装置中，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是最为重要的器件，与欧洲、日本和美国相比，中国在该领域还相对落后，尽管国内也有一些企业和科研机构在进行研发，但产业化进程缓慢，技术上也落后于国外。】
今年6月，功率半导体业界的盛会“PCIMChina2010”在上海光大会展中心举行，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了各自推出的新产品和众多高能效解决方案。记者观察到，功率半导体在新能源领域的应用成为本届展会的热点，而中国功率器件产业的未来发展
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功率半导体 IGBT
·随着IGBT升级换代，变频器性能不断提高，体积不断减小。
·三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户。
日本从上世纪80年代开始使用工业用的变频器，还有家庭用的变频空调，在市场上变频技术得到了很快的发展。最初变频器都用晶闸管，但是后来出现了用在变频器上的IGBT。通过使用IGBT，功率损耗大幅降低。同时，经过25年的发展，出现了各种各样的研究开发成果，目前三菱电机的IGBT芯片已经发展到第6代。可以举一个直观的例子来说明IGBT的发展水平：如果
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IGBT 变频器
摘要：分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论，提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断，从而安全稳定地运行。试验结果表明：新的集中式过流保
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保护 电路设计 集中式 IGBT 矩阵 变换器 基于
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%.
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半导体
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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IGBT 软开关 损耗
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