- IGBT综述
1．1 IGBT的结构特点
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器
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IGBT 600 系统 逆变器
- 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特
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电路 研究 保护 驱动 EXB841 IGBT 基于 电源
- 在日益增长的变频器市场，许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米（当前模块的标准尺寸）模块中使用新IGBT技术使用户可以因不必改变其机械
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IGBT 性能
- 摘要：本文通过分析IGBT的结构及其安全工作区，解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因，并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护，从而确保了IGBT安全可靠的工作。 叙词：IGB
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技术 保护 IGBT 逆变电源 大功率 电源
- 摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是应用广泛的功率半导体器件，驱动器的合理设计对于IGBT的有效使用极为重要。本文就利用栅极电荷特性的考虑，介绍了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。 叙词：IGBT，驱动
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计算 性能 输出 驱动器 IGBT
- 新闻事件：
韩国LS与英飞凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影响：
将使英飞凌和LSI得以加速进入高效能家电、低功率消费与标准工业应用等前景好的市场
LS预计于2010年1月在天安市的生产基地开始量产CIPOS模块
韩国LS Industrial Systems与英飞凌科技(Infineon)共同成立了一家合资公司──LS Power Semitech Co., Ltd，将聚焦于白色家电压模电源模块的研发、生产与行销。
合
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英飞凌 IGBT CIPOS 射极控制二极管技术 SOI
- 6月4日，为期3天的“PCIM China 2009”展会在上海光大会展中心落下帷幕。在展会期间，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了众多新产品和高能效解决方案;同时，参展企业也纷纷表示对中国功率半导体的市场前景充满信心。
新产品亮相PCIM展
一年一度的PCIM展是功率半导体领域的盛会，同时也是业内企业展示新技术、新产品的舞台。在今年的展会上，英飞凌推出IGBT(绝缘栅双极晶体管)MIPAQ base模块，该模块是变频器的核心部件。在传统的变频器中，通常要在I
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英飞凌 IGBT DIPIPM
- 目前，混合动力汽车是大规模应用新能源汽车的切入点。功率半导体器件与模块在混合动力汽车中起着不可替代的作用。除降低成本之外，混合动力汽车还需要在电池、电动、传动及电气系统等方面得到改善。
节能和环保的双重需求使得新能源汽车在全球范围内日益引起业界的重视，在最近的国际汽车展上，多家汽车企业推出了电动和混合动力汽车，这预示着新能源汽车即将进入真正的商用阶段。如今，中国对于新能源汽车的推广也进入了一个关键时期，今年2月，财政部、科技部发出《关于开展节能与新能源汽车示范推广试点工作的通知》，推广节能与
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新能源 IGBT F-RAM 混合动力
- 在2009年纽伦堡PCIM展会上，英飞凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。Smart 模块封装采用自动压接装配工艺，仅需一个螺钉通过单步安装流程可将模块安装到印刷电路板和散热器上。通过提供高可靠性压接技术，英飞凌满足了功率高达55 kW逆变器的设计要求。Smart模块能够优化功率变换器的解决方案，应用于通用变频器、不间断电源(UPS)、感应加热和焊接设备、太阳能逆变器及空调系统中。
安全、简单的自动压接装配
压接工艺结合自动装配技术的革命性创新简化了
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infineon IGBT 压接
- 1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压（VG(
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IGBT 栅极电阻 开关
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员提供一系列能够提升汽车应用功耗、噪声免疫能力和瞬态电压性能的栅极驱动器FAN7080x系列，让工程师开发出在所有操作条件下更准确、精密的燃油喷射控制系统，从而提高燃油效率。这些栅极驱动器在高边和桥驱动器应用中驱动 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油喷射系统和电机控制。与市场上同类器件相比，它们的静态功耗减少一半以上 (静态电流100µA对比240µA)，容许设计人员优化系统和扩大工作范围。这些产品
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Fairchild 栅极驱动器 MOSFET IGBT
- 尽管一直高于全球的发展速度，中国电源管理半导体市场在经历了多年的快速增长之后，正不断放缓步伐，特别是在去年被金融海啸波及之后。但是，随着国家政策刺激拉动整机设备制造保持增长，今后两年中国的市场需求整体也将继续较快增长，预计增长幅度将与金融海啸最肆虐的2008年持平甚至略高。
- 关键字：
电源管理 节能 IGBT MOSFET 数字电源 稳压器 200903
- 许多电子设计应用要求的激励源幅度超出了当前市场上大多数任意波形/函数发生器的能力，包括电源半导体应用，如汽车电子系统和开关电源中广泛使用的MOSFETs和IGBTs，气相色谱和质谱检测器使用的放大器，以及科学和工业应用中使用的其它设备。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信号的传统方法，然后讨论了典型应用，说明了使用集成高幅度阶段的新型任意波形/ 函数发生器的各种优势。
- 关键字：
泰克 MOSFET IGBT 200903
- 随着国民经济的不断发展，变频调速装置的应用越来越广泛。如何打破国外产品的垄断，已成为一个严肃的课题摆在我国工程技术人员的面前。
在某型号大功率变频调速装置中，由于装置的尺寸较大，考虑到结构
- 关键字：
CPLD IGBT 驱动设计 中的应用
- 产品特性：
耐压650V
STY112N65M5:最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A）
STW77N65M5:最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A）
采用了改进Super Junction结构
应用范围：
太阳能电池功率调节器
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意法 MOSFET IGBT
电动车用大功率 igbt 模块测试介绍
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