- 使用 TI 数字功率控制器和多节电池器件的HEV 多节电池组的方框图 (SBD)。
设计注意事项 插入式混合电动车 (PHEV) 和电池电动车 (BEV) 是两项快速兴起的技术,可使用功能强大的电机作为动力来源。为了
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电池 器件 节电 HEV 控制器 数字 功率 基于
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3~2.4 GHz范围内可实现功率超过15W,附加效率超过67%的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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设计 功率放大器 GaN 一种
- 1、概 述 AD538是美国ADI公司出品的实时模拟计算器件,能提供精确的模拟乘、除和幂运算功能。 AD538结构独特、工艺精良。低输入/输出偏移电压和优异的线性性能的结合,使其可在一个非常宽的输入动态范围内
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原理 应用 AD538 器件 模拟 计算 实时
- 诸如 DSP 与 FPGA 等高性能信号处理器件要求多种针对内核及 I/O 电压生成不同电压的电源。电源输出上电和断电顺序对器件操作和长期可靠性至关重要。德州仪器 (TI) 提供的 SWIFT? 系列高集成度电源管理 IC 能够满
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实现 电源 TPS54X80 器件 信号处理 高性能
- 动漫游戏是一个新兴的行业,发展潜力大,市场前景好。游戏平台的加密性、灵活性、通用性备受游戏平台提供商的关注,同时要求低成本、容易采购。科通数字技术公司认为, 目前游戏行业主要采用一些国外通用SOC平台,如
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- 基于CPLD器件设计的单稳态电路,随着电子技术特别是数字集成电路技术的迅猛发展,市面上出现了FPGA、CPLD等大规模数字集成电路,并且其工作速度和产品质量不断提高。利用大规模数字集成电路实现常规的单稳态集成电路所实现的功能,容易满足宽度、精
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稳态 电路 设计 器件 CPLD 基于
- 采用外接Flash存储器件对SOPC系统开发的实现,1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表现在两方面:一方面,可用Flash来保存FPGA的配置文件,从而可以省去EPCS芯片或解决EPCS芯片容量不够的问题。当系统上电后,从Flash中读取配置文件,对FPGA进行配置。
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系统 开发 实现 SOPC 器件 Flash 存储 采用
- ASIC、FPGA和DSP的应用领域呈现相互覆盖的趋势,使设计人员必须在软件无线电结构设计中重新考虑器件选择策略问题。本文从可编程性、集成度、开发周期、性能和功率五个方面论述了选择ASIC、FPGA和DSP的重要准则。
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选择 策略 器件 结构设计 无线电 软件
- 采用可编程逻辑器件和A/D转换器的高速数据采集卡的设计方案, 用于PC的采集系统以前大多有用ISA总线结构,这种结构的最大缺点是传输速率低,无法实现高速数据的实时传输。而PCI总线则以其卓越的性能受到了广泛的应用。32位PCI总线的最大传输数据速率可达132MB/s,64位PCI总线的
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高速 数据采集 设计 方案 转换器 A/D 可编程 逻辑 器件
- 这里对CCD成像器件的噪声进行了分析,从几个噪声源着手(包括转移损失噪声、复位噪声、散粒噪声和暗电流噪声),分析了CDS相关双采样电路。虽然限于CCD其他噪声及电路工艺结构等原因,系统并未达到器件本身的读出噪声水平,但是CDS电路的作用确实明显,已将大部分噪声消除了。
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研究 噪声 器件 成像 CCD
- 安防系统中的调制解调器常常用于发生紧急情况时向消防部门或警察报警。这些电话线路必须进行保护,以免被闪电、电力线搭线,或交流感应电流毁坏。告警系统也必须符合UL864标准,该标准要求焊装的保险丝是不允许用在供电电路中进行限流的。
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- 一个包含三个极点和一个零点的波特图将用来分析增益和相位裕度。假设直流增益为80dB,第一个极点发生在100Hz处。在此频率时,增益曲线的斜度变为-20dB/十倍频程。1kHz处的零点使斜度变为0dB/十倍频程,到10kHz处增益
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- 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
- 介绍一种新型自振反激型变换器RCC(Ring Choke Converter)式开关电源器件的设计及应用,该电路只需极少量普通分立元件和1个集成电路就可以得到稳压输出。器件内部结构包括依次连接的整流滤波电路、转换器和输出电路,整流滤波电路与启动电路相连接。测试结果表明,该电路效率可达70%。简洁的方案和较高的效率适合于RCC电路。
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设计 应用 器件 开关电源 RCC 集成
- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示,2010年的市场规模近乎为零,但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式,不断扩大市场规模。iSuppli预测,该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前,GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段,或者刚开始商用化的阶段。不过,GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有导通电阻较低等优点,可提高电源电路的转
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氮化镓(gan)器件介绍
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