首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 氮化镓(gan)器件

氮化镓(gan)器件 文章 最新资讯

常用进口半导体器件型号命名

  • 常用进口半导体器件型号命名表 2 进口半导体器件命名 表 3 韩国三星电子三极管特性 ...
  • 关键字: 半导体  器件  

LED照明器件与系统设计因素

  • 一 前言  设计者们给发光二极管—LED和阵列作光源设计的供电电源,称之为LED电子驱动器。对于LED照明器件和系统而言,LED光源本身就是其电子封装组成的一部分。这种给LED阵列提供能源并对其进行控制的电子驱动
  • 关键字: 设计  因素  系统  器件  照明  LED  

用非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法,这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点,新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间,使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终,通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层,晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。

  • 关键字: CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非传统  

完全自保护MOSFET功率器件分析

  • 为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全
  • 关键字: 器件  分析  功率  MOSFET  保护  完全  

硅衬底LED芯片主要制造工艺解析

  • 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
  • 关键字: LED芯片  硅衬底  GaN    

硅衬底上GaN基LED的研制进展

  • Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光器,紫外光探测器,...
  • 关键字: MOCVD  GaN  LED芯片    

兼容性和可靠性是LED照明器件与系统设计的关键因素

  •  一 引言  随着人类科技的不断发展,我们星球的夜晚变得越来越明亮,越来越绚烂,在这些变化的背后,是不断发展的照明技术。在照明技术的开发及制造中使用的电子系统和元器件改变了照明设备及系统的未来。纵观照
  • 关键字: 设计  关键  因素  系统  器件  可靠性  LED  照明  兼容性  

基于Atlas的MFIS结构器件电学性能模拟

  • 摘要 利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C—V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响,为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考
  • 关键字: 电学  性能  模拟  器件  结构  Atlas  MFIS  基于  

新型雷达设计:分立器件抑或集成

  • 雷达是一项极具发展前途的驾驶员辅助技术。雷达系统能够大大降低事故的发生频率和严重程度,特别是那些与驾驶员分心相关的事故。在许多国家,汽车安全立法促进了行车安全,驾驶员死亡率降至历史最低水平,同时推动了
  • 关键字: 抑或  集成  器件  分立  雷达  设计  新型  

FPGA器件的在线配置方法

  • FPGA器件的在线配置方法,摘要:介绍基于SRAM LUT结构的FPGA器件的上电配置方式;着重介绍采用计算机串口下载配置数据的方法和AT89C2051单片机、串行EEPROM组成的串行配置系统的设计方法及实现多任务电路结构中配置的方法,并从系统的复杂度、
  • 关键字: 方法  配置  在线  器件  FPGA  

数字接收机中高性能ADC和射频器件的动态性能要求

  • 摘要:基站系统(BTS)需要在符合各种不同标准的同时满足信号链路的指标要求。本文介绍了一些信号链路器件,例如:高动态性能ADC,可变增益放大器,混频器和本振,详细介绍了它们在典型的基站中的使用,能够满足基站对
  • 关键字: 器件  动态  性能  要求  射频  ADC  接收机  中高  高性  数字  

分析复杂器件内部的实时可视性的设计方法

  • 分析复杂器件内部的实时可视性的设计方法, 如果在一个系统中拥有几个处理器和外设,要开发具有成本效益、可靠的产品,尤其是在今天很短的产品开发时间的条件下,了解所有这些芯片的实时动态特性将变得非常重要。实时嵌入式系统越来越多地在多内核ASIC或系统
  • 关键字: 可视性  设计  方法  实时  内部  复杂  器件  分析  

射频集成电路半导体器件技术

  • 近年来,无线通信市场的蓬勃发展,特别是移动电话、无线因特网接入业务的兴起使人们对无线通信技术提出了更高的要求。体积小、重量轻、低功耗和低成本是无线通信终端发展的方向,射频集成电路技术(RFIC)在其中扮演
  • 关键字: 技术  器件  半导体  集成电路  射频  

一种S波段宽带GaN放大器的设计

  • 摘要:氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点,使其具有带宽宽,高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点,使用了Agilent ADS等仿真软件,进行电路仿真设计,设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
  • 关键字: GaN  S波段  宽带  放大器    

GaN基量子阱红外探测器的设计

  • 摘要:为了实现GaN基量子阱红外探测器,利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应,通过设计适当的量子阱结构,利用自发极化和压电极化的互补
  • 关键字: 设计  探测器  红外  量子  GaN  
共782条 44/53 |‹ « 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 » ›|

氮化镓(gan)器件介绍

您好,目前还没有人创建词条氮化镓(gan)器件!
欢迎您创建该词条,阐述对氮化镓(gan)器件的理解,并与今后在此搜索氮化镓(gan)器件的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473