- 摘要 利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C—V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构器件记忆能力及稳定性的影响,为MFIS结构器件的设计和性能提高提供了参考
- 关键字:
电学 性能 模拟 器件 结构 Atlas MFIS 基于
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