根据YoleDeveloppement指出，氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体业者受惠;另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(InternationalRectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。
Yole估计，2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间，这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长，预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。
目前销售Ga
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氮化镓 GaN
根据Yole Development预测，功率晶体管将从硅晶彻底转移至碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)基板，以期能在更小的空间中实现更高功率。
在最新出版的“GaN与SiC器件驱动电力电子应用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)报告中，Yole Development指出，促进这一转型的巨大驱动力量之一来自电动车(EV)与混合动力车(HEV)产业。Yole预期EV/HEV产业将持续大力推动Si
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SiC GaN
上海PCIM Asia展会现场，氮化镓系统公司(GaN Systems)联合创始人兼总裁Girvan Patterson手持一块用于服务器电源的集成电路板展示：“由于使用氮化镓晶体管器件，这块电路板的尺寸缩小到了原先的1/4。更为重要的是，它在性能、能源效率、系统成本等方面相比当下主流的硅基功率电子元件有了跨越式提升。”
被称为“终极半导体材料”的氮化镓研究和应用是全球半导体研究的前沿和热点，在光电子器件和微电子器件领域市场前景广阔。“
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氮化镓 半导体
目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。
各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比
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SiC GaN 电流传感器
1月出席DesignCon 2015时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switching Device)的研发。我也有幸遇到“电源完整性 --在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
据日经BP报道，松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体，将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN)，能将耗电量控制在原来一半左右。据悉，松下目前已与日本国内外约10家企业就供货进入最终交涉，新一代半导体被松下定位为重振持续亏损的半导体业务的战略产品，松下计划首先将向服务器电源装置等供货。
氮化镓被称为“终极半导体材料”，世界上仅有美国风险企业涉足。松下将在生产子公司松下电器半导体有限公司(panasonic Semiconductor
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松下 氮化镓
从下一代的国防和航天应用，到有线电视、VSAT、点对点(PtP)、基站基础设施，Qorvo的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的 性能支持，让您能够随时联网并受到保护。这些领先性能包括：高功率密度、宽频性能、高功率处理……阅读下面的“氮化镓的十个重要事实”，真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。
关于氮化镓的十个重要事实：
一、氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，
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Qorvo 氮化镓
英飞凌科技股份公司今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前，英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台，包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量，这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所
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英飞凌 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 松下 GaN
近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成，使之非常易于设计。如需了解更多信息，敬请访问www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化，此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。
TI高压电源
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德州仪器 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 GaN
英飞凌和松下联合开发GaN器件，将松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。
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英飞凌 松下 GaN
氮 化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射频
半导体产业是整个电子信息产业链中最关键的产业之一，它为集成芯片产业、LED产业、光伏产业等产业提供关键性基础材料，对整个电子信息产业影响巨大。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，引发了第三次技术革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。
半导体产品广泛应用在电子工业和微电子工业中，用来制作各种晶体管、集成电路、固态激光器等各种精密原器件。
有
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半导体 氮化镓
近日，北京科技大学李立东教授课题组围绕白光有机发光二极管研制中的关键问题，合成出了聚合物白光材料和有机小分子白光材料等两类有机白光材料，并制备出了单层白光OLED器件。其实小编更关心，这种OLED器件何时有机会面世。
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OLED 器件
氮化镓(gan)器件介绍
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