- 据中国国防科技信息网报道，美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆，以满足军用和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6寸砷化镓晶圆生产向6寸氮化镓晶圆生产和研发的转变，以降低成本满足不断增长的氮化镓器件市场需求。
RFMD公司总裁兼首席执行官鲍勃称：“我们很高兴在RFMD公司的现有高产量6寸砷化镓生产线上推出业界首款6寸碳化硅基氮化镓射频技术。氮化镓器件和砷化镓器件在制造上的合并是我们“砷化镓中氮化镓代工厂”策略
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氮化镓 晶圆
- 传统的氮化镓（GaN）LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为...
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GaN LED 光萃取技术
- 如何使用氮化镓器件：引进氮化镓晶体管技术,本文是专为功率系统设计工程师及工程经理而设的连载文章的第一章。我们在未来数个月将介绍应用于电源转换的氮化镓技术，并讨论其基本设计及辅以应用范例。硅器件已称王多时
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氮化镓 晶体管
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被
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GaN 功率器件
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
- 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，日前发布了新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器，为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。
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TriQuint 氮化镓 倍增器
- 1、FTTH光缆FTTH(FiberToTheHome)，顾名思义就是一根光纤直接到家庭。具体说，FTTH是指将光网络单元(ONU)安装在住家用户或企业用户处，是光接入系列中除FTTD(光纤到桌面)外最靠近用户的光接入网应用类型。 图 光缆FT
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光纤光缆 器件 基础
- 利用高性能模拟器件简化便携式医疗设备的设计,将高性能模拟外设嵌入超低功耗 MCU 中,不仅可以实现便携式医疗电子设备的片上系统化,而且还可延长电池使用寿命。本文将介绍简化便携式电池供电医疗设备的模拟前端设计的多种方法,如将运算放大器、ADC、DAC等高性能外
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高性能模拟 便携式 器件 医疗设备
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
- 因照明用LED需求大增，三菱化学计划在2014年初将LED用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。
目前，三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产的GaN基板，生产的产品直径为2寸，月产能分别为1,000片、数百片。
而为了要达到稳定获利的水平，有必要将产品尺寸扩大至4-6寸，所以，三菱化学计划借由调整水岛事业所现有设备的制程，开始生产直径为4寸的GaN基板，月产能为200-300片，并计划凭借新设生产设备或增设厂房等措施，开始生产6寸GaN基板，将GaN基板产能扩增至现行的2-3倍
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LED GaN
- 大约30年前，有人告诉我他有一个4~20mA的电流源。他想判断电流是否超出范围，或者电线是否已断掉！但是没有人...
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判定 器件 电流范围 稳定性 放大器
- 不同接口标准的传输延迟存在一些差异，在如图所示的示例中选择兼容3.3V的LVCOMS标准作为输入，1.8V的LVCOMS标准作为输出。在该模型中，输入增加一个3.3V的LVCOMS标准延迟参数TIN33，输出增加一个1.8V的LVCOMS标准延迟
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CoolRunner-II 器件 标准 输入
氮化镓(gan)器件介绍
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