- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系，共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、电信及网络领域的各种高压应用。
这策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司，并在这先进技术有无与伦比的经验。安森美半导体是一家领先的高能效电源方案供应商，在系统设计具备深厚的专知和技术，提供宽广的阵容产品，从功率分立器件
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安森美 氮化镓 硅基器件
- 今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，结合了该行业最高的生产率与最佳良率这两大优势，运营成本低，从而进一步降低通用照明应用的发光二极管(LED)的制造成本。
EPIK700 MOCVD系统采用了Veeco大生产验证过的TurboDisc技术，具有行业内最大的反应腔，其产能相当于目前的其它反应腔的两倍多。反应腔的容量增加，再加上腔内波长均匀性以及生产力的提升，与之前的反应腔相比，其产量提高了
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Veeco 氮化镓 TurboDisc
- 司空见惯的经验性的东西，其实我们都很多都是错的，而这一旦用于设计，产品可靠性可想而知。所以说“电路设计器件选型，先论证其不可行性，慎谈可行性;电子设计比拼的不是谁的设计更好，而是谁的设计更少犯错误”。
误区1、产品故障=产品不可靠
产品出现问题，有时候并不是研发的问题，曾经有案例，面向国内中等以上发达地区的设备，因为在国内用的不错，所以出口到了哥伦比亚，但在那里频频故障，故障的原因在于中国中国大陆中等以上发达地区的海拔都比较低，所以高海拔地区，设备的气密性受到了挑战
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器件 可靠性 参数
- 为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
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Cascode GaN 场效应管
- GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
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GaN.功率元件
- 我们会探讨在高频降压转换器使用最优版图并在1MHz频率开关时可实现高于96%效率。降压转换器纵然具备最优电...
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高频降压 转换器 氮化镓
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就
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GaN 功率半导体
- 我们在之前的文章讨论了氮化镓场效应晶体管的优势，以及它具备可实现更高效率和更快开关速度的潜力，为硅MOSFET...
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氮化镓 晶体管 驱动器
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GaN on GaN LED
- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
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功率 半导体 SiC GaN
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LED GaN MOCVD
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Si基 GaN 功率器件
- 电子签名、指纹扫描、以及机器人触感皮肤之间有什么共同点？得益于一套能将氧化锌纳米线阵列转化成微型L...
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LED阵列 LED技术 氮化镓
氮化镓(gan)器件介绍
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