摘要：介绍了一种基于声表面波器件的无线远距识别系统的实现。对声表面波技术及声表面波传感器作了简要的介绍，针对某无线远距识别系统作了详细的分析，并给出了测试结果。１ ＳＡＷ技术简介声表面波ＳＡＷ（Ｓｕｒｆ
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声表面波 器件 方案设计 无线
伊利诺伊大学研究人员开发出新的氮化镓(GaN)热控制方法
GaN晶体管比传统的硅晶体管具有更高的功率密度，可以在较高温度下运行(500℃以下)，但像所有半导体那样，GaN晶体管也产生过多的热量，这会限制他们的性能。
基于散热器和风扇的冷却方法增加成本和体积。现在，一个来自伊利诺伊大学微纳米技术实验室的研究团队创造了一种新的方法，他们声称该方法简单而且低成本。
采用计算机辅助设计，坎·拜拉姆的团队已经证明，GaN层的厚度在过热中起很大作用，影响设备的热预期和最终性能。
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氮化镓 晶体管
1.电路逻辑功能描述PLD器件的逻辑功能描述一般分为原理图描述和硬件描述语言描述，原理图描述是一种直观简便的方法，它可以将现有的小规模集成电路实现的功能直接用PLD器件来实现，而不必去将现有的电路用语言来描述
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PLD 器件 计步
功耗是当今电子设计以及测试中最热门也是竞争最激烈的领域之一。这是因为人们对高能效有强烈需求，希望能充分利用电池能量，帮助消减能源帐单，或者支持空间敏感或热量敏感型应用。在经过30年的发展之后，硅MOSFET发
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GaN 测试
伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。
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氮化镓 碳化硅
中国第三代半导体产业南方基地(以下简称“南方基地”)正式落户东莞。9月30日，中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会在东莞召开。国家科技部原副部长、国家第三代半导体产业决策委员会主任曹健林，广东省副省长袁宝成、省科技厅厅长黄宁生，市委副书记、市长梁维东，国家第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等领导出席中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会并见证签约仪式。
副市长杨晓棠，市政府党组成员、松山湖管委会主任殷焕明等参加了启动仪式。
为广东实现半导体产业化提
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半导体 GaN
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。
随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难
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氮化镓 芯片
随着去年Dialog取得了台湾敦宏科技40%的股份后，国际Fabless业者Dialog于今日又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电(TSMC)在GaN(氮化镓)元件的合作。
Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall
透过台积电以六寸晶圆厂的技术，Dialog推出了DA8801，Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall在会后接受CTIMES采访时表示，该款元件为目前产业界首款将逻辑元件与GaN FET整合为单一
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Dialog GaN
德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体...
下一代行动无线网路——5G，将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的一种建构模组
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GaN 5G
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp)
不过，姑且不论摩尔定律(Moors’ Law)能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器(Power Ad
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GaN SiC
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(Nagoya University)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都
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GaN 蓝光LED
当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
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GaAs GaN
台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaN on Si)技术生产GaN晶体管。
台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。
其中，耐压650V的常关
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台积电 GaN
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供
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Qorvo GaN
氮化镓(gan)器件介绍
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