本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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开关电源 SMPS 氮化镓 GaN ADI
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司近日推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。英飞凌EasyPACK™英飞凌科技
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英飞凌 EasyPACK CoolGaN 功率模块 氮化镓
氮化镓（GaN）单片双向开关正重新定义功率器件的电流控制范式。 传统功率器件（如MOSFET或IGBT）仅支持单向主动导通，反向电流需依赖体二极管或外接抗并联二极管实现第三象限传导。这种被动式反向导通不仅缺乏门极控制能力，更因二极管压降导致效率损失。为实现双向可控传导，工程师常采用背对背（B2B）拓扑级联两个器件，却因此牺牲了功率密度并增加了系统复杂度。由于有效的州电阻（RDSON）加倍，因此需要这些设备的平行组，以使返回到使用单向开关获得的值。可以执行此类四季度操作的单片设备可以通过用单个设备替换四个活
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英飞凌 氮化镓 双向开关
航嘉深耕电源领域30余年，始终以技术创新与安全标准引领行业发展。此前航嘉推出的充吧产品持续迭代，如充吧高能 W68，以 68W 双 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技术，成为桌面充电领域的经典。该产品采用第三代氮化镓技术，体积缩减 40% 的同时实现 68W 高效输出，搭配双 C 口盲插功能与 10 重电路防护，完美适配笔记本、手机、平板等多设备快充需求。如今，面对用户对更便携的高功率用电的需求，航嘉推出全新充吧灵动 H67，以 67W GaN 快充与七口聚合设计（3AC+
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航嘉 氮化镓
● 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术● 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优
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意法半导体 英诺赛科 氮化镓
近日，九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求，推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。PDK（Process Design Kit，工艺设计套件）是半导体制造中不可或缺的工具包。它为芯片设计者提供工艺参数、器件模型、设计规
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九峰山实验室 100nm 氮化镓 PDK平台
本期充电头网继续为大家带来航嘉灵动F40 Pro 40W氮化镓快速充电器的拆解，这款产品基于此前经典G35 Pro款进行设计，除新增可折叠插脚设计外，外观以及大小等基本没有变化，不过功率提升至40W，并且还支持20W+20W输出，可以满足两部iPhone 16新机快充需求。下面一起来看看产品内部有何不同。此前充电头网还拆解过航嘉20W安全快充充电器、航嘉迷你30W安全快充、航嘉100W氮化镓双认证安全快充、航嘉65W 1A1C氮化镓快充充电器等产品，欢迎查阅。航嘉灵动F40 Pro安全快充开箱包装盒正面印
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氮化镓 快速充电器 拆解
据英诺赛科官微消息，12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市。据了解，英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。据悉，英诺赛科此番战略配售，吸引了包括意法半导体（STMicroelectronics）、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备在内的4名基石投资者，合共认
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英诺赛科 氮化镓
12 月 12 日消息，日本半导体制造商罗姆 ROHM 当地时间本月 10 日宣布同台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。罗姆此前已于 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT（注：高电子迁移率晶体管）工艺推出了 EcoGaN 系列新产品。罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率器件日益增长的需求。台积电在新闻稿中提到，
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12月4日，据GlobalFoundries（格芯）官网消息，其又从美国政府获得了950万美元（折合人民币约6900万元）的联邦资助，用于推进其位于美国佛蒙特州埃塞克斯交界的工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体的生产。据介绍，这笔资金由美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供，是美国联邦政府为支持格芯在佛蒙特州的氮化镓项目而投入的最新资金。获得这笔资金后，格芯将继续为其氮化镓IP产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，其将更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化镓芯片。据悉，自2020年以来，包括
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今年十月份，日本功率器件大厂罗姆半导体（ROHM）公开表示，将在氮化镓功率半导体领域加强与台积电合作，公司旗下的氮化镓（GaN）产品将全面委托台积电代工生产。值得注意的是，罗姆之前主要利用内部工厂来生产相关器件，但是近年来已经开始将部分产品委托台积电代工，只不过罗姆此前并未对外公布。而此次，罗姆将全面委托台积电代工生产有望运用于广泛用途的 650V 耐压产品，借由活用外部资源，应对急增的需求，扩大业务规模。有分析认为，罗姆全面委托台积电代工氮化镓产品，旨在降低成本。毕竟，氮化镓材料虽然性能优越，但成本一直
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英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600 V G1晶体管，实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产
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1932年，研究人员在George Herbert Jones实验室，将金属镓和氨在900℃至1000℃的高温下进行反应，成功合成了GaN材料。近一个世纪的时间里，氮化镓逐渐引领着功率变换领域的新一轮变革。特别是Power Integrations公司近日推出的业界首款1700V氮化镓开关IC——InnoMux™-2系列产品，不仅刷新了氮化镓技术的耐压纪录，更是以其卓越的性能和广泛的应用前景，成为了电源管理领域的遥遥领先者。 氮化镓逐渐成为王者 最佳开关电源技术覆盖从十瓦至一兆瓦的广泛
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深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。1700V额定耐压进一步提升了氮化镓功率器件的先进水平，此前的业界首创产品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激设计中轻松支持1000VDC额定输入电压，并在需要一个、两个或三
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自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。德州仪器技术与制造高级副总裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片设计和制造方面拥有十多年的丰富经验后，TI成功地将200mm GaN技术（这是目前制造GaN的最具可扩展性和成本竞争力的方法）应用于会津工厂的量产。这一里程碑使德州仪器能够在内部制造更多的Ga
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