- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新型封装技术相结合，可以满
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Nexperia KYOCERA 氮化镓 功率模块
- ● 产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段● 实现弹性量产和供货取得巨大进展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。射频硅基氮化
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射频 氮化镓
- 在这篇文章里，imec氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平台上，整合高性能萧基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管（HEMT）的成功案例。该平台以p型氮化镓（GaN）HEMT制成，并成功整合多个GaN组件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点（POL）转换器所需的开发动能，进一步缩小组件尺寸与提高运作效率。电力电子半导体的最佳解答：氮化镓（GaN）过去
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氮化镓 功率电路
- 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件，包括用于新型服务器和人工智能的
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氮化镓 场效应
- VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压（9 V至23 V）下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下，待机功耗低于30 mW。此外，该器件的保护功能可提高稳健性并有助于减少所用的物料。QFN5x6 mm封装也使其成为业内同等功率输出中封装最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供货，配有USB-PD供电端口的开
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- 半导体研究随着以空间技术、计算机为导向的第三次科技革命（1950年）拉开帷幕。半导体产业作为知识技术高度密集、资金密集、科研密集型产业，由上游（半导体材料）、中游（光电子、分立器件、传感器、集成电路）、下游（终端电子产品）组成。第一代半导体材料：硅、锗元素。金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）已在各类电子器件、集成电路中广泛应用。第二代半导体材料：砷化镓、磷化铟等化合物。禁带宽度比第一代半导体材料大，但击穿电压不够高，在高温、高功率下应用效果不理想，砷化镓源材料有
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半导体核芯 氮化镓
- 当世界继续努力追求更高速的连接，并要求低延迟和高可靠性时，信息通信技术的能耗继续飙升。这些市场需求不仅将5G带到许多关键应用上，还对能源效率和性能提出了限制。5G网络性能目标对基础半导体器件提出了一系列新的要求，增加了对高度可靠的射频前端解决方案的需求，提高了能源效率、更大的带宽、更高的工作频率和更小的占地面积。在大规模MIMO（mMIMO）系统的推动下，基站无线电中的半导体器件数量急剧增加，移动网络运营商在降低资本支出和运营支出方面面临的压力更加严峻。因此，限制设备成本和功耗对于高效5G网络的安装和
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氮化镓 GaN
- 近期，苹果“爆料大神”郭明錤透露，苹果可能年某个时候推出下一款氮化镓充电器，最高支持30W快充，同时采用新的外观设计。 与三星、小米、OPPO等厂商积极发力氮化镓快充产品相比，苹果在充电功率方面一直较为“保守”。去年10月，伴随新款MacBook Pro的发布，苹果推出了140W USB-C电源适配器（下图），这是苹果首款采用氮化镓材料的充电器，售价729元。图片来源：苹果 如今，苹果有望持续加码氮化镓充电器，氮化镓功率半导体市场有望迎来高歌猛进式发展。手机等快充需求上升，氮化镓功率市场规模将达1
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氮化镓 GaN
- EETOP编译整理自techinsights 在处理氮化镓（GaN）时，与硅(Si)相比，还有两个额外的考虑因素可以优化器件性能。 由于GaN/AlGaN异质结界面上的二维电子气体(2DEG)通道，GaN具有快速开关的潜力。 氮化镓的导热性相对较差。(在300K时约1.3W/cm.K，而硅(Si)为1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）为3.7W/cm.K) 虽然体积热导率并不明显低于硅，但请记住更高的电流密度-它被限制在异质结周围的一个小区域。渐进式的改进 虽然不理想，但传统的硅封装可以而且已
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氮化镓 GaN
- 氮化镓(GaN)是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得80Plus钛电源、3.8 kW/L电动汽车(EV)车载充电器和电动汽车(EV)充电站等设计得以实施。在许多具体应用中，由于GaN能够驱动更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了传统的MOSFET晶体管。但由于GaN的电气特性和它所能实现的性能，使得使用GaN元件进行设计时，要面临与硅元件截然不同的一系列挑战。 GaN场效应晶体管包括耗尽型（d-mode）、增强型（e-mode）、共源共栅型(cascode）等三种类型，并且每种都具有各自的
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- 过去的2020年是5G手机大爆发的一年。5G手机无疑为大家带来了更快的上网体验，更快的下载速度、低延时，高达10Gps/s的理论峰值速率，比4G手机数据传输提升10倍以上，延时更是低至1ms，比4G手机缩短10倍。 当然，5G对数据传输速度提升，更强的CPU处理性能也对手机的续航能力提出了更高要求。为此，不少手机厂商为5G手机配备更大容量的电池，采用更高的充电功率，并在充电器上引进最新的氮化镓技术，实现在提高充电器功率的同时，将体积控制得更小巧。 而这里其实有一个有趣的事实： 这项为5G手机带来
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- 根据阿里巴巴达摩院发布的《2021十大科技趋势》预测的第一大趋势是“以氮化镓（GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体迎来应用大爆发”。达摩院指出，近年来第三代半导体的性价比优势逐渐显现，正在打开应用市场：SiC元件已用作汽车逆变器，GaN快速充电器也大量上市。半导体材料演进图：资料来源：Yole, 国盛证券相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高，其具有临界击穿电场高、电子迁移率高、频率特性好等特点。氮化镓（GaN）是最具代表性的第三代半导体材料，成为高温、高频、大功
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- 氮化镓充电器频繁的出现在我们的视线中，那么氮化镓充电器与普通充电器有什么不一样呢？我们一起来看看。 氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的
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- 全有兴65W氮化镓快充开箱充电器采用PC材质白色外壳，整体高光亮面处理，边角过渡圆润。机身正面印有芯冠科技的中英文名称。另一面设计有耕源科技中英文名称，正背面这一设计表明了产品是基于芯冠科技和耕源科技的快充方案打造的。机身一侧还有充电器相关参数产品型号：XG65T300输入：100-240V 50/60Hz 1.5A输出：65WUSB-A：5V2AUSB-C1/2：5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A产品已经通过了CCC、CE、FCC认证。输入端外壳两侧加入双翼设计，使用更加稳定。
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- ProMini是香港Magic-Pro旗下品牌，旗下产品包括了快充电池、快充数据线、快充充电器、无线车充、旅行充电器、影音周边等系列产品，并且热销海内外，深受用户青睐。近日，充电头网入手了两款来自ProMini的百瓦级桌面快充充电站，分别是130W 3C1A快充和200W 4C快充。同时为了实现小体积、高效率的设计，两款产品均应用了第三代半导体氮化镓技术，多个接口以及百瓦级大功率配置，让这两款产品可以一次满足四台设备的同时充电的需求，非常适合居家客厅、办公室等使用场景。今天这篇文章先来给大家带来ProMi
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氮化镓 介绍
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