- 本文介绍了氮化镓的发展历程，并与砷化镓和LDMOS进行对比与分析，介绍了氮化镓在军事、无线基站及射频能量等方面的特性和未来发展的广阔市场。
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氮化镓 砷化镓 LDMOS 201701
- 据报道，共同研究室预计将于2017年3月底前后设置、最初由总计10名左右的研究人员参加。该研究室力争将“氮化镓”这种物质运用在控制电流的新一代半导体功率器件等中。
据了解，“氮化镓”是天野研发的获诺贝尔奖的蓝色发光二级管(LED)的材料。该研究室力争把名古屋大学研制氮化镓结晶的技术与该机构调查物质性质的技术相结合，加快研发进程。
天野是小出在名古屋大学念书时低一届的学弟。两人在名城大学终身教授赤崎勇(2014年分享诺贝尔物理学奖)门下一同进行
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氮化镓 功率器件
- 伊利诺伊大学研究人员开发出新的氮化镓(GaN)热控制方法
GaN晶体管比传统的硅晶体管具有更高的功率密度，可以在较高温度下运行(500℃以下)，但像所有半导体那样，GaN晶体管也产生过多的热量，这会限制他们的性能。
基于散热器和风扇的冷却方法增加成本和体积。现在，一个来自伊利诺伊大学微纳米技术实验室的研究团队创造了一种新的方法，他们声称该方法简单而且低成本。
采用计算机辅助设计，坎·拜拉姆的团队已经证明，GaN层的厚度在过热中起很大作用，影响设备的热预期和最终性能。
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氮化镓 晶体管
- 伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。
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氮化镓 碳化硅
- 中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。
随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难
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氮化镓 芯片
- 氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士通电子元器件高级市场经理蔡振宇(Eric)的“氮化镓产品主要的应用场景和未来的趋势”主题分享，将富士通电子旗下代理产品线Transphorm公司独特GaN技术和产品方案第一次带到中国媒体面前，采用创新的Cascode结构的HEMT高压产品让Transphorm在氮化镓功率表技术领域剑走偏锋，成为该阵营的领头
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富士通 氮化镓
- 宜普电源转换公司(EPC)增加合共九个教程单元的教学视频系列，扩大它的视频资源以拓展氮化镓技术的知识库，为功率系统设计工程师提供高级技术教程，包括应用范例，教授如何使用氮化镓晶体管及集成电路设计出更高效的功率转换系统。 除了为工程师提供氮化镓晶体管的设计基础及可靠性数据外，本视频系列教授如何把开发板转化为实用的原型。此外，该系列提供氮化镓晶体管在广泛的功率电子应用中的实用范例，包括面向电信及数据通信系统的DC/DC转换，以及关于采用氮化镓器件的无线充电应用的两个视频。 氮化镓(GaN)高级学习视频
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宜普 氮化镓
- 根据YoleDeveloppement指出，氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体业者受惠;另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(InternationalRectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。
Yole估计，2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间，这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长，预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。
目前销售Ga
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氮化镓 GaN
- 上海PCIM Asia展会现场，氮化镓系统公司(GaN Systems)联合创始人兼总裁Girvan Patterson手持一块用于服务器电源的集成电路板展示：“由于使用氮化镓晶体管器件，这块电路板的尺寸缩小到了原先的1/4。更为重要的是，它在性能、能源效率、系统成本等方面相比当下主流的硅基功率电子元件有了跨越式提升。”
被称为“终极半导体材料”的氮化镓研究和应用是全球半导体研究的前沿和热点，在光电子器件和微电子器件领域市场前景广阔。“
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氮化镓 半导体
- 据日经BP报道，松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体，将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN)，能将耗电量控制在原来一半左右。据悉，松下目前已与日本国内外约10家企业就供货进入最终交涉，新一代半导体被松下定位为重振持续亏损的半导体业务的战略产品，松下计划首先将向服务器电源装置等供货。
氮化镓被称为“终极半导体材料”，世界上仅有美国风险企业涉足。松下将在生产子公司松下电器半导体有限公司(panasonic Semiconductor
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松下 氮化镓
- 从下一代的国防和航天应用，到有线电视、VSAT、点对点(PtP)、基站基础设施，Qorvo的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的 性能支持，让您能够随时联网并受到保护。这些领先性能包括：高功率密度、宽频性能、高功率处理……阅读下面的“氮化镓的十个重要事实”，真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。
关于氮化镓的十个重要事实：
一、氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，
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Qorvo 氮化镓
- 半导体产业是整个电子信息产业链中最关键的产业之一，它为集成芯片产业、LED产业、光伏产业等产业提供关键性基础材料，对整个电子信息产业影响巨大。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，引发了第三次技术革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。
半导体产品广泛应用在电子工业和微电子工业中，用来制作各种晶体管、集成电路、固态激光器等各种精密原器件。
有
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半导体 氮化镓
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系，共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、电信及网络领域的各种高压应用。
这策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司，并在这先进技术有无与伦比的经验。安森美半导体是一家领先的高能效电源方案供应商，在系统设计具备深厚的专知和技术，提供宽广的阵容产品，从功率分立器件
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安森美 氮化镓 硅基器件
- 今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，结合了该行业最高的生产率与最佳良率这两大优势，运营成本低，从而进一步降低通用照明应用的发光二极管(LED)的制造成本。
EPIK700 MOCVD系统采用了Veeco大生产验证过的TurboDisc技术，具有行业内最大的反应腔，其产能相当于目前的其它反应腔的两倍多。反应腔的容量增加，再加上腔内波长均匀性以及生产力的提升，与之前的反应腔相比，其产量提高了
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Veeco 氮化镓 TurboDisc
- 我们会探讨在高频降压转换器使用最优版图并在1MHz频率开关时可实现高于96%效率。降压转换器纵然具备最优电...
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高频降压 转换器 氮化镓
氮化镓 介绍
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