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场效应管(mosfet)检测方法与经验 文章 进入场效应管(mosfet)检测方法与经验技术社区

Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法

  • 1 引言图一所示的单管降压电源，拓扑很简单，但由于MOSFET的源极电位不固定，驱动不是很容易。本文就斩波电源...
  • 关键字： Buck电源  绝缘栅  场效应管  

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

  • 　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。 　　这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广，介于5V至25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常
  • 关键字： Diodes  MOSFET  控制器  

MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。
  • 关键字： Diodes  MOSFET  ZXGD3104N8  

德州仪器推出4A与5A双通道输出MOSFET驱动器

  • 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。
  • 关键字： TI  MOSFET  UCC27210  

二极管泄漏电流及MOSFET亚阈区电流的测量

  • 中心议题： 二极管的泄漏电流的测量 MOSFET的亚阈区电流的测量解决方案： 采用源-测量单元测量二极管的泄漏电流 采用两台SMU来测量MOSFET的亚阀区电流
    测试半导体器件和晶圆片（Wafer）常常要涉及到测量
  • 关键字： 电流  测量  MOSFET  二极管  泄漏  

Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。 　　这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET
  • 关键字： Diodes  MOSFET  

汽车HID前灯镇流器及PFC控制解决方案

  • 英飞凌汽车HID前灯镇流器及PFC控制解决方案主要由5个MOSFET、2个高电压驱动器、1个PFC控制器和1个HID灯镇流...
  • 关键字： HID灯镇流器  MOSFET  高电压驱动器  

UCC27321高速驱动MOSFET芯片的应用设计

  • UCC27321高速驱动MOSFET芯片的应用设计,1　引言

    　　随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321
  • 关键字： 应用  设计  芯片  MOSFET  高速  驱动  UCC27321  

场效应管放大电路原理及应用

  • 一、偏置电路

    有自生偏置和混合偏置两种方法，表1电路I利用漏极电ID通过Rs所产生的IdRs作为生偏置电压，即Ugs=-IdRso可以稳定工作点。
  • 关键字： 场效应管  放大电路  原理    

智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能的设计方案

  • 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。　　UCD
  • 关键字： MOSFET  驱动器  数字控制电源  设计方案    

科锐推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。
  • 关键字： 科锐  SiC  MOSFET  

结型场效应管巧配对

飞兆半导体锂离子电池组保护设计解决方案

  • 便携产品的设计人员通常在设计的每个阶段都会面对减小空间和提高效率的挑战。在超便携应用等使用单节锂离子电池的产品中，这是一个特别重要的问题。
  • 关键字： 飞兆半导体  MOSFET  FDMB2307NZ  

Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。
  • 关键字： Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

场效应管和CMOS集成电路焊接技巧

  • 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
  • 关键字： CMOS  场效应管  集成电路  焊接    
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场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍

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