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EEPW首页 >> 主题列表 >> 场效应管(mosfet)检测方法与经验

场效应管(mosfet)检测方法与经验文章进入场效应管(mosfet)检测方法与经验技术社区

集成高压MOSFET可实现PFC的HiperPFS控制器芯片

用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品，一款 ...
关键字：集成高压 MOSFET PFC 控制器芯片

新型MOSFET满足高速开关等三大关键性能

现在人们关注“平板电视”和“太阳能电池”，这两个领域都注重环保理念，需要进行低损耗、高效率的产品开发。 ...
关键字： MOSFET 高速开关

Vishay Siliconix再次刷新MOSFET记录

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。
关键字： Vishay MOSFET Si8802DB

估算热插拔MOSFET的瞬态温升—第1部分

在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法。热插拔电路用于将...
关键字： MOSFET 瞬态温升

Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。　　　　与前一代S系列器件相比，新的
关键字： Vishay Siliconix MOSFET

满足开关电源要求的功率MOSFET

近年来，电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大（某些电源系统输出几十安培到上百安培）。因此，电源设计中采用...
关键字：开关电源 MOSFET

Vishay的MOSFET荣获Top-10 DC/DC电源产品奖

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。
关键字： Vishay MOSFET

只用两只MOSFET的双线圈继电器驱动器

闭锁继电器在给线圈一个短电压脉冲时，会改变自己的状态。由于这些继电器不需要连续的线圈电流来保持状态...
关键字： MOSFET 继电器驱动器

音响中的场效应管和双极型晶体管

1功率放大器用场效应管或双极型晶体管（以下简称晶体管）作前级和后级对信号进行放大处理。而采用场效应管做的 ...
关键字：音响场效应管双极型晶体管

简单场效应管功放电路图甲类DC功放

简单场效应管功放电路图甲类DC功放用AP500A作推动级，末级精选一对日立名管K1058/J162担任。图中K1、K2为钮 ...
关键字：场效应管功放甲类DC

基于TLE6210和L9349设计的ABS驱动电路

ABS作为如今汽车上必备的安全电子设备，其功能越来越受到人们的重视。ABS系统通过电磁阀和回油泵来完成对...
关键字：驱动电路 ABSTLE6210 MOSFET

两种常见的MOSFET驱动电路设计

由分立器件组成的驱动电路((如图所示)，驱动电路工作原理如下：　　A.当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压(Phase)接近电源电
关键字：电路设计驱动 MOSFET 常见

图解使用数字万用表测量场效应管MOS管

场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管。而MOS...
关键字：数字万用表场效应管

安森美半导体持续扩充下一代计算产品平台方案

Sept. 21, 2011 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续为简化及加快计算平台设计而扩充其产品系列。
关键字：安森美半导体 MOSFET

Power Integrations推出HiperLCS系列高压LLC电源IC

美国加利福尼亚州圣何塞，2011年9月14日讯 – 用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC，新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升效率（最高效率可超过97%），又可缩小尺寸，即利用高频工作（最高达750 kHz）来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。
关键字： Power Integrations MOSFET HiperLCS器件

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场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍

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