传统的离线开关模式功率转换器会产生带高谐波含量的非正弦输入电流。这会给电源线、断路开关和电力设施带来...
关键字:
PFC MOSFET PWM
中心议题: 同步整流基础知识 优化同步整流MOSFET解决方案: 确定优化MOSFET的负载电流 借助四象限SR器件优化表选择MOSFET 1. 引言 电源转换器的封装密度日益提高和节能标准越来越严格,
关键字:
MOSFET 最优化 选择 整流 同步
摘要:新推出的全桥移相控制器LM5046,全桥变换器的全部功能,LM5046组成的全桥DC/DC基本电路,内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能,文中一一有分解说明。 关键词:全桥移相控制器LM5046;28个PIN脚功能 (上接第
关键字:
控制器 -LM5046 全桥移 驱动器 MOSFET 集成
高效率和节能是家电应用中首要的问题。三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设...
关键字:
意法半导体 MOSFET 逆变器
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,
关键字:
MOSFET 驱动 电路设计
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。
关键字:
Vishay MOSFET SiZ300DT SiZ910DT
日前,集设计,开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司(AOS),发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命,还可以使设计变的更简单紧凑,适用于便携式产品,例如:平板电脑、智能手机,电子书、笔记本电脑、数码相机及便携式音乐播放器。
AON7421和AON7423是20V P沟道MOSFET,它们的RDS(ON)是目前市
关键字:
AOS MOSFET
在CCMPFC中,通过改善MOSFET技术可以减少开关损耗,甚至可通过SiC技术改善升压二极管来减少MOSFET的开关损...
关键字:
开关 PFC MOSFET
开关电源(SwitchModePowerSupply;SMPS)的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流...
关键字:
开关电源 IGBT MOSFET
当前,设计人员正面临为各种应用产品的电源设计反激电路的挑战,现在找到能够简化工作的方法。全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)发布一款易于使用、功能强大的在线仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW),这款工具可让设计人员无需应用指南,也可以像电源专家一样进行“自动化设计”、优化或“先进设计”。
关键字:
飞兆 MOSFET PSW
超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压,已成为大功率LED的关键材料之...
关键字:
LED GaN MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。
关键字:
Vishay MOSFET
通常,在功率MOSFET的数据表中的第一页,列出了连续漏极电流ID,脉冲漏极电流IDM,雪崩电流IAV的额定值,然后对于许多电子工程师来说,他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中,它们如何影响系统以及如何选
关键字:
电流 MOSFET 功率 理解
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC,适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
AUIRS2332J 高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器具备三个独立的高低侧参考输出通道。IR专有的 HVIC 技术使单片式结构坚固耐用,而且其逻辑输入与 CMOS 或 LSTTL 输出相兼容,低至3.3V 逻辑。新器件还提供能通过外部电流感应电阻来进行桥电流模拟反馈的集成接地参考运算放大器
关键字:
国际整流器公司 MOSFET 栅极驱动IC
场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍
您好,目前还没有人创建词条场效应管(mosfet)检测方法与经验!
欢迎您创建该词条,阐述对场效应管(mosfet)检测方法与经验的理解,并与今后在此搜索场效应管(mosfet)检测方法与经验的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473