场效应管(mosfet)检测方法与经验 文章
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- 闭锁继电器在给线圈一个短电压脉冲时，会改变自己的状态。由于这些继电器不需要连续的线圈电流来保持状态...
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MOSFET 继电器 驱动器
- 1功率放大器用场效应管或双极型晶体管（以下简称晶体管）作前级和后级对信号进行放大处理。而采用场效应管做的 ...
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音响 场效应管 双极型 晶体管
- 简单场效应管功放电路图甲类DC功放用AP500A作推动级，末级精选一对日立名管K1058/J162担任。图中K1、K2为钮 ...
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场效应管 功放 甲类DC
- 由分立器件组成的驱动电路((如图所示)，驱动电路工作原理如下： A.当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压(Phase)接近电源电
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电路设计 驱动 MOSFET 常见
- 场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管。而MOS...
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数字万用表 场效应管
- Sept. 21, 2011 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续为简化及加快计算平台设计而扩充其产品系列。
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安森美 半导体 MOSFET
- 美国加利福尼亚州圣何塞，2011年9月14日讯 – 用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC，新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升效率（最高效率可超过97%），又可缩小尺寸，即利用高频工作（最高达750 kHz）来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。
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Power Integrations MOSFET HiperLCS器件
- 电动自行车具有环保节能，价格合适，无噪声，便利等特点，因此，电动自行车成为当今社会人们主要的代步工具。与此同时，消费者和商家对整车的质量及可靠性要求也越来越高。作为整车四大件之一的控制器的可靠性显得尤
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电路 设计 驱动 MOSFET 自行车 控制器 电动
- 1.什么叫场效应管？Fffect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载 ...
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场效应管 工作原理
- 许多汽车制造商设计了一种节省汽车燃料的巧妙方法，就是运用了被称为“启动/停止”系统的新概念。该系统...
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MOSFET 引擎 离合器
- 新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
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比较 MOSFET 晶体管 双极结 VCEsat
- 摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能
1 LM
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控制器 -LM5046 全桥移 驱动器 MOSFET 集成
- 随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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MOSFET 高精度 设计技巧
- 全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装，电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧，60V 下最大为2.1 毫欧，75V 下为 2.6 毫欧，100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。
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IR MOSFET
场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍
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