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台积电、1nm 文章 进入台积电、1nm技术社区

台积电张忠谋预计第四季度营收将现环比增长

  •   据台湾媒体报道,台积电董事长张忠谋预计,第四季度公司营收将较第三季度出现增长。   据台湾《工商时报》报道,芯片设计商高通和Nvidia近期造访了台积电等合约制造商,报道未署名消息来源。   张忠谋的预期好于市场预期水平。市场此前预计,台积电第四季度营收或将下滑约10%,至新台币810亿元(约合25亿美元)。今年7月底,台积电预计第三季度营收在新台币880亿元-900亿元(约合27.16亿-27.78亿美元)间,主要受芯片需求回升和全球经济复苏提振。   台积电今年使用了更为先进高效的技术,提高
  • 关键字: 台积电  芯片  

台积电40纳米良率偏低 传给予客户代工折扣

  •   原先预期绘图晶片双雄40纳米大战将会在2009年第2季正式开打,其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770备受市场关注,稍后NVIDIA也会跟进发布40纳米产品,但出乎预料的是,由于台积电40纳米制程良率偏低,传出仅达2成左右,令超微受伤遭受重创。   超微5月初准备大举登场的ATI Radeon HD 4770绘图芯片,首度导入台积电40纳米制程,由于功耗降低、效能提升,备受市场期待,然在6月时因实际出货量相当稀少,仅少数一线业者有货可卖,使得超微错失逆转契机,外界开始质疑40纳
  • 关键字: 台积电  40纳米  绘图芯片  

台代工厂面临危机 积极跨足面板

  •   据台湾媒体报道媒体普遍关注林百里和郭台铭之间的友情与竞争,但是此事件真正凸显的,其实是台湾代工产业面临危机,已经到了非转型不可的关头。   台湾的代工产业面临转型危机,早已经不是新鲜的话题。从股价走势观察,几家科技代工大厂鸿海、广达、华硕、仁宝等,股价都不如前几年风光,由此可以看出代工产业利润已大不如从前,如果不适时转型,获利能力将会愈来愈不理想,企业发展将遇到很大困难。   代工产业积极跨足面板   不只代工厂如此,连身为晶圆代工龙头的台积电,近年来也着手进行转型,开始切入太阳能产业。任何企业
  • 关键字: 台积电  晶圆代工  面板  

台积电拟并购高亮度LED最大厂LUMILED

  •   台积电跨足绿能产业满半年,LED业界传出,台积电正与全球高亮度蓝光LED最大厂LUMILED公司洽谈并购事宜,藉由切入终端应用以达2018年20亿美元的目标。   台积电对此传闻不予置评。但此一传闻在创投界已传了三年,碍于价格问题,以及台积电尚未确定跨足LED,始终未拍板。   LUMILED大股东是PHILIP跟惠普,去年因为金融海啸造成亏损,菲力普有意出售这个不赚钱的部门。此外不同于其它LED业者在海外设立代工厂商、降低成本,LUMIED相对成本较高,不利竞争。   业者指出,PHILIP早
  • 关键字: 台积电  LED  太阳能  

台积电洽购飞利浦子公司

  •   台湾《经济日报》周二援引未具名行业消息人士的话称,芯片代工龙头台积电正在就收购飞利浦电子旗下子公司飞利浦流明(Philips Lumileds Lighting Co.)一事进行洽谈,此举旨在增强台积电发光二极管(LED)业务。   报导称,台积电拒绝就此事置评。
  • 关键字: 台积电  LED  芯片代工  

台积电张忠谋重任CEO近百日:投行上调目标价

  •   9月19日,将是台积电董事长张忠谋重任CEO的第100天,在这100天内,他已经给了市场投资人一个大礼,而四大投行摩根大通夏鲍文、美林证券何浩铭、花旗陆行之及高盛吕东风,也都跟着调高台积电的目标股价。   根据台积电公布的最新财报,第三季合并营收约九百亿新台币,环比增长21%;第三季毛利率约为48%,大幅优于市场预期。今年资本支出预估也由年初的15亿美元上修至23亿美元,对半导体产业的复苏速度也比先前预期的更快,预估2011年产值即可恢复到2008年水准。   张忠谋一口气调高全球半导体产值、电子
  • 关键字: 台积电  晶圆  

台积电四季度将增加40/45nm制程300mm晶圆的产能

  •   据Digitimes报导,台积电公司计划未来数月内对40/45nm制程 300mm晶圆产品进行增产。尽管此前预计的四季度芯片销量有可能会下降3%左右,但台积电依然决定将40/45nm制程 300mm晶圆产品的产能提升1/3.按他们的计划,在今年剩下的四个月中台积电的45/40nm 300mm晶圆平均月产量将达4万片,而今年三季度的平均月产量则只有3万片。   今年三季度台积电只用上了93%的产能进行制造,而在剩下的几个月内他们的300mm产线显然要开足马力进行生产了。
  • 关键字: 台积电  晶圆  300mm  芯片  

台积电2009年­八月营收报告

  •   台湾积体电路制造股份有限公司今(10)日公布2009年八月营收报告,就非合并财务报表方面,营收约为新台币288亿8,800万元,较今年七月减少了4.6%,较去年同期减少了6.8%。累计2009年一至八月营收约为新台币1,687亿2,200万元,较去年同期减少了27.5%。   就合并财务报表方面,2009年八月营收约为新台币298亿2,700万元,较今年七月减少了4.3%,较去年同期减少了6.4%。累计2009年一至八月营收约为新台币1,747亿1,200万元,较去年同期减少了27.0%。
  • 关键字: 台积电  财务  

40nm工艺带来全新竞争力

  •   全球能源问题的集中爆发,让半导体产品的发展不再仅仅追求性能的提升,而是要综合考虑性能、功耗与成本的平衡点。与众多先进电源管理方案实现降低系统功耗相比,制程工艺的进步才是提升性能和降低功耗最根本的办法,转向更高制程无疑是提升半导体产品性能功耗比和市场竞争力最直接有效的办法。   市场研究机构Gartner Dataquest产业分析师Kay-Yang Tan表示,过去数十年来,集成器件制造商(IDM)在工艺技术及服务的创新方面扮演领航者的角色,未来也将继续在新一代产品的开发上扮演重要的角色。同时,专业
  • 关键字: 台积电  DRAM  40nm  45nm  200909  

台积电打入CPU代工市场 获Sun高端处理器订单

  •   经过一年半的合作,台积电终于拿下首颗高阶服务器处理器代工订单,正式进入CPU代工市场!美国Sun Microsystems最近在美国Hot Chips大会中,发表新款16核心Rainbow Falls系统处理器,该款处理器主要委由台积电40纳米制程代工,明年可望顺利量产投片,成为台积电明年营收成长的主要动力来源之一。   台积电与Sun在去年2月底宣布合作,Sun将把先前的服务器用UltraSPARC处理器,委由台积电以45/40纳米代工,未来世代的处理器也将交由台积电生产。另外,台积电也与Sun合
  • 关键字: 台积电  CPU  40纳米  晶圆代工  

2012年晶圆代工将增长22% 3倍于产业均速

  •   据外电报道,全球半导体产业复苏脚步加快,野村半导体产业分析师徐袆成表示,配合IDM扩大委外释单,全球晶圆代工从今年到2012年的营收年复合增长将大升22%,是半导体产业增长速度的3倍,更将是半导体供应链中最赚钱的产业。   台积电和联电在SOI技术与先进制程等占优势,是这一波IDM扩大委外释单的主要受惠者。   明年第二季度起,各产品线都会开始赚钱,且获利增长力度将延续到2012年。
  • 关键字: 台积电  晶圆代工  

亚太晶圆代工厂2009年下半扮演资本支出复苏推手

  •   SEMI World Fab Forecast最新出炉报告,2009年前段半导体业者设备支出下滑,其中第1季的资本支出便较2008年第4季下滑26%至32亿美元。然而,资本支出在2009年第2季便已呈现落底,目前在整个产业供应链也已经看到稳定回升的讯号,其中晶圆代工厂2009年下半年扮演资本支出复苏推手,存储器晶圆厂、后段封测则跟进。   晶圆代工厂台积电宣布,增加2009年资本支出回复到2008年19亿美元的水平,比起原本的预测提高了26%左右。随后,台积电第2季的投资法人说明会上,台积电又进一步
  • 关键字: 台积电  晶圆代工  NAND  

台积电28纳米明年1Q试产 迎击IBM阵营

  •   台积电28纳米制程再迈大步,预计最快2010年第1季底进入试产,2011年明显贡献营收,台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单,目前28纳米制程技术最大竞争对手,仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered),双方竞争更趋激烈。   台积电表示,已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图,预计2010年第3季进行试产,至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产
  • 关键字: 台积电  28纳米  gate-last  

台积电将低功耗高k金属栅工艺纳入28纳米技术蓝图

  •   台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)工艺的技术蓝图,预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。   台积电自2008年九月发表28纳米技术以来,技术的发展与进入量产的时程皆按预期计划进行。就试产时程顺序而言,低耗电氮氧化硅(简称28LP)工艺预计于2010年第一季底进行试产,高效能高介电层/金属闸(简称28HP)工艺则预计于2010年第二季底开始试产,而低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)工艺的试产时程
  • 关键字: 台积电  28纳米  HKMG  

台积电28纳米SRAM良率突破

  •   台积电24日宣布率业界之先,不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率,而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的良率。   台积电研究发展副总经理孙元成博士表示:“所有三种28纳米系列工艺皆已由64Mb SRAM芯片完成良率验证,是一项傲人的成就。更值得一提的是,此项成果亦展现我们两项高介电层/金属闸(High-k Metal Gate)工艺采用gate-last
  • 关键字: 台积电  28纳米  SRAM  
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