- Buddy算法的μC/OSII高可靠内存管理方案,1 内存管理概述内存管理是操作系统的中心任务之一，其主要任务是组织内存以容纳内核和待执行程序，跟踪当前内存的使用情况，在需要时为进程分配内存，使用完毕后释放并回收内存。目前嵌入式系统中常用的内存管理策略
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管理 方案 内存 可靠 算法 C/OSII Buddy
- 2月27日向法院申请破产保护的日本尔必达(Elpida Memory，6665.TO)昨日在东京股市交易中大跌97%。这家全球第三大动态半导体内存(DRAM)企业申请破产保护时，负债4480亿日元(约合55亿美元)，创日本制造企业破产规模之最。
这一破产消息在全球内存行业旋即激起“骇浪”。据台湾集邦全球电子交易市集(DRAMexchange)的数据显示，DRAM芯片现货价格2月28日大幅走高，主流DDR3(双数据速率3)价格最高上涨13%。
尔必达主要生产DRAM，
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尔必达 内存
- 三星电子日前针对智能手机发布了新开发的低能耗DDR3 RAM，运行速度为当前产品的2倍。三星是在今天的“国际固态电路大会”(International Solid-State Circuits Conference)上展示了自己4Gb LPDDR3模块的。
据悉，该产品使用的是32纳米技术，相对前任产品节能20%，频率可以达到1600Mbps，另外产品还可以堆叠成8Gb或16Gb，单条标准内存就可以实现32GB的容量。无论是能耗还是性能方面，4Gb LPDDR3都优于目前
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三星 内存
- 固态硬盘供应商SanDisk正在研发一种新型的系统存储器，未来也许能一举替代内存和硬盘。 ReRAM代表电阻式RAM，将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说，关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间，一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。ReRAM基于忆阻器原理，致力于商业化ReRAM的企业包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。
基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件：电阻器、电容器和电感器;电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁
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惠普 内存 ReRAM
- 美光本周三发布了全新低功耗DDR3内存解决方案--DDR3Lm，主要面向平板电脑以及超轻薄笔记本等移动市场。首批产品包括2Gb、4Gb两种规格，宣称可为移动产品带来更长续航时间的同时，依然拥有不俗的性能和较高的性价比。
首先是2Gb DDR3Lm，相比标准2Gb DDR3L(低电压版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高频率为1600MHz。而4Gb DDR3Lm同样主打低功耗，待机状态下功耗只有3.7mA IDD6，最高频率可达1866MHz。二者都采用了美光30nm新工艺，以进一步优
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- 虽然内存价格暴跌已经导致该行业四大企业中的三家出现亏损，但美光科技总裁马克·亚当斯(Mark Adams)周五表示，电脑内存价格很可能已经见底。作为全美唯一一家DRAM存储芯片厂商，美光科技去年12月发布的业绩显示，由于PC需求放缓导致产品价格下跌，该公司已经连续第二季度亏损。“我不认为DRAM市场还会继续下行，现在感觉已经稳定。”亚当斯说。
各大存储芯片厂商都在努力平衡电脑内存的供需关系，在这一行业中，建设工厂需要花费数年时间，因此很难轻易关闭。但该行业却
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美光 内存
- 嵌入式内存数据库的研究与设计,摘要：近年来,各种嵌入式内存数据库不断涌现,但由于各种原因,很多产品不具有通用性、高效性、可靠性,以致于很难在市场上推广开来。针对上述情况,提出一种新的嵌入式内存数据库的设计方法,该方法结合当前流行的java语
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- WinCE文件目录定制及内存调整的操作方法,本文介绍了WinCE文件目录定制及内存调整的操作方法。WinCE的文件目录结构以及文件的位置都是在DAT文件中定义的。所有的dat文件会在WinCE编译时合并成initobj.dat文件，WinCE会根据DAT中的描述生成相应目录。 这个
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- 2011年，存储行业经历了几大重要事件：日本地震引起闪存涨价、泰国洪水引起整个DIY产业的震动、单碟1TB硬盘技术正式面世、USB3.0产品强势出击、蓝光3D技术应用产品上市等，都给2011年的存储行业带来了不小的变化。
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硬盘 内存 USB3.0
- 面临洗牌
自20世纪60年代以来，内存芯片便被看作是信息时代的“原油”——它们对电脑和其他设备非常重要，以致于制造商竭尽全力改善内存芯片性能，降低生产成本。然而，上周有消息称，日本内存芯片巨头尔必达正寻求从其客户获得资金支持，这表明在内存芯片行业的竞争中，越来越多的企业濒临出局。
三星电子和海力士等韩国两家大公司目前占据着内存芯片行业的主导地位，美国芯片厂商美光科技与尔必达的市场份额并列第三，但远远落后于三星电子和海力士。内存芯片广泛用于从手
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三星电子 内存
- 专门授权自旋电子(spintronics)磁阻随机存取内存(MRAM)技术的自旋电子组件开发商NVR公司表示，该公司已于美国联邦法院对 MRAM 供货商Everspin Technologies提出侵权诉讼，以捍卫其自旋电子 MRAM 专利技术。
NVE公司指出，在美国明尼苏达州地方法院提起的这项诉讼案指控Everspin侵犯了NVE公司的三项 MRAM 专利。根据NVE公司表示，该侵权诉讼将寻求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止继续使用该技术，并针对其侵权行为造成的NVE财务损失进行
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NVE 内存 MRAM
- 点阵式液晶接口简单，能以点阵或图形方式显示出各种信息，因此在各种电子设计中得到广泛应用。但是，它的接口必须遵循一定的硬件和时序规范，根据不同的液晶驱动器，可能需要发出不同的命令进行控制才能显示数据。而
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设计 模块 液晶显示 内存 采用
- 相变化内存(Phase Change Memory，PCM)是一项全新的内存技术，目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长，为系统工程师提供极具吸引力的技术特性和功能。工程师无
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相变化内存 创新 内存 系统设计
- CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后，电源电压也随之降低，从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有更低的功耗和更高的运行速度，允许系统时钟频
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电源 内存 设计 DDR
- 来自SemiAccurate网站的消息称，三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒，采用移动设备中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb，是它的1/8。
新的内存颗粒最大的亮点是采用目前存储芯片最先进的20nm制程工艺打造，几乎达到了包括相变内存在内的所有DDR内存以及NAND闪存的极限。
相变内存结合了DDR与NAND闪存的特点，具有断电不掉数据，耐久性好，速度快等优点;根据内存制造材料的每个晶胞在晶态/非晶态之间来回转换来存储数据。
预
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三星 NAND闪存 内存
内存介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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