据国外媒体报道，据市场研究公司iSuppli称，随着平板电脑日益流行，预计今年平板电脑DRAM内存的需求将大幅增长。
iSuppli称，平板电脑DRAM内存今年的销量可能会增至3.533亿GB，较2010年的3780万GB猛增835%。预计2012年的销量将达到10亿GB，而到2014年的时候，平板电脑内存的销量将超过35亿GB。
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平板电脑 内存
彭博社报道，受到内存芯片价格下降、诉讼赔偿的双重影响，海力士去年四季度利润大跌83%。
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hynix 内存
据国外媒体报道，Hynix半导体公司CEO O.C. Kwon近日表示，预计明年电脑内存芯片的价格将持续下降，同时，公司第四季度的盈利也会因此受到影响。短期来看，全球芯片市场仍表现低迷。
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Hynix 内存
根据 SEMI 发布的最新全球晶圆厂预测(World Fab Forecast)，预估全球晶圆产能在2010和2011年将分别有8%的成长，而2012年将成长9%;相较于2003~2007年的每年两位数成长，SEMI对明后年的预估相对审慎保守。
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晶圆 内存
封测厂包括京元电子、欣铨科技、硅品精密、力成科技、华东科技和福懋科技等陆续公布10月营收。逻辑IC封测大厂硅品、晶圆测试厂京元电和欣铨科技实绩呈现走跌，同时对第4季景气以持平或下滑看待。而内存封测厂表现较佳，力成、华东和福懋科在DRAM客户产出增加，第4季接单攀升，10月营收较上月成长，法人预料第4季营收将仍可以成长看待。
硅品10月合并营收为新台币50.34亿元，比上月减少3.5%，这是下半年以来连续2个月衰退。硅品董事长林文伯指出，综合国内外芯片大厂第4季看法，普遍认为会下滑，但对照系统厂乐
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封测 内存 逻辑IC
相变化内存原理分析及设计使用技巧, 相变化内存(Phase Change Memory，PCM)是一项全新的内存技术，目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长，为系统工程师提供极具吸引力的技术特性和功能。工程师
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设计 使用技巧 分析 原理 内存 变化
继Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作开发新世代内存ReRAM技术和材料，Elpida(尔必达)与Sharp(夏普)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮。内存业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相变化内存)和MRAM(磁性随机存取内存)等次世代内存，将会有一番激烈竞争。
值得注意的是，海力士与惠普日前才宣布要共同开发ReRAM技术，惠普具有新的极小电子组件(Memory resistors;Memristors)技术，采用十字结构，相
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内存 ReRAM
根据近日发布的数据显示，尽管重要的PC元件已经有很大的成本下降，但是PC的价格仍然是没有多大变化。根据调查公司Context的调研数据来看，从九月开始电脑内存和 硬件产品已经连续三个月下降，今年六月份是价格达到顶峰的时期。 2010年6月一个1024MB DDR3内存的平均样本价是21英镑，但是到了九月份同样的产品已经下降到了17英镑，下降了多达20%。
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元件 内存 PC
目前模拟、内存与PC芯片等市场，似乎处于淡季状态──如果不是真的衰退;那么，半导体产业究竟是正朝向成长速度趋缓、停滞，抑或是又一次恐怖的衰退?对此市场研究机构VLSI Research执行长G.DanHutcheson认为，以上皆非，芯片产业在2010年的热启动之后，将“回归正常”。
也就是说，芯片市场会冷却到某种程度，回到一个更合理的成长周期;但该市场仍有一些值得忧虑的地方──9月份全球芯片销售额数字就是一个警讯，可能预示今年剩下的时间与明年，市场表现会不如预期。&ld
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IC 内存
在6月份成功试产63nm工艺内存颗粒后，茂德本计划将其基于该工艺的晶圆月产能提高到35000片，但是由于新设备的供货受到延误，这一计划只能推迟到2011年了。
茂德称，到十月份时基于63nm工艺的晶圆产能将达到10000片，到年底时预计晶圆产能在20000-25000片。
72nm现在是茂德的主要处理工艺，按照之前计划，他们要在2010年底时将该工艺半数多的产能转化到63nm。茂德12寸晶圆厂现在的月产能在6万片。
受到不断下滑的DRAM颗粒价格下滑的影响，茂德9月份收入环比下降7.
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茂德 内存 63nm
据HKEPC网站报道，市调机构DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM颗粒合约价持续下调， DDR3 1Gb颗粒均价趺破2美元关口， DDR3 2GB模块合约价亦由36美元下调至34美元，跌幅约为5.5% ，而低位更曾经下试33美元新低水平，第三季度DDR3模块合约价下跌约2.3% ，创下至去年年中减产后单季最大跌幅，不仅DDR3内存DDR2合约价亦紧贴DDR3合约价下跌， DDR2 2GB模块合约均价约为33美元水平，跌幅约为6% 。
现货市场方面，由于广州亚运将于11月举办，大陆方
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内存 DRAM
目前模拟、内存与PC芯片等市场，似乎处于淡季状态──如果不是真的衰退;那么，半导体产业究竟是正朝向成长速度趋缓、停滞，抑或是又一次恐怖的衰退?对此市场研究机构VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson认为，以上皆非，芯片产业在2010年的热启动之后，将「回归正常」。
也就是说，芯片市场会冷却到某种程度，回到一个更合理的成长周期;但该市场仍有一些值得忧虑的地方──9月份全球芯片销售额数字就是一个警讯，可能预示今年剩下的时间与明年，市场表现会不如预期。「有一个说法“
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半导体 内存
据iSuppli市调公司发布的调查报告显示，内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长，不过据iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增长的局面有望在数个季度之内有所缓解。根据统计数据显示，今年第二季度内存芯片的制造成本从上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，尽管提升的幅度仅有1.2%，但这是四年以来的首次成本正增长，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度则平均仅-9.2%。
据分析，造成内存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的复杂度和技术要求越来越
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芯片 内存 DRAM
DSP芯片TMS320C6712的外部内存自引导功能的实现,TMS320C6000系列与TMS320C54系列的引导方式有很大差别。在开发应用TMS320C6000系列DSP时，许多开发者，尤其是初涉及者对DSP ROM引导的实现有些困难，花费许多时间和精力摸索。笔者结合开发实例，介绍了实现外部存储器
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引导 功能 实现 内存 外部 芯片 TMS320C6712 DSP
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli 15日表示，由于尔必达公司和南亚科技股份有限公司生产费用出现增长，电脑内存芯片的生产成本近4年来首次上升。
美国加州的市场研究公司iSuppli周二的调查报告显示，动态随机存取存储器(DRAM)内存芯片的平均生产成本从第一季度的每G内存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次内存芯片制造成本的上升发生在2006年的第三季度。
尔必达公司和南亚科技股份有限公司分别是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亚科技股份有限公司在采用新的
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内存 DRAM
内存介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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