目前模拟、内存与PC芯片等市场，似乎处于淡季状态──如果不是真的衰退;那么，半导体产业究竟是正朝向成长速度趋缓、停滞，抑或是又一次恐怖的衰退?对此市场研究机构VLSI Research执行长G. Dan Hutcheson认为，以上皆非，芯片产业在2010年的热启动之后，将「回归正常」。
也就是说，芯片市场会冷却到某种程度，回到一个更合理的成长周期;但该市场仍有一些值得忧虑的地方──9月份全球芯片销售额数字就是一个警讯，可能预示今年剩下的时间与明年，市场表现会不如预期。「有一个说法“
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半导体 内存
据iSuppli市调公司发布的调查报告显示，内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长，不过据iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增长的局面有望在数个季度之内有所缓解。根据统计数据显示，今年第二季度内存芯片的制造成本从上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，尽管提升的幅度仅有1.2%，但这是四年以来的首次成本正增长，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度则平均仅-9.2%。
据分析，造成内存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的复杂度和技术要求越来越
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芯片 内存 DRAM
DSP芯片TMS320C6712的外部内存自引导功能的实现,TMS320C6000系列与TMS320C54系列的引导方式有很大差别。在开发应用TMS320C6000系列DSP时，许多开发者，尤其是初涉及者对DSP ROM引导的实现有些困难，花费许多时间和精力摸索。笔者结合开发实例，介绍了实现外部存储器
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引导 功能 实现 内存 外部 芯片 TMS320C6712 DSP
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli 15日表示，由于尔必达公司和南亚科技股份有限公司生产费用出现增长，电脑内存芯片的生产成本近4年来首次上升。
美国加州的市场研究公司iSuppli周二的调查报告显示，动态随机存取存储器(DRAM)内存芯片的平均生产成本从第一季度的每G内存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次内存芯片制造成本的上升发生在2006年的第三季度。
尔必达公司和南亚科技股份有限公司分别是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亚科技股份有限公司在采用新的
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内存 DRAM
日圆兑美元汇率强势升值，创近15年来新高;台湾存储器业者表示，日圆走势对日系厂商营运势必产生压力，未来将更仰赖台湾合作伙伴。
日本两大半导体厂在全球市场占有举止轻重的影响力，其中尔必达 (Elpida)今年第2季在全球动态随机存取内存 (DRAM)市场占有率为18%，是全球第3大DRAM厂。
东芝(Toshiba)今年第2季在全球储存型闪存(NAND Flash)市场占有率达33.1%，仅次于韩国三星，居全球第2大厂地。
南亚科技副总经理白培霖指出，日圆急遽升值，对日本内存厂尔必达及
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内存 DRAM
据台系内存业者透露，由于PC产品市场需求较为弱势，因此今年9月份内存产品的协议价将继续走低，消息来源并希望年底企业用户更换新电脑产生的市场需求能 够帮助内存产品稳定价格。值得注意的是，在台系内存厂商发出这种悲观的论断之前，三星公司电子芯片部门的首脑人物曾称目前PC销量的持续走低将导致明年第 一季度内存市场出现供过于求的局面。
据消息来源分析，在内存价格下跌的大潮中，PC厂商很有可能会考虑增加自己部分产品的内存容量到4GB水平，不过内存方面的升级将仅限于部分高端型号。另外，欧洲和美国市场对PC机型
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三星电子 内存 芯片
据国外媒体报道，惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。
据一份声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器(memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示，忆阻器也能够执行逻辑。
ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM
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三星电子今天宣布，已经开始在全球范围内首家采用30nm级工艺(30-39nm)批量生产2Gb DDR3内存颗粒。三星称，这种新工艺DDR3内存颗粒在云计算和虚拟化等服务器应用中电压1.35V，频率最高可达1866MHz，而在PC应用中电压为1.5V，皮哦年率最高2133MHz，号称比DDR2内存快3.5倍，相比于50nm级工艺的DDR3也要快1.55倍。
该颗粒属于三星的绿色内存系列，在服务器应用中能比50nm级工艺产品节约最多20%的功耗，在多核心PC系统中30nm级工艺4GB DDR3内存条
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三星电子 内存 30nm
1内存条的工作原理DDR内存条是由多颗粒的DDRSDKAM芯片互连组成，DDRSDRAM是双数据率同步动态随机...
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据国外媒体报道，由于芯片厂商提高产量和PC厂商坚持反对价格进一步上涨的强硬立场，DRAM内存价格在今年6月出现了一年以来的首次下降。
内存芯片价格下降对于每个购买新PC的用户来说都很重要，因为昂贵的DRAM内存芯片价格是PC价格在几年来首次出现上涨的原因之一。但是，内存芯片价格的下降是这个市场出现转变的一个信号。今年年初出现的内存芯片短缺导致芯片厂商提高产量，从而缓解了短缺情况。
现在，Gartner预测内存芯片的平均销售价格在2010年剩余的时间里将温和下降，并且指出DRAM内存厂商能够
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DRAM 内存
台湾媒体报道，茂德今天宣布，他们已在其台湾科技园中部的12寸晶圆厂使用尔必达 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工艺成功试产出了1Gb DDR3内存颗粒。首批测试结果显示，颗粒规格符合业界规范，并全面兼容PC、数码移动电子品应用。茂德今年三月份开始使用尔必达的63nm堆叠制程工艺试产DDR3颗粒，计划在今年三季度实现量产。到年底时，茂德每月为DDR3芯片生产提供的晶圆产量 将达到3.5万片。
茂德表示，他们预计将在明年下半年开始使用尔必达的45nm工艺进行生产，并计划在明年年底
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茂德 DDR3 内存
日本尔必达公司和台湾南亚内存公司最近发表声明称公司愿意接受欧委会有关涉嫌恶意操纵内存芯片价格的处罚决定，不过同遭此指控的其它几家内存厂商则尚未就 此事发表类似的声明。
本月18日，欧委会宣布完成了内存芯片价格垄断案的审理，据欧委会表示，此案涉及10家生产个人电脑/服务器产品用内存芯片品牌，开出的反垄断罚金总额高达4.09亿美元。除了尔必达和南亚之外，此案还涉及三星，Hynix以及镁光等。不过由于镁光在欧盟开始调查此案时主动采取坦白从宽的态度，承认自己涉嫌操纵内存芯片价格，因此欧委会决定网开一面赦
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镁光 内存
全球第二大内存厂商Hynix周二证实，已经接到欧盟通知，将因为非法操纵内存价格而遭到罚款。
Hynix表示，欧盟计划于周三宣布具体的罚款金额。此外，Hynix并未透露其他详情，包括将被罚款的其他芯片厂商等。关于全球多家顶级内存厂商合谋操 控产品价格，欧盟已经调查了多年。美国司法部门也对此展开了调查，并对三星、Hynix和英飞凌进行了罚款。
本周早些时候曾有报道称，此次将有9家企业遭到欧盟罚款，除了上述3家，其他6家公司分别是Elpida、NEC电子、日立、东芝、三菱电子和南亚科技。
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据报道，日本DRAM大厂尔必达今天宣布已经研发出40nm 2Gb移动(Mobile RAM)内存颗粒。该颗粒大小不到50平方毫米，号称目前能够使用40nm工艺实现量产的最小颗粒。该2Gb移动内存颗粒基于40nm CMOS工艺，支持x16-bit、x32-bit位宽，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封装。除JEDEC标准的1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V的低电压工作，数据传输率400Mbps，工作温度-25到85度。
尔必达称，新40nm颗粒在使用了尔必达独家设计工艺以及
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期相变化内存(PCMorPRAM)市场战况火热，继三星电子(SamsungElectronics) 宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后，恒忆(Numonyx)也宣布推出针对PC、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量达128Mb，随着国际大厂接连发动攻势，让原本冷门的相变化内存市场一夕之间热了起来!
全球相变化内存分为3大阵营，包括恒忆/英特尔(Intel)、三星、旺宏/IBM，三
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三星电子 内存
内存介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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