电路的功能一提到低速比较电路，人们都会认为它是一种性能不好的电路，实际上，这种电路可作继电器的驱动电路，如果采用比较器专用IC，其响应时间通常在数百毫微秒以内，有时会出现振荡、突跳等现象。本电路采用通用
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驱动 继电器 低速 比较器
据国外媒体报道，东芝表示预计今年的利润将增长一倍，同时将加大资本投入以满足旺盛的芯片需求。
芯片厂商均预期随着智能手机以及平板类型的数码产品销量增加，今年该行业的复苏将提速，不过一些分析师警告，投资的迅速增长可能引发新一轮的需求过剩。
东芝表示，本财年计划将芯片业务投资增加近一倍，至1600亿日元(18亿美元)，市场份额更大的竞争对手三星电子同样计划大幅增加投资。
乐天(Rakuten)投资管理公司总裁大岛一孝(Kazutaka Oshima)指出：“东芝计划增加芯片业务
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东芝 芯片
系统的安全可靠性主要依赖于系统硬件和软件的稳定可靠性，其中硬件可靠性很大程度上受到系统供电的影响，因此如何做到可靠的电源设计，对系统的稳定可靠性有很大的影响。
随着电子环境的恶劣，人们逐步在寻找实现电源稳定可靠的方法，采用双套电源供电，一旦一套电源出现问题，另一套电源马上工作，保持设备连续正常工作。切换时间是设计的难点，有些环境要求系统不允许重启，需要数据的同步，必须保证切换时间小于系统重启时间。
本文基于以上考虑，介绍两种方案，一种是利用交流接触器实现双路电源切换的方法，该方法使用场
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双路电源 继电器
低碳经济已成为社会各界关注的焦点，从长远来看，可持续的低碳和绿色经济将是未来世界发展的趋势，这无疑为LED照明等节能环保产业的发展带来巨大机遇。以绿色生态照明为核心的新兴LED照明产业如今正在国内加速发展。一方面，我国政府正在加快实施助推这一产业发展的扶持政策；另一方面，国内外企业也在加紧布局。多方合力将有助于我国LED照明产业突破障碍，迈上更高的台阶。
现状篇
千亿元产业受热捧
4月1日，东芝集团宣告进入中国LED(半导体发光二极管)照明市场，其所属企业东芝照明(福州)有限公司在中
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东芝 LED照明
据国外媒体报道，美国旧金山联邦法院的文件显示，日立、东芝和三菱同意支付2780万美元和解芯片价格操纵指控。
该案原告为DRAM芯片的直接采购方，他们指控上述三家公司在1999年至2002年间向美国用户收取了超额费用。根据原告方律师周四提交的文件，日立将支付1150万美元，东芝将支付920万美元，三菱则支付710万美元。
但根据和解协议，上述三家公司均未承认不当行为。三家公司的律师和发言人也均未对此置评。
DRAM是一种被用于电脑、手机和其他电子设备的芯片。美国司法部曾于2002年对多
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东芝 DRAM
据国外媒体报道，美国旧金山联邦法院的文件显示，日立、东芝和三菱同意支付2780万美元和解芯片价格操纵指控。
该案原告为DRAM芯片的直接采购方，他们指控上述三家公司在1999年至2002年间向美国用户收取了超额费用。根据原告方律师周四提交的文件，日立将支付1150万美元，东芝将支付920万美元，三菱则支付710万美元。
但根据和解协议，上述三家公司均未承认不当行为。三家公司的律师和发言人也均未对此置评。
DRAM是一种被用于电脑、手机和其他电子设备的芯片。美国司法部曾于2002年对多
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东芝 DRAM
东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。
目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术，主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制程以下的芯片，需使用较短光波的极紫外光微影(EUV lithography)技术，因此，东芝也将进行相应的技术升级。目前，东芝已向荷兰半导体微影系统大厂ASML订购设备，预计在今年夏天试验投产。消息一经公布，东芝在股市中涨幅达3.5%，远远超过同类电气机器指数0.8%的涨幅
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东芝 NAND 闪存
东芝公司近日宣布他们将在日本三重县四日市现有的生产运营中心附近新建一座Fab5闪存芯片厂，这间芯片厂将于今年七月份开始动工。目前，东芝设在四日市的生产运营中心 已建有四间NAND闪存芯片厂。尽管2008年秋季爆发了全球经济危机，而NAND闪存芯片的市场需求也一度相当萎靡，但近期随着智能手机和其它应用型产 品的热销，闪存芯片的市场需求已经开始回暖，而且未来一段时间内还将保持增长趋势，因此东芝最终作出了开工建造Fab5芯片厂的决定。
按照东芝的计划，其Fab5工厂将于明年春季完工，而后期的投资力度和
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东芝 NAND 闪存芯片
3月23日，东芝在北京召开新品发布会，宣布正式进入中国的LED照明市场。
据悉，发布会上，东芝与中国照明电器协会还共同举办了“中日LED照明技术交流会”，中日双方专家就最新的LED照明技术做了交流。东芝希望通过把最新的节能照明技术带到中国，不断扩大以LED灯为代表的LED照明系列产品。
近日，东芝终止了普通白炽灯的生产业务。东芝表示，今后也将不断为中国市场推出节能，高效的照明产品，减少环境负荷，创造丰富的价值。
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东芝 LED照明
日本最大的内存芯片厂商东芝将重启因经济衰退而搁置的产能扩展计划，它将从7月开始建设新的闪存生产厂。
东芝表示，新生产厂位于日本中部四日市，是公司第五条生产线，预计在2011年春季完建。东芝没有透露该生产厂的建设成本。
包括苹果iPhone在内的智能手机销售的增长，推动了NAND内存需求的增长。据市场调研公司 iSuppli预计，NAND闪存市场今年的总收入将增长34%达到181亿美元。
东芝发言人Hiroki Yamazaki称，虽然东芝尚未决定四日市芯片生产厂的投资规模，但是建立新
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东芝 内存芯片 NAND
概述
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电源 应用 自动控制 继电器 延时 时间 时段
东芝宣布，该公司的制造子公司东芝半导体(无锡)和南通富士通微电子已就设立合资公司事宜签署了正式协议。东芝目前正在不断提高SoC(system on a chip)后工序的海外生产比例并推进无厂化，此次设立合资公司也是该方针的一环。
两公司已于2009年11月就设立封装组装工序(后工序)合资公司达成了基本协议。当时计划2010年1月正式签署协议，2010年4月设立合资公司。此次按计划签署了正式协议。东芝将把东芝半导体(无锡)的制造部门移交给新公司——无锡通芝微电子，东芝半导
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东芝 封装 富士通
消息人士周三透露，东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元，在日本三重县(Mie Prefecture)修建一座闪存芯片制造厂。
报道称，东芝的这一计划将使该公司的NAND闪存芯片制造能力提高大约一倍。东芝原本打算在2008年修建该工厂，但受经济衰退致产品需求下滑的影响，东芝随后取消了该建厂计划。
市场调研公司iSuppli此前发布报告称，全球NAND闪存市场去年第三季度营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存
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东芝 NAND 闪存芯片
下图是采用晶闸管V和限流电阻R1组成的防浪涌电流电路。在电源接通瞬间，输入电压经整流桥（D1～D4）和限流电阻R1对电容器C充电，限制浪涌电流。当电容器 C充电到约80％额定电压时，逆变器正常工作。经主变压器辅助绕
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电路 采用 启动 电阻 构成 继电器 以及 组成
据台湾媒体报道，NAND快闪存储器大厂东芝3日下午宣布，将关闭位于日本福冈县宫若市的封测厂(TPACS)，今年中旬时该厂就将关闭，技术研发及设备等生产线，将移转到东芝NAND晶圆厂大本营的日本三重县四日市工厂内，预计年底前完成移转作业。东芝也决定未来将把NAND封测扩大委由海外企业代工以降低成本，东芝封测代工厂力成将成为最大受惠者。
受到2008年底的金融海啸冲击，日本半导体厂去年亏损赤字大增，包括瑞萨(Renesas)、东芝、NEC、富士通等4大半导体厂，陆续公布最新整并计划，主要是关闭或削减
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东芝 封测 内存
东芝.继电器介绍
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