- 日本最大的芯片制造商——东芝周一表示,尽管日圆走强,但该公司有望实现其在截至明年3月的会计年度,芯片业务营业利润达到12亿美元的预估,因新的电子设备热销,提高了芯片需求。
东芝芯片业务主管小林清志表示,因低质产品供应过多,最近NAND芯片现货价格下降,但这对东芝的影响极小。
NAND闪存芯片需求一直强劲,因受到智能手机和苹果的iPad等移动设备畅销所助。
“整体需求强劲成长情况一直符合我们对2010会计年度的预期,而且我们预计中国国庆节,黑色星期五
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东芝 芯片 NAND
- 多个继电器线圈可由单电源供电,该电源必须大到足以同时驱动所有线圈。另外,这些继电器被密集的排布在很小的区域内,设计时必需考虑线圈的功耗。继电器线圈所需的吸合电压远高于其保持电压。认识到这一点,就有
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- 东芝将于2010年10月发布无需专用眼镜、可裸眼观看三维(3D)影像的液晶电视。这一消息是在9月3日于德国柏林开始举行的消费类产品相关展会“IFA2010”之前,在东芝9月2日举办的新闻发布会上公布的。
虽然有关3D电视的指标等详细内容没有公开,但东芝表示,此次的裸眼3D电视应该是画面尺寸较小的产品。在新闻发布会结束以后,该公司执行高级常务董事兼Visual Products公司社长的大角正明回答日本记者的提问时称“将持续追求3D影像技术。从液晶面板及周边技术
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- “没有永远的敌人,只有永远的利益。”这句名言再次在消费电子行业应验。为节省出口成本,昨日东芝把70万液晶电视代工订单交给竞争对手康佳。
据悉,康佳集团与日本东芝公司签署了70万台液晶电视代工订单,此订单涵盖多个尺寸的电视,代工模式主要以ODM的方式。这是继5月份东芝与康佳签订白电代工订单后,再次合作。康佳国际营销事业部副总经理何小华向记者介绍,与以往的OEM代工模式不同,OEM是完全为企业制造,而ODM有设计的概念在里面,康佳可以根据客户的需要进行专门的设计和研发。
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- 东芝公司宣布,即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片,这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。
东芝透露,24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLC NAND闪存芯片,单颗容量64Gb(8GB),今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。
东芝表示,新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率,同时还支持Toggle DDR接口规范,有助于增强数据传输速度。
在此之前,Intel、美光合资的IM Fl
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东芝 NAND闪存 24nm
- 功率方向继电器 工作原理和特性 当输入量(如电压、电流、温度等)达到规定值时,使被控制的输出电路导通或断开的电器。可分为电气量(如电流、电压、频率、功率等)继电器及非电气量(如温度、压力、速度等)继电
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- 据国外媒体报道,东芝近日表示,该公司计划通过在新兴经济体寻找新供货商,在未来三年内削减1万亿日元(约合116.4亿美元)的支出。东芝表示,此次削减支出将主要在数字产品和家电领域。
东芝发言人表示,在截至2013年3月末的财年里,东芝预计来自海外的供应将占公司采购支出总额的70%。这一比例在上一财年为53%。
与许多日本科技产业的同行一样,东芝当前面临的来自韩国和中国公司的竞争压力不断加剧。业内人士指出,如果东芝要同亚洲竞争对手进行竞争,那些成本效率将变得至关重要。日立在今年6月曾表示,未来
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东芝 闪存芯片
- 东芝照明近日开发出了两款LED路灯。该LED路灯的亮度相当于一个400W的水银灯或180W的高压钠光灯(平均路面亮度)。
该路灯属于东芝E-Core系列LED灯,在平均功耗122W情况下,多个LED路灯可实现路面平均亮度1流明。一般情况下,400W水银灯(KSC-4)或180W的高压钠光(KSH-2)等的功耗分别在415W和195W。因此东芝照明认为,该LED路灯的使用可大幅度降低国道上照明设施的功耗。
而且,该LED路灯的亮度还可以逐步得到调整,最大调整幅度50%(需要输入电压200V)
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- 日本半导体厂2010年度第1季(4~6月)财报表现明暗两极。东芝(Toshiba)、尔必达(Elpida)拜内存事业表现亮眼之赐,获利从谷底攀升;瑞萨电子(RenesasElectronics)则因系统芯片事业拖累,该季仍难挥别亏损阴霾。
东芝半导体事业的营业利益皆为NANDFlash所挹注。副社长村冈富美雄表示,受惠于苹果(Apple)iPhone等智能型手机需求带动,加上 NANDFlash均价跌幅趋缓,东芝半导体事业表现远超过预期。小幅亏损的系统芯片事业亦因NANDFlash的丰沛获利得以
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- 三星和东芝今天共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术:拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存,即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。
最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps,现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps,是DDR 1.0的3倍,普通SDR NAND闪存的10倍。
高速闪存接口的优势不言而喻,未来将
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三星 NAND 东芝
- 东芝(Toshiba)5日于日股收盘后发布新闻稿宣布,旗下中小尺寸液晶面板子公司Toshiba Mobile Display Co., Ltd(TMD)已于7月1日完成其新加坡面板子公司Advanced Flat Panel Display(AFPD)股权转让手续,已将AFPD 100%股权出售给台湾友达(2409)。AFPD所产液晶面板尺寸为730x920mm,月产能达45,000片,采用低温多晶硅(LTPS)技术。
新闻稿指出,今后TMD会将公司资源集中于手机、智能型手机等可携式产品以及汽车
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东芝 液晶面板
- 东芝(Toshiba)5日于日股收盘后发布新闻稿宣布,旗下中小尺寸液晶面板子公司Toshiba Mobile Display Co., Ltd(TMD)已于7月1日完成其新加坡面板子公司Advanced Flat Panel Display(AFPD)股权转让手续,已将AFPD 100%股权出售给台湾友达(2409)。AFPD所产液晶面板尺寸为730x920mm,月产能达45,000片,采用低温多晶硅(LTPS)技术。
新闻稿指出,今后TMD会将公司资源集中于手机、智能型手机等可携式产品以及汽车
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东芝 液晶面板
- 东芝今天宣布,正在与三菱汽车合作加速SCiB充电电池的开发,将其用于电动车。SCiB是东芝提出的一种革命性可充电锂离子电池,拥有充电快速(五分钟内充电90%)、安全 性高(陶瓷材料和高燃点电解液)、能量密度高(堪比电容器)、寿命长(充 电放电循环6000多次)、耐低温(最低工作温度可达-30℃)等一系列突出特点,非常适合高级电动车使用。
SCiB电池已经提出多年,但至今仍处于开发阶段。为了将其带入电动车,东芝自行开发了新的阳极材料和电解液,兼顾安全性和快速充 电特性。
从2011年起,东芝
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东芝 充电电池 电动车
- 东芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15~17日,美国夏威夷州檀香山)上,发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化,可抑制SRAM的最小驱动电压上升。东芝此次证实,单元面积仅为0.24μm2的32Mbit SRAM的驱动电压可在确保95%以上成品率的情况下降至0.9V。因此,低功耗SoC的驱动电压可从65n
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东芝 40nm SoC SRAM
- 东芝刚刚创造了移动存储芯片的最高容量记录,利用32纳米制程制造出128GB的内置闪存芯片,这种芯片仅有0.06英寸厚度,可以存储16.6小时的1080p视频,预计八月份量产,九月份开始出货,首批可能会供给苹果制造iPhone和iPod,此外东芝自家笔记本产品也会配这种芯片。
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东芝 存储芯片 32纳米 128GB
东芝.继电器介绍
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