据日本经济新闻报导，东芝计划今年关闭其国内2个NAND闪存工厂之一,而把存储芯片封装工作全部集中于另一工厂。
即将关闭的工厂隶属于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福冈县宫若市,该厂生产设备以及约400名员工将被转移到东芝三重县四日市的工厂。
为降低生产成本，东芝会将日本本部作为其研发及测试中心，并加速将量产工作移往海外。
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东芝 NAND
东芝公司一位发言人最近暗示，东芝公司很可能会退出LCD产品制造领域。在上月29日召开的公司财报会议上，东芝公司高级执行副总裁Fumio Muraoka称东芝公司正在想方设法扭亏为盈，其具体措施可能包括“退出LCD制造业”等。他并表示市场需求萎缩，产品价格下跌以及日元近期的强势表现是导致东芝公司近况不佳的主要原因。
东芝集团中负责LCD产品业务的主要是东芝移动显示公司(Toshiba Mobile Display)，这家公司去年4月到12月份的营业损失额高达191亿日元(约
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大陆工业继电器市场受经济环境影响增长缓慢
据捷孚联合(JFUnited)最新出版的调查报告《2009年大陆工业用继电器市场调查报告》显示，2008年大陆工业用继电器市场容量约为10.9亿元，2009年大陆工业用继电器市场容量达到11.6亿元。
受整体经济环境的影响，大部分工业继电器企业2008年的业务增长比较缓慢，部分企业出现零增长或负增长，工业继电器行业2008年整体增速不到5%。在2009年，经济危机对工业继电器的主要应用领域—机械行业的影响并没有消除，各主要工业继电器企业
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编者语：2008年，在金融危机的冲击下，全球经济惨淡，威琅电气中国业务却逆势扬威，全年销售业绩增长110%，成为业界一道亮丽的风景。2009年3月4-7日，威琅又携带主打产品、以其崭新的面貌，第一次亮相广州国际工业控制自动化展，吸引了现场许多观众、展商的眼球。针对威琅是怎样取得如此卓越的成绩、保持快速的发展，中华工控网记者带着欣喜和好奇在展会现场有幸采访了威琅电气总经理刘伟先生。
全球眼光 中国战略
威琅电气集团有限责任公司成立于1910年，已经有百年的历史，是电气接插件技术领域世界领先的
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日本东芝公司在NAND闪存制造领域的地位可谓举足轻重，其有关产品的产销量仅次于三星公司，目前东芝公司推出的SSD硬盘产品中采用了自己设计的 NAND闪存控制器，这种产品在OEM厂商中口碑甚好。去年第三季度，东芝已经开始量产32nm NAND闪存芯片，不过目前东芝所售出的SSD硬盘产品仍以43nm NAND型产品为主力，这样OEM厂商乃至终端客户便无法享受到32nm制程技术带来低成本实惠。
不过东芝近日宣布，他们将开始测试部分采用32nm NAND闪存芯片试制的SSD硬盘产品，并将于本季度推出
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据国外媒体报道，日本国内的半导体巨头重新开启了增产投资的大门。东芝公司一直生产手机等设备上使用的闪存，并在该领域排名全球第二，该公司计划与美国公司共同出资1500亿日元，以提高这方面的产能，增产程度约为4成。尔必达公司主要生产PC的内存，该公司计划在2010财年向主要生产厂投资600亿日元，将出货量提高3成。
自今年夏天以来，全球半导体市场呈现坚挺的走势，PC销售等在需求的刺激下得到恢复。全球经济危机后，日本IT业大公司一改过去的谨慎投资的态度而变为积极投资，以期待与韩国三星公司展开竞争。
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自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1,500亿日圆(约16亿美元)于NAND Flash事业，提高约4成产能;尔必达(Elpida)亦计划在2010年度中，投资600亿日圆于主力据点，以增加3成出货量。
报导指出，东芝拟于2010年度初期在三重县四日市NAND Flash厂导入尖端设备，此亦为2007年来东芝在NAND Flash事业上的大举投资。据悉，增设新生产线后，整厂生产规模将由26万
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东芝 NAND
据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。
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东芝 NAND 闪存芯片
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli最新研究数据显示，第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球NAND闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。
iSuppli资深分析师Michael Yang说：“东芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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东芝公司本周一发布了据称为业内最大容量的64GB嵌入式NAND闪存模组。这种模组内建专用的控制器，并内含16个采用32nm制程技术制作的32Gbit存储密度的闪存芯片，这种闪存芯片的厚度则仅有30微米。
这款内存模组产品装备在便携设备如iPod/智能手机等之上后，手机的存储容量将实现倍增。比如采用单闪存模组设计的iPhone的容量可由原来的32GB提升到64GB,而采用双闪存模组设计的iPod touch的最大容量则可达到128GB。
东芝本月将开始对外提供这种64GB嵌入式闪存模组的
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东芝公司今天在美国马里兰州巴尔的摩市举行的IEDM半导体技术会议上宣布，其20nm级CMOS工艺技术获得了重大突破，开启了使用体硅CMOS工艺制造下一代超大规模集成电路设备的大门，成为业界首个能够投入实际生产的20nm级CMOS工艺。东芝表示，他们通过对晶体管沟道的掺杂材料进行改善，实现了这次突破。
在传统工艺中，由于电子活动性降低，通常认为体硅(Bulk)CMOS在20nm级制程下已经很难实现。但东芝在沟道构造中使用了三层材料，解决了这一问题，成功实现了20nm级的体硅CMOS。这三层材料
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微捷码日前宣布，东芝公司(Toshiba Corporation)将部署Quartz(tm) DRC和Quartz LVS用于快闪存储器设计。东芝公司是在32纳米设计上验证了这两款微捷码物理验证产品的精度后才做出的这个决定。据验证结果显示：Quartz DRC和Quartz LVS的先进功能可改善东芝快闪存储器设计的良率和可靠性。
传统DRC和LVS工具仅采用物理行为分析，这种方式不是引入了过度保守主义，就是不能识别出对产品可靠性有影响的各种效应。在先进工艺节点，电学行为分析也是不可或缺的。微捷
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11月20日消息，据国外媒体报道，日本东芝表示，出于节省成本的考虑，计划在中国设立合资公司,用以组装系统芯片。
东芝表示，将和南通富士通微电子股份有限公司合作，并将在新合资公司中持有80%的股权，但东芝拒绝给出投资数据或合资公司的产能。
东芝还透露表示，东芝半导体(无锡)将封装并测试基础系统芯片(晶片)，例如用于控制模拟电视音频和视频信号的芯片。
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东芝.继电器介绍
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