欧盟委员会周四表示，已批准向英飞凌提供9.2亿欧元的德国国家援助，用于在德累斯顿建设一座新的半导体制造厂。欧委会补充说，这项措施将使英飞凌能够完成MEGAFAB-DD项目，该项目将能够生产多种不同类型的芯片。全球的芯片制造商正在向新工厂投入数十亿美元，因为他们利用美国和欧盟慷慨的补贴，使西方国家在发展尖端半导体技术方面领先于中国。到 2030 年，欧盟委员会已为公共和私营半导体项目拨款 150 亿欧元。欧盟委员会在一份声明中说："这座新的制造工厂将为欧盟带来灵活的生产能力，从而加强欧洲在半导体技
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● 英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品● 这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术● 200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势英飞凌200mm SiC晶圆英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲
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英飞凌在200mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150mm晶圆向直径更大、更高效的200mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。英飞凌200mm SiC晶圆Rutger Wijburg博士—英飞凌科技首席运营官我们正在按计划实施SiC产品
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将详细讲解如何正确理解和应用这些驱动器的功能。每一个功率开关都需要一个驱动器，功率开关在系统中会承受高压大电流，如何使得功率半导体优雅地开通和关断，驱动电路功不可没。另外，驱动电路还需要承担功率开关保护的重任，检测短路工况，快速柔和地关断。驱动器的大类功率半导体驱动是一种值得研究的技术，驱动对象不同、应用系统要求不同，对驱动电路的要求也
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2月13日消息，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门，将当前的传感器和射频（RF）业务合并成一个专门的部门，从而推动公司在传感器领域的发展。新成立的传感器单元和射频（SURF）业务部门隶属于电源与传感系统（PSS）事业部，并涵盖之前的汽车和多市场传感与控制相关业务。通过整合在传感器和射频技术领域的优势，英飞凌充分利用成本与研发的协同效应，加速创新并为客户创造更大的价值，从而增强自身的竞争力和产品上市策略。预计到 2027 年，传感器和射
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全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布成立一个新的业务部门，将当前的传感器和射频（RF）业务合并成一个专门的部门，从而推动公司在传感器领域的发展。新成立的传感器单元和射频（SURF）业务部门隶属于电源与传感系统（PSS）事业部，并涵盖之前的汽车和多市场传感与控制相关业务。英飞凌科技传感器单元与射频业务部门负责人Thomas Schafbauer博士通过整合在传感器和射频技术领域的优势，英飞凌充分利用成本与研发的协同效应，加速创新并为客户创造更大的价值，从而增强自身的竞争力和
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作者Nihit Bajaj 英飞凌科技 GaN产品高级总监校对宋清亮 英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022年全球数据中心耗电量约为240-340太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40%的速度持续增长 [1] 。图1：1910年以来
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● 2025财年第一季度：营收为34.24亿欧元，利润为5.73亿欧元，利润率 16.7%。● 2025财年第二季度展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.05，预计营收约为36亿欧元。在此基础上，利润率预计为14%~16%左右。● 2025财年展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.05（之前为1:1.10），预计营收将与上一财年持平或略有增长（之前预测为较前一年度略有下降）。调整后的毛利率预计在40%左右，利润率为14%~19%。预计投资额约
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英飞凌科技股份公司在开发电容式微机械超声波传感器（CMUT）技术方面取得重大进展。凭借这项技术，公司推出首款高度集成的单芯片解决方案，该方案基于微机电系统（MEMS）的超声波传感器，拥有更小的占板面积以及更强大的性能和功能，可广泛用于开发新型超声波应用和改进消费电子、汽车工业与医疗技术领域的现有应用。英飞凌科技高级总监Emanuele Bodini表示：“英飞凌的超声波技术可以实现很高的信噪比和集成度，因此我们认为该器件代表着行业的一大突破。我们希望利用这项技术开发出一个服务于不同行业多种应用场景的产品平
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温度的升高。半导体器件的温度升高，取决于产生热量多少（损耗）和散热效率（散热通路的热阻）。IGBT模块的风冷散热
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲 《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》 ，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做数值计算。热阻的串联首先，我们来看热阻的串联。当两个或多个导热层依次排列，热量依次通过
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻，这些热阻是串联的，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是
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英飞凌 功率器件 热设计 散热器
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给出设计余量。这是一个MOSFET单管中的芯片，直观可以看出芯片表面温度是不一致的，光标1的位置与光标2位置温度
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英飞凌 功率器件 热设计 温度测试
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容 C th 像热阻 R th 一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的对照关系如图所示。平板电容器电容和热容
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英飞凌 功率器件 热设计 功率半导体热容
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下
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