与第二季度相比，第三季度的营收基本持平，为16.1亿欧元，虽然内存业务领域的营收有所增加，但却被通信以及汽车及工业电子业务领域的营收下降所抵消。
第三季度公司息税前亏损（EBIT）包括8,100万欧元的费用，主要和慕尼黑－别拉奇（Munich-Perlach）工厂停产和通信业务领域的损害赔偿相关。第三季度息税前亏损从第二季度的1.17亿欧元上升到2.34亿欧元。主要归因于通信业务领域的重组措施，累计支出净值高达7,400万欧元，因此对第二季度的息税前收益产生了负面影响。
第三季度的净亏损为
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据德国媒体报道，英飞凌董事会成员安德烈-奇特泽维茨(Andreas von Zitzewitz)因受贿丑闻刚刚辞职不久，英飞凌很快又卷入一起价值5亿美元的合同丑闻之中，此次事件的主角是英飞凌前任董事会主席乌尔里希-舒马赫(Ulrich Schumacher)。 英飞凌在一次内部审计中发现，英飞凌2000年修建校园式总部时签署的合同金额远远超过工程实际支出。英飞凌的新总部位于慕尼黑郊外，占地15万平方米，合同造价高达5亿欧元(约合6.1亿美元)。审计师将矛头直指舒马赫，
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世界半导体巨头英飞凌高管受贿的“腐败门”丑闻有了最新进展。17日，英飞凌监事会接受了首席营运官AndreasvonZitzewitz的辞职申请。Zitzewitz的下台不仅留下了一个极为关键的位置空缺，而且一举打乱了英飞凌谋划已久的内存芯片业务上市计划。 在这又一起发生在德国知名大公司身上的贿赂丑闻中，Zitzewitz涉嫌从一家公关公司处捞取了25.9万欧元的不正当回扣。德国检察官上周五突袭搜查了英飞凌的总部以及部分高管的家，仅仅一天后Zitzewitz宣布辞职。 英
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英飞凌科技公司和Nanya南亚科技 股份有限公司今天联合宣布，推出它的首款面向超低成本手机的参考设计平台样品已开始供货。应用英飞凌新型超低成本参考设计平台以该款基于单芯片GSM解决方案为基础，的新ULC参考采用该平台，生产的具有SMS功能的GSM手机（具有短信功能）的成本可望有望在不久的将来降低一半左右，从当前的近35美元降低到20美元以下。这些成本涵盖涵盖整个手机的全部成本，包括所有的电子配件元件、印刷电路板、连接器、带有键盘和显示屏的外壳、所有软件配件、可充电电池、充电器、包装和文件资料。
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与2004年的荣景相比，2005年上半年整体半导体产业仅呈现持平到衰退的情况，欧洲前2大半导体业者意法半导体与英飞凌第一季已出现亏损，美光最新财报也出现净损逾1亿美元的赤字，飞利浦半导体盈利骤减80％，毛利率不到2％，三星Q1半导体赢利减少20％。 港台媒体报道，赢利有增无减的大厂，包括德州仪器（TI）Q1净利超过4亿美元，年增率超过10％，英特尔净利超过20亿美元，年增率超过25％，可说是景气低迷中的变数。 展望2005年下半市场，各家市调机构近来均纷纷上调半导体增长
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由于苹果计算机iPod等可携式多媒体影音播放器（PMP）大量采用NAND 闪存作为储存媒体，全球各家DRAM大厂均看好NAND市场未来成长潜力，目前三星与东芝合计的全球市占率接近80％，过去以动态随机存取内存（DRAM）为主力的内存厂，则积极抢入生产，包括Hynix、美光、英飞凌皆已开始扩量NAND闪存。据了解，三星的2座12吋厂、Hynix的3座8吋厂、美光的1座12吋厂等，都开始以90奈米先进制程量产闪存，东芝与SanDisk合资的12吋厂也在6月开始大量投片。在市场供给量快速扬升之下，
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英飞凌 测试测量
6月24日消息称，德国商报(Handelsblatt)周四报道，德国芯片大厂英飞凌正在考虑为其闪存芯片部门进行首次公开招股，但尚未做出正式决定。 该报引述业内消息人士的话称，IPO将于秋季进行，但该计划才刚刚开始，还未通报监事会。 一英飞凌发言人称，公司还在对内部结构进行评审，看可否加以改善，但目前还没有新进展。“没什么新东西可说。” &nb
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全球领先的内存产品供应商英飞凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）近日宣布，该公司已向PC业界领先开发商提供了业界首款DDR3 （双数据速率3 ）内存模组。这标志着英飞凌已置身于新一代内存产品的开发前沿，新一代内存产品的速度将是现有最高速内存产品的两倍。第一批配备DDR3内存的计算机系统有望在2006年年底问世。“DDR3 是满足未来移动性、数字家庭和数字企业应用需求的首选技术。在全球范围内率先推出DDR3内存模组，这进一步彰显了英飞凌在内存产品与技术创新领域的领先地位，” 英飞凌公司内存产品部计算产品总
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英飞凌 存储器
英飞凌科技公司（FSE/NYSE: IFX）近日在2005年长滩国际微波研讨会上宣布，专为通用移动通信系统（UMTS）应用开发的全球首款CMOS单芯片射频（RF）收发器样品现已供货。新的SMARTi 3G是全球首款支持目前用于世界不同地区的UMTS全部6个频段的RF收发器。装有SMARTi 3G的UMTS电话可在欧洲、亚洲、北美和日本使用。对于基站和移动设备之间基于HSDPA（高速下行分组接入）的下行数据容量而言，SMARTi 3G是首款符合HSDPA第八类规范的芯片，其数据传输率为其他RF收发器的两倍，
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内存大厂Infineon已经向Intel提供可以工作的DDR3原型芯片，但是对于容量等细节Infineon守口如瓶。 一位Infineon发言人在本周一表示公司已经开始向Intel提供DDR3芯片，但是他没有透漏内存容量，只是说该芯片并不完全满足JEDEC要求。同时他确认Infineon将在2006年下半年开始大批出样DDR3。但是全面量产估计要到2006年底。DDR3芯片刚开始出样时将采用90nm工艺，之
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英飞凌 存储器
欧洲最大晶片生产商英飞凌执行长齐博特表示，该公司在存储器芯片技术方面正在追赶行业领头羊韩国三星电子，目前较三星仅滞後两至四个月。 齐博特补充说，英特尔关于个人电脑市场的正面评述，对于英飞凌来说也是个好消息。 他在慕尼黑一经济峰会的间隙重申，预计下半年DRAM价格将持稳或上升，但英飞凌仍很难实现其当前会计年度录得营运获利的目标。当前年度截至9月底。
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英飞凌 存储器
德国政府将采用慕尼黑半导体生产商英飞凌科技公司的安全芯片，以避免对未来电子护照的伪造和非法使用。德国护照办公室打算从2005年11月起正式发放新式护照。英飞凌还将提供一种为身份证、护照以及包含天线和连接器的嵌入物开发的特殊芯片套件。德国目前已发行2400万张护照，有效期通常为十年，平均每年的换领和更新比率为10%左右。 在新式电子护照里，有关持照人姓名、出生日期、照片、护照有效期以及护照号码等信息将以加密的形式保存在芯片上。最迟到2007年3月，持照人的指纹也将被加密存储进护照。目前的方案是要求将芯片模块
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英飞凌科技公司和南亚科技公司近日联合宣布，由英飞凌和南亚科技在英飞凌德国德累斯顿研发中心联合开发的90纳米DRAM技术成功通过认证。两家公司联合开发的90纳米内存产品获得了主要客户的认可，并通过了英特尔的验证。在英飞凌公司德累斯顿300mm晶圆生产线上，90纳米DRAM产品已经开始批量生产。作为全球第二个引进90纳米技术的DRAM制造商，英飞凌在5月底之前已经成功将其DRAM全球产量的5%从110纳米工艺转换成90纳米工艺。英飞凌和南亚科技的合资公司台湾华亚半导体公司现在已经开始向90纳米技术转型。提前采
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英飞凌 IC 制造制程
2005年5月27日，北京讯——全球领先的通信集成电路提供商英飞凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）今天宣布开发出名为VINAXTM的VDSL2/ADSL2+端到端解决方案，它是公司综合性DSL产品家族的最新成员。VINAX是第一种完全符合VDSL2（甚高比特率数字用户线路2）/G.993.2标准的芯片集，该标准在今天早些时候被国际电信联盟（ITU）批准。VDSL2是实现多频道高清度电视、在线/自选游戏、视频应用、VoIP和高速互联网接入等“三网合一（Triple Play）”业务的关键技术
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英飞凌科技公司和Global Locate公司正在合作开发一种高性能的单芯片A-GPS接收器，这种全新的Hammerhead芯片集射频与基带GPS功能于一身，尺寸仅7
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