- Wccftech消息，三星解散自研CPU团队，未来将会使用ARM架构。
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三星 CPU ARM
- 三星在开发者大会上披露了多款未来新产品，Galaxy Book S笔记本无疑是非常特殊的一个，它将配备Intel Lakefiled 3D封装处理器，并集成Intel 4G/LTE基带，支持全天候连接。Lakefiled处理器早在今年初的ES 2019大展上就已宣布，首次采用全新的3D Foveros立体封装，内部集成10nm工艺的计算Die、14nm工艺的基础Die两个裸片。它同时提供一个高性能的Sunny Cove/Ice Lake CPU核心、四个高能效的Tremont CPU核心(均为10nm)和
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英特尔 三星 CPU处理器 14nm 10nm Lakefield
- 台积电在7纳米、5纳米制程完封三星后，目前更加快3纳米研发，以延续领先地位，不让对手三星有先缝插针抢单的机会，据电子时报报导，台积电3纳米传出提前启动，位于南科30公顷用地，可望提前4个月、预计于今年底即可完成交地，摆明就是冲着三星而来。
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台积电 3纳米 三星
- 最近一年来，DDR4内存芯片持续降价，如今8GB DDR4单条内存也不复三年前接近千元的售价之勇，只要200多块就可以搞定。很多玩家对DDR4内存也没感觉了，期待早点用上DDR5内存，不过DDR5内存的进展没有想象的那么快，2020年各大存储芯片厂商才会量产DDR5内存，两三年后才能普及。主导内存标准制定的JEDEC规范组织虽然之前宣布2018年正式发布DDR5标准，但实际上并没有，最终规范要到2020年才能完成，其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍，速率3200Mbps起，最高可达6400Mbps，电
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三星 内存
- 据国外媒体报道，现代汽车、三星电子和LG电子已经跻身全球拥有自动驾驶技术相关专利最多的十家企业之列。
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自动驾驶 现代 三星 LG
- 据sammobile报道，三星公司在加利福尼亚州圣何塞举行的2019年“三星技术活动”上正式推出了Exynos 990旗舰处理器。三星表示Exynos 990处理器和Exynos Modem 5123芯片将于今年年底进入批量生产。
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三星 Exynos 990 处理器
- 7nm工艺的产品已经遍地开花，Intel的10nm处理器也终于在市场登陆，不过，对于晶圆巨头们来说，制程之战却越发胶着。在日前一场技术交流活动中，三星重新修订了未来节点工艺的细节。三星称，EUV后，他们将在3nm节点首发GAA MCFET（多桥通道FET）工艺。由于FinFET的限制，预计在5nm节点之后会被取代。实际上，5nm在三星手中，也仅仅是7nm LPP的改良，可视为导入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三个迭代版本，分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相较于年初的路线图，
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三星 5nm 4nm
- 在半导体先进制程上的进争，目前仅剩下台积电、三星、以及英特尔。不过，因为英特尔以自己公司的产品生产为主，因此，台积电与三星的竞争几乎成为半导体界中热门的话题。
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三星 ARM 新思科技 5纳米
- Strategy Analytics手机元件技术研究服务最新发布的研究报告《2019年Q2基带市场份额追踪：高通和三星争夺5G基带市场领导权》指出，2019年Q2全球蜂窝基带处理器市场收益年同比下降4%，为50亿美元。Strategy Analytics的报告指出，2019年Q2全球蜂窝基带处理器市场收益份额位居前五名的为：高通、海思半导体、联发科、三星LSI和英特尔。2019年Q2高通以43%的收益份额保持全球基带市场的领导地位，海思半导体以15%的收益份额排名第二，联发科以14%紧随其后。·
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- 日前，据外媒报道，三星SDI对外宣布，公司计划投入3900亿匈牙利福林（约合人民币92亿元），用于扩建匈牙利首都布达佩斯市郊的电动车电池工厂。据悉，这笔投资将创建约1200个工作岗位，工厂建成后年产能将满足5万辆电动车的电池配置需求。
根据此前报道，匈牙利电池工厂的销售范围主要面向当地及欧洲各国，三星SDI于2016年投入了1000亿匈牙利福林（约合人民币24亿元）在匈牙利建立电动车电池工厂。截至目前，公司在匈牙利的总投资额已经达到10亿欧元（约合人民币78亿元），未来还将继续扩大投资，使匈牙利电池工厂
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三星 电动车 电子领域
- 据外媒sammobile消息，三星正开发Galaxy Note10 Lite版系列手机。该款手机有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。这款手机型号已经确认，为“SM-N770F”，将有黑色和红色两种配色，将提供128 GB的内置内存，此外没有关于规格的信息。三星正开发Galaxy Note10 Lite版系列手机就产品理念而言，Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10（SM-N970）更接近Galaxy Note 3 Neo（SM-N750&n
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三星 Galaxy Note10 Lite
- 半导体行业一直是科技行业的重头，尤其是今年开始，半导体行业的重要性愈发显得突出，随着5G物联网的正式普及，又会带动新的一波增长趋势。近日，根据可靠消息，半导体行业巨头三星正考虑对其在中国西安兴建的二期半导体工厂进行额外投资，据透露，三星计划明年将存储器芯片设施的资本支出小幅增加至65亿美元。有消息称，三星西安二期工厂已安装部分设备并开始试运行，以检查量产前的情况，预计将在2020年2月开始批量生产。2020年5G手机将掀起一波换机需求，而中国是重要的市场，同时对大容量NAND Flash需求也会增加，在贸
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- 2019年国产内存实现了0的突破，合肥长鑫前不久宣布量产10nm级DDR4内存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存储芯片公司兆易创新也宣布研发内存，10.1日该公司宣布融资43亿元，主要用于研发1Xnm工艺的内存芯片。根据兆易创新的公告，本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者，发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%，即不超过64,224,315股（含本数）。预案显示，兆易创新本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元（含本数），扣除发行费用后的募
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兆易 三星 美光
- 三星电子宣1布率先在业内开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术。随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。总的封装厚度为720μm,与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同,体现了极大的技术进步。这意味着,客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时,3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间。三星透露,基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将
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三星 HBM显存 内存颗粒
- 据韩媒报道，三星显示器公司计划投入１３万亿韩元（约合１１０亿美元），升级其在韩国的一个液晶显示器（ＬＣＤ）工厂，以生产更先进的屏幕。
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