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简介 LTC7803 是ADI公司开发的一款同步降压型控制器,可简化高性能电源的设计。这款控制器具有以下主要特性:集成低阻抗栅极驱动器,能够切换N通道MOSFET,从而降低整体转换器成本,提高效率;极低工作静态电流(5 ......
随着云计算的普及以及 2020 年 5G 服务的兴起,除了在互联网上传播的文档、图像和音频等既有内容之外,还会传播视频和游戏等内容,这也导致了数据量的大幅增加。对人工智能 (AI) 等技术进步以及大数据和物联网 (IoT......
随着物联网的普及和发展, Wi-Fi 等通信配置在不断普及,为了保证通信功能的正常进行,越来越多的家电要始终处于通电状态,这无疑增加了待机功耗;另一方面,家电产品的显示屏正在向大型、高性能和多功能的方向发展,所以需要搭配......
本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态,探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中,耗尽层形态和输出电容变化的关系,最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸,更低输出电容转折点电......
住宅储能市场虽然现在处于起步阶段,但正位于爆炸式增长的边缘。自2018年第一季度以来,仅在美国,该市场就同比增长了232%,而能源存储在2019年第一季度的部署中占比为46%。如今,住宅储能领域的规模比公用事业部署的规模......
随着物联网的普及和发展,Wi-Fi等通信功能配置在不断普及,为了保证通信功能的正常进行,各种家电包括白色家电、黑色家电在内,都要始终处于通电状态,这种状态无疑增加了家电类产品的待机功耗。另一方面,家电产品的显示器正在进行......
宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案......
美国微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的数字信号控制器(DSC)与宜普电源转换公司(EPC)的超高效氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)的结合,可实现最佳功率密度(730 W/in3),......
适合纯电动汽车和插电式混合动力汽车应用的InnoSwitch3-AQ已通过Q100认证;可在30 V至550 V直流输入下高效工作。深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations今天宣......
英飞凌科技股份公司近日为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术......
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