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使用温度计算和Arrhenius方程了解电阻器和放大器的老化行为，以了解电阻器漂移、电阻器稳定性和运算放大器漂移。之前，我们讨论了使用相对较短的测试时间来评估电子元件长期稳定性的高温加速老化方法。在本文中，我们将继续讨论......
这次给大家讲解一下可控硅触发电路原理，常见的可控硅触发电路。可控硅栅极触发电路为了使使用可控硅（SCR）的电路正常运行，触发电路应在准确的时间提供触发信号，以确保在需要时开启。一般来说，用于触发可控硅2SCR的触发电路必......
今天给大家讲一下晶闸管（可控硅）怎么测好坏？在讲晶闸管怎么测好坏之前，先给大家讲一下晶闸管（可控硅）极性的判断方法。晶闸管（可控硅）极性判断的方法晶闸管（可控硅）极性的判断方法--根据封装形式（外观）普通晶闸管（可控硅）......
今天给大家分享的是：过零检测器、过零检测电路。一、什么是过零检测器（ZCD）？过零检测器检测输入信号过零值或零电压电平的次数。零检测器基本上是一个比较器电路，将输入的正弦信号或正弦波信号与零电压电平进行比较。换句话说，我......
了解如何计算老化过程的活化能，以及关于Arrhenius方程在预测晶体老化过程时的有用性的一些相互矛盾的观点。在之前的一篇文章中，我们讨论了高温加速老化方法是一种有效的技术，它使制造商能够使用相对较短的测试时间来确定电子......
了解由于使用石英晶体的温度和时间，以及应用外推方法、老化方程和Arrhenius方程，电子元件的老化和稳定性挑战。即使有固定的输入，电子电路也不是完全稳定的；经常随时间和温度漂移。这些与理想行为的偏差会给精确测量增加相当......
了解电子电路（即电阻器和放大器）中的温度漂移。我们还将介绍闪烁噪声的影响如何发挥作用，以及漂移如何限制信号平均的有效性。即使在固定的电气条件下（电源电压、输入和负载），电子电路也不是完全稳定的，因为它们往往会随着时间和温......
JFET 与 MOSFET的区别JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场......
今天给大家讲讲结型场效应管极性判断方法。用万用表来判断JFET极性相对来说比较简单，因为只有一个PN结要测：要么在栅极和源极之间测量，要么在栅极和漏极之间测量。1、结型场效应管极性判断方法--引脚识别JFET的栅极对应晶......
在这篇文章中，我们探讨了在电感器的磁芯中引入气隙的优点。设计磁性元件时，铁芯饱和是一个主要问题。大多数应用都试图避免这种情况。正如我们在前一篇文章中讨论的那样，通过减少电感器的匝数，可以将铁芯的磁通密度限制在饱和水平以下......
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