电容器领导厂商尼吉康（Nichicon）登陆慕尼黑上海电子展，本次展会以AI 服务器算力电源、新能源车载电子两大高增长赛道为核心，完整展出高压铝电解、固态电容、混合高分子电容、薄膜电容四大主力电容产品线，同步推出自研长寿命小型锂离子储能电池，并详解无锡、宿迁两大国内生产基地本土化配套能力。面对 AI 算力硬件与汽车电动化、智能化带来的元器件需求爆发，尼吉康依托铝箔材料革新、多技术路线电容方案、全球化产能布局构筑核心竞争力，为服务器 PSU、车载逆变器、电子油泵、液冷整机等多元场景提供一站式电容选型方案。A
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尼吉康
电容
慕尼黑上海电子展
进入2026年，被动元件行业涨价潮持续发酵，中国大陆多家被动元器件厂商集体提价。在白银、铜、锡等原材料价格“史诗级”飙升的背景下，一场覆盖钽电容、电阻、电感、MLCC等关键品类的涨价循环已然确立。金属涨价带动上游原材料上涨1月16日，日本半导体材料大厂Resonac宣布，由于铜箔、玻璃纤维布（glass cloth）等原料供需紧绷、价格飙涨，叠加人事成本、运输费用显著上升，因此将自2026年3月1日起调涨覆铜层压板及黏合胶片价格30%。建滔积层板因铜价暴涨及玻璃布供应紧张，在一个月内两次调价，最新一次全面
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被动元件
电容
电阻
电感
电容电介质种类繁多，每种电介质都有独特特性，适用于特定应用场景。材料与制造工艺的进步，提升了电介质的容量与耐压能力，使其能适配更多应用，甚至因电路需求取代其他类型的电容。重大技术革新往往是为了满足特定需求或突破特定应用的局限。固体钽电容与湿式钽电容以优异的能量密度和可靠性著称，其中湿式钽电容更能在高温环境下稳定工作。但受限于规格参数、工作要求与成本，二者的应用范围往往受到制约。聚合物钽电容的问世解决了这一痛点 —— 它仅需极低的电压降额，就能拓展可用容量与耐压范围，进而减少电路中所需的电容数量或缩小元件占
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电容
钽电容
电压加速因子
为什么电容的选择至关重要？电容往往被人们所忽视。电容既没有数十亿计的晶体管，也没有采用最新的亚微米制造工艺。在许多工程师的心目中，电容不过是两个导体加上中间的隔离电解质。总而言之，它们属于最低级的电子元件之一。工程师们通常通过添加一些电容的办法来解决噪声问题。这是因为他们普遍将电容视为解决噪声相关问题的“灵丹妙药”，很少考虑电容和额定电压以外的参数。但是，和其他电子元器件一样，电容也有缺陷，例如寄生电阻、电感、电容温漂和电压偏移等非理想特性。为许多旁路应用或电容实际容值非常重要的应用选择电容时，必须考虑上
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ADI
LDO
电容
电容选择
德州仪器
新产品设计本身已具备较高难度，而安全相关元器件的强制合规要求，若设计人员未在早期设计阶段充分考量，会引发额外挑战。正因如此，小型设计公司通常会聘请法规标准合规专家，大型企业则会配备专职人员，确保产品设计、元器件选型及布局满足各类强制规范。X/Y 电容的应用就属于这类场景。这类交流线路电容不仅是优良设计实践的要求，更是交流供电场景下的法规强制配置。这两类用于滤除交流电源噪声的特殊电容，常被统称为安全电容。其中 X 电容用于差模 EMI 滤波，Y 电容则通过将导线干扰旁路至接地端，实现共模 EMI 滤波。X和
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电容
滤波
封装
什么是去耦电容，为什么要去耦1.简介去耦（decoupling）电容也称退耦电容，一般都安置在元件附近的电源处，用来滤除高频噪声，使电压稳定干净，保证元件的正常工作。2.分析对于一个电路系统来说，一般有多个负载，这些负载的供电都来自于同一个电源理想情况下，对于某个负载，电源应该是这样子的但是电路板上各个负载的工作都要动态地吸收电流，造成的供电电压的不稳，变成了下面这样子也就是在5V的DC上叠加了各种高频率的噪声，这些噪声是由于器件对供电电流的需求导致的电压波动，可以看成是在DC 5V上“耦和”了由于器件工
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电容
无源器件
电路设计
下图显示了铝电解电容的基本结构，它由阳极（ anode ）、在绝缘介质上附着的氧化铝构成的铝层，接收极的阴极铝层，和真正的由电解液构成的阴极。电解液浸透在两个铝层间的纸上。氧化铝层是通过电镀在铝层上，相对于加在其上的电压来说是非常薄的，很容易被击穿，导致电容失效。氧化铝层可以承受正向的直流电压，如果其承受反向的直流电压，其很容易在数秒内失效。这个现象被称为‘ Valve Effect ’，这就是为什么铝电解电容拥有极性的原因，如果电解电容的两个电极都有氧化层，则形成无极性电容。许多文章报道了铝电解电容反向
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电容
无源器件
电路设计
电容是由两块平行的导电极板所构成，充电时以电场形式进行能量储存。并可以在放电电路中把储存的能量释放。电容根据其在电路中所起作用分为耦合电容、旁路电容、滤波电容，定时电容、自举电容、定时电容、加速电容、软启动电容、谐振电容等。旁路电容多出现在和电阻并联形式电路，为交流信号、高频信号提供的低阻抗通路，也可以把由于电流的波动，而产生噪音旁路到地。耦合对交流来说就是连接，无损传递的意思。定时电容是利用电容充放电规律特性，用于电源电路中的驱动脉冲宽度、频率控制。谐振电容往往是电容和电感相伴出现。它俩之间的充放电而形
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电容
无源器件
电路设计
Naveen Verma 在普林斯顿大学的实验室就像一个博物馆，展示了工程师们试图通过使用模拟现象而不是数字计算来提高 AI 超高效的所有方法。一个工作台上是有史以来最节能的基于磁记忆的神经网络计算机。在另一个位置，您会发现一个基于电阻存储器的芯片，它可以计算迄今为止任何模拟 AI 系统中最大的数字矩阵。Verma 表示，两者都没有商业前景。不那么仁慈的是，他实验室的这一部分是一个墓地。多年来，Analog AI 一直吸引着芯片架构师的想象力。它结合了两个关键概念，这两个概念
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EnCharge AI
电容
半导体元件
模拟AI
电源完整性在现今的电子产品中相当重要。有几个有关电源完整性的层面：芯片层面、芯片封装层面、电路板层面及系统层面。在电路板层面的电源完整性要达到以下三个需求：1、使芯片引脚的电压噪声+电压纹波比规格要求要小一些（例如芯片电源管脚的输入电压要求1V之间的误差小于+/-50 mV）2、控制接地反弹（地弹）（同步切换噪声SSN、同步切换输出SSO）3、降低电磁干扰（EMI）并且维持电磁兼容性（EMC）：电源分布网络（PDN）是电路板上最大型的导体，因此也是最容易发射及接收噪声的天线。“地弹”，是指芯片内部“地”电
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电容
去耦电容
PCB设计
旁路电容是电子设计中常用的电容器之一，主要用于过滤电源噪声和稳定电源电压。在实际应用中，0.1uF电容器是最常用的旁路电容值之一，那么为什么常用旁路电容是0.1uF而不是其他值？这个值又是怎么来的呢？本文将深入探讨这个问题。旁路电容滤除电源输出干扰在实际应用中，旁路电容的选择需要考虑多个因素，例如电源噪声频率、容值大小、ESR、EMI等。不同的电路设计可能需要不同的旁路电容值。但是，我们发现0.1uF电容器是最常用的旁路电容值之一。01容值大小旁路电容的大小需要根据电路的实际情况来选择，电源噪声的滤波电容
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电容
无源器件
旁路电容
MLCC制作工艺流程：1、原材料——陶瓷粉配料关键的部分(原材料决定MLCC的性能)；2、球磨——通过球磨机(大约经过2-3天时间球磨将瓷份配料颗粒直径达到微米级)；3、配料——各种配料按照一定比例混合；4、和浆——加添加剂将混合材料和成糊状；5、流沿——将糊状浆体均匀涂在薄膜上(薄膜为特种材料，保证表面平整)；6、印刷电极——将电极材料以一定规则印刷到流沿后的糊状浆体上(电极层的错位在这个工艺上保证，不同MLCC的尺寸由该工艺保证)；对卷状介电体板涂敷金属焊料，以作为内部电极。近年来，多层陶瓷电容器以N
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电容
无源器件
MLCC
典型的半导体电容在pF或nF范围内。许多商业上可用的LCR表或电容计补偿后可以使用适当的测量技术来测量这些值，然而，一些应用需要在飞秒法（fF）或1e-15范围内进行非常灵敏的电容测量。这些应用包括测量金属到金属的电容，晶片上的互连电容，MEMS器件，如：开关，纳米器件端子之间的电容。如果没有使用适当的仪器和测量技术，这些非常小的电容很难进行测量。使用4200A-SCS参数分析仪配备的4215-CVU（CVU），用户能够测量大范围的电容，<1pF非常低的电容值也能测到。CVU采用独特的电路设计，并由
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电容
测量
电容思维导图如下：电容有四大作用：去耦、耦合（隔直通交）、滤波、储能。今天我们主要谈论去耦作用。电容封装相信大家都用过这几种电容，板子上最多的是多层陶瓷电容。钽电容：主要用在电源电路中，博主被它炸过很多次......去耦电容这是 STM32F103 最小系统原理图，STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供电，他的 3.3V 一般来源于 LDO（低压差线性稳压器），比如 LM1117。5V转3.3V的电路：LDO 比 DC-DC 的方式（TPS5430）更能提供稳定的电压，但对芯片来说依旧不够，我
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电容
选型推荐
滤波
输入电容纹波电流有效值计算相信很多人都知道Buck电路中输入电容纹波电流有效值，在连续工作模式下可以用以下公式来计算：然而，相信也有很多人并不一定知道上面的计算公式是如何推导出来的，下文将完成这一过程。众所周知，在BuckConverter电路中Q1的电流（IQ1）波形基本如图1所示：0～DTs期间为一半梯形，DTs～Ts期间为零。当0～DT期间Iq1 ⊿I足够小时（不考虑输出电流纹波的影响），则Iq1波形为近似为一个高为Io、宽为DTs的矩形，则有：Iin=(Vo/Vin)*Io＝DIo （Iin，只要
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开关电源
电容
我们看到一个电容器由两个平行的导电板组成，该电导板由绝缘体分离，并且在一块板上具有正（ + ）电荷，另一个板上的负电荷（ -）电荷在另一个板上。 我们还看到，当连接到DC（直流电流）电源时，一旦电容器充满电，绝缘体（称为介电）会阻止电流通过它的流动。 电容器像电阻一样反对电流流动，但与电阻器以热的形式消散其不必要的能量，当电荷充电和释放时，电容器将能量存储在其板上，或者在放电时将能量归还到连接的电路中。 电容器通过将电荷在其板上存储在电流中反向或“反应”的能力称为“电抗”，因此，由于该电抗与电容器有
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电容
电压
分隔器
MLCC——多层片式陶瓷电容器，简称贴片电容，会引起噪声啸叫问题，这是为什么了？声音源于物体振动，振动频率为20Hz~20 kHz的声波能被人耳识别。MLCC发出啸叫声音，即是说，MLCC在电压作用下发生幅度较大的振动（微观的较大，小于1nm）。MLCC为什么会振动？在了解MLCC为什么要振动之前，我们要先了解一种自然现象，在外电场作用下，所有的物质都会产生伸缩形变——电致伸缩。对于某些高介电常数的铁电材料，电致伸缩效应剧烈，称为——压电效应。压电效应的定义：在没有对称中心的晶体上施加压力、张力和切向力时
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电容
无源器件
电路设计
在高速串行电路中，隔直电容放到哪里好呢？一些工程师的回答无非会是两种情况：放到驱动端或者是放到接收端。有人说放到接收端，原因是：由于信号从驱动端通过传输线到接收端，期间会造成衰减，上升时间也会延长，当信号最终到达接收端的电容时，大部分的高频分量已经没有了，反射减少了，因此能有更多的信号到达接收端。（时域）一个SI工程师可能会告诉你：对于所有的无源链路，链路中所有的元素都是互相影响的，整个拓扑也是有关联的，不管信号是向前传还是向后传都是一样的。因此，跟电容放哪没关系。（频域）为了解决这个问题，下边用简单的方
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电容
无源器件
电路设计
在电子设备的硬件设计中，多层陶瓷电容器（MLCC）是极为常见且关键的电子元件。它以其体积小、容量大、等效串联电阻低等优势，广泛应用于各类电路。然而，MLCC 在工作过程中可能会遭遇电应力击穿问题，这不仅影响设备的性能，还可能导致严重的失效。对于硬件工程师而言，深入了解 MLCC 电应力击穿机理，掌握失效分析方法和可靠性设计要点，是确保电子设备稳定运行的关键。一、陶瓷电容的基本结构片式多层陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。在 其内部，金属电极层与陶瓷介质层交替堆叠；金属内电
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电容
无源器件
电路设计
在硬件设计这个看似平静的江湖中，实则每一个决策都暗藏汹涌。每一个元器件的选择，都可能成为项目成败的关键转折点。就像今天要讲的这个故事，一颗小小的电容，差点引发一场 “血案”。一、背景与问题暴露在神秘的以全志T527为核心芯片的“算力智能终端”的项目里，设计初期，Buck 电路的输入电容选用的是铝电解电容，直接参考全志的Demo板。这颗铝电解电容虽然具备大容量、低成本的特点，但其缺点也十分明显。它体积庞大，在电路板这个狭小的空间里，严重影响布局的合理性，如同巨人在狭窄巷道中艰难前行；等效串联电阻（ESR）过
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电容
无源器件
输入电容纹波电流有效值计算相信很多人都知道Buck电路中输入电容纹波电流有效值，在连续工作模式下可以用以下公式来计算：然而，相信也有很多人并不一定知道上面的计算公式是如何推导出来的，下文将完成这一过程。众所周知，在BuckConverter电路中Q1的电流（IQ1）波形基本如图1所示：0～DTs期间为一半梯形，DTs～Ts期间为零。当0～DT期间Iq1 ⊿I足够小时（不考虑输出电流纹波的影响），则Iq1波形为近似为一个高为Io、宽为DTs的矩形，则有：Iin=(Vo/Vin)*Io＝DIo （Iin，只要
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电容
无源器件
“去耦” 中的 “耦” 原指耦合，在电路里，耦合表示两个或多个电路部分之间存在相互影响、相互干扰的电气连接关系。去耦电容名字里的 “去耦”，意在减少电路不同部分之间不必要的耦合干扰，具体原理如下：切断高频干扰传导路径：在电子电路系统中，不同的电路模块、器件各自工作，由于共用电源线路，一个模块产生的高频噪声很容易顺着电源线 “串门”，干扰到其他正常工作的模块，这就是一种耦合现象。去耦电容利用自身特性，为高频信号提供一条低阻抗的旁路通道，让高频噪声优先通过电容流入地，而非沿着电源线乱窜，切断了高频干扰在电路各
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电路设计
去耦
电容
电感器失效模式：电感量和其他性能的超差、开路、短路。贴片功率电感失效原因：1.磁芯在加工过程中产生的机械应力较大，未得到释放；2.磁芯内有杂质或空洞磁芯材料本身不均匀，影响磁芯的磁场状况，使磁芯的磁导率发生了偏差；3.由于烧结后产生的烧结裂纹；4.铜线与铜带浸焊连接时，线圈部分溅到锡液，融化了漆包线的绝缘层，造成短路；5.铜线纤细，在与铜带连接时，造成假焊，开路失效。一、耐焊性低频贴片功率电感经回流焊后感量上升<20％。由于回流焊的温度超过了低频贴片电感材料的居里温度，出现退磁现象。贴片电感退磁后，
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电容
无源器件
失效分析
电容是电子电路中最常见的一种元器件，今天为大家分享2种特殊电容：X电容和Y电容。1安规电容安规电容之所以称之为安规，它是指用于这样的场合：即电容器失效后，不会导致电击，也不危及人身安全。安规电容包含X电容和Y电容两种，它普通电容不一样的是，普通电容即使在外部电源断开之后，它内部储存电荷依然会保留很长一段时间，但是安规电容不会出现这个问题。安规电容大多数为蓝色、黄色、灰色以及红色等。1、安规X电容X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常采取金属化薄膜电容器，电容容量是u
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电容
电路设计
EMC
我们来聊聊电机为什么要并联电容，小到玩具车马达，大到电动机，都可见电容的存在，看完本章，保证您有收获！注：本文章不具体讨论电容特性，所以不用怕听不懂功率的组成想要解开这个未知的大门，我们首先需要了解一下功率是由啥组成的？您可能会毫不犹豫说是 电压×电流我们从宏观角度看，这确实是功率但不具体让我们看一张图片啤酒看到啤酒是多少就叫视在功率泡沫没用就叫无功功率真正喝到的啤酒就叫有功功率由此可知，视在功率等于无功功率和有功功率之和电容电容这里需要提及到电容的特性‘电流超前电压90°’详细解释：电容没通电时，两块极
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电机
电机控制
电容
为什么电容通高频阻低频？解释一：电容器有一个充放电的时间问题。当交流电的正半周，给电容器充电的瞬间，电路是有电流流过的，相当于通路，一旦电容器充电完毕，则电路就没有电流流过了，相当于断路。当交流电的负半周到来时，又将产生电流，先抵消掉原来充在电容上的那个相反的电荷，再继续充电至充满。现在假设电容器需要的充电时间t一定，则当一个频率较高的交流电正半周结束时，假设电容器容量够大，还未充满电，负半周就到来了，则电路会一直流着电流，相当于电容器对这个高频的交流电来说，是通路的。如果这个交流电的频率较低，正半周将电
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电容
无源器件
电阻01[1]：电阻上存在不超过1s的脉冲负荷时要同时满足瞬态降额要求。脉冲大于1s时仍然按照稳态降额评估。[2]：电阻降额需要同时满足功率、电压和温度的降额要求。01平均功率计算平均功率时，电压使用Vrms有效值，当电压不是恒定值时计算需要考虑脉冲状态，如时钟匹配电阻。需要注意，额定功率值厂家有时使用峰值功率，有时使用平均功率。采购的绝大多数电阻额定环境温度Ts为70℃，所以如果能保证电阻器工作温度在70℃以下，采用60%功率降额即可。如果电阻器工作温度高于70℃，则需要按照公式计算。02脉冲功率脉冲功
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电阻
电容
电路设计
本节分享下LDO的基础知识，主要来源于Ti的文档《LDO基础知识》，原文档下载链接如下：https://www.ti.com.cn/cn/lit/eb/zhcy089a/zhcy089a.pdf内容会回答这些问题：1、当输入电压与目标输出电压压差不满足Vdropout，会发生什么？2、决定Vdropout电压大小的因素是什么？3、芯片选定后，Vdropout电压就是固定的吗？与电压，电流是否有关？4、温度，直流电压对滤波电容有哪些影响？5、LDO封装如何选择？6、LDO输出过流了会发生什么？7、给定芯片的
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电容
电路设计
输入侧的电解电容计算我们一般按照在最低输入电压下，最大输出的情况下，要求电解电容上的纹波电压低于多少个百分点来计算。当然，如果有保持时间的要求，那么需要按照保持时间的要求重新计算，二者之中，取大的值。假如在最低输入电压下，电源的输入功率为Pin，最低输入交流电压有效值为Vinacmin，那么我们一般认为此时整流后的直流电压为Vinmin=1.2×Vinacmin，由于在交流两次充电周期间，对后面变换器的供电都是由电容储能来保证的，那么电压跌落是可以计算出来的：C×ΔV=I×Δt，ΔV是电压纹波，一般取Vi
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电容
无源器件
电容计算
电容介绍
电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。
电容的符号是C。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法。
电容的公式是：C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的，即：C=εS/4πkd 。ε是一个常数，与电介质的性质有关。k [
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