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今天开始讨论运算放大器引入负反馈后的电路应用，先从最简单的跟随器说起，也就是直接将运放输出端连接到运放负输入端，如下图：根据运放的特性，有负反馈的情况下，其正输入端和负输入端压差为0，也就是Vin- = Vin+ ，而 ......
MOS 管在逆变电路，开光电源电路中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图Figure 1中的同步Buck 变换器，High-side MOSFET 为上管， Low-side MOSFET为下管．如果上管和下管同......
MOS管使用方法1、NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；2、PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电......
贴片压敏电阻和TVS二极管可作为过电压保护部件使用。这些产品的结构和制造方法完全不同，但作为静电保护器件却具有相似的性质。由此，虽然在电路上都可以使用，但也存在不能使用贴片压敏电阻的情况。的确，由于其历史背景，产品目录和......
今天咱们来聊聊为啥mos管开关得快点儿，还有怎么才能快点开关。mos管驱动有几种方法，我们知道，其中有一种是用专门的驱动芯片驱动，我们就以这个驱动设计为主。说起mos管关断，通常电压会比开通时高，所以关断的损失也会比开通......
01 IGBT是什么？IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管......
**1. 关于MOS管的极限参数说明：**在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：a. **ID（持续漏极电流）**：该参数含义是mos可以持续承受的电流值，在设计中，产品的实际通过电流值应远小于该值，至少应小于1/3......
一、简介MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET......
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出四款全新大功率、极低欧姆电流检测电阻系列。Bourns 全新电流测量设备专为在电力电子设计中节省能源，同时最大化传感性能。该系列具有低温......
2023年12月12日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出四款全新大功率、极低欧姆电流检测电阻系列。Bourns 全新电流测量设备专为在电力电子设计中节省能源，同时最......
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