Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？ 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1、 Drain-》Source穿通击穿 &n
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MOS管
MOSFET
发热
第一部分 静态非理想特性几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的，导致大家看了大量的表述没有理解，没有汲取到营养。各种三维、二维的图形，各式各样，也不统一。本章节，我们从应用的角度，来看我们选择一个开关的器件，当选择了一个MOSFET之后，他并不是一个完全理想的开关器件。通过其不理想的地方，理解他的一些关键参数。后续的内容，我们再通过微观结构去理
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MOS管
电路设计
通常，我们将MOS管视为一个三端器件，包括栅极、源极和漏极。然而，衬底是其隐藏的第四个端子。下图为一个nMOS，g、s、d、b分别代表栅极、源极、漏极和衬底。上图为以nMOS为例，简述其关断、线性区和饱和的条件绝大多数情况下，设计将衬底和源极连在一起，但是有时候出于性能考虑（如在芯片工作模式下实现高Ion和在芯片睡眠模式下实现低Ioff）会通过施加体偏置来动态调整晶体管的阈值电压。大多数情况下我们将阈值电压（Vt）视为常数。然而，Vt随源极电压的增加而增加，随衬底电压的增加而减小，随漏极电压的增加而减小，
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MOS管
体效应
模拟电路
电子元件大都是使用直流工作，电源线反接就有可能就会烧坏，那电路如何防反接？首当其冲我们想到的就是二极管了，运用其单向导通特性可有效防止电源反接而损坏电路，但是随之而来的问题是二极管存在PN节电压，通常在0.7V左右，低电流是影响不明显，但流过大电流时，如流过1A电流其会产生0.7W的功耗，0.7W的功耗发热对元件本身及周边元件的可靠性是个非常大的考验。可见二极管防反接最大问题是管压降，越低损耗就越小。在晶体管中导通压降最低的就属场效应管了，就是我们平常叫的MOS管，那如何运用MOS管这一优良特性设计防反接
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MOS管
电路设计
一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。二、MOS管被击穿的原因及解决方案？第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界
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MOS管
电路设计
ESD
近日，南芯科技宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911，该芯片配备 I2C 接口，专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化，可有效降低外壳温升，为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能，兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式，助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。集成MOS方案，兼具三大亮点在传统升降压控制器搭配外置 MOS 的方案中，由于布板限制，PCB 走线往往过长，导致功率管驱动速率受
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南芯科技
MOS管
升降压充电芯片
功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面：1）防止栅极 di/dt过高：由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大
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MOS管
电路设计
MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生电容。MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波，当Cgs达到门槛电压之后， MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中，会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的
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MOS管
电路设计
模拟电路
MOS管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中，可能是在低至10V-15V 时发生，电路设计必须将其限制在安全水平；还有可能是功率过载，超过绝对最大额定值和散热不足，都会导致MOS管发生故障。接下来就来看看所有可能导致失效的原因。01. 过电压MOS管对过压的耐受性非常小，即使超出额定电压仅几纳秒，也可能导致
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MOS管
先看一下这个电路：USB外接电源与锂电池自动切换电路设计如果主副输入电压相等，同时要求输出也是同样的电压，不能有太大的压降，怎么设计？这个电路巧妙的利用了MOS管导通的时候低Rds的特性，相比二极管的方式，在成本控制较低的情况下，极大的提高了效率。本电路实现了，当Vin1 = 3.3V时，不管Vin2有没有电压，都由Vin1通过Q3输出电压，当Vin1断开的时候，由Vin通过Q2输出电压。因为选用MOS管的Rds非常小，产生的压降差不多为数十mV，所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
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电源
MOS管
电路设计
曾经的我呢还一个单纯的小攻城狮，当自己设计完的电路板通过了功能测试、性能测试、环境实验后，我就可以开开心心的玩耍了，但是永远也想想不到用户会把你的产品用在什么地方（客户你们考虑过产品的感受吗）。具体是这样的一个很简单的串口RS485电路，具体电路如下图所示，用了这个电路后就不要单独信号去管理485芯片的收发分时了（是不是很方便，我也这么想的）。问题就是出现这这个电路上，我们做环境实验的时候是在55度做的一点点问题都木有，该收收该发发，但是一到了用户那里工作一小会就挂了，啥也木的了，经过本人的现场排查（踩点
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开关电路
MOS管
一、开关和放大器MOS管最常见的电路可能就是开关和放大器。1. 开关电路G极作为普通开关控制MOS管。2. 放大电路让MOS管工作在放大区，具体仿真结果可在上节文章看到。二、时序电路中作为反相器使用下图示例电路中，芯片1正常工作时，PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2。可以看到芯片2的使能端初始连接VCC为高电平，当芯片1输出高电平后，(关注公众号：硬件笔记本）MOS管导通，芯片2的使能端被拉低为低电平，芯片2开始正常工作。这时MOS管起到的就是反相的作用。三、双向
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MOS管
电路设计
MOSFET 的工作损耗基本可分为如下几部分：1、导通损耗Pon导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流（即漏源电流） IDS(on)(t) 在导通电阻 RDS(on) 上产生之压降造成的损耗。导通损耗计算：先通过计算得到 IDS(on)(t) 函数表达式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通过如下电阻损耗计算式计算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don说明：计算 IDS(on)rms 时使用的时期仅是导通时间 Ton ，而不是整个工作周期 Ts ；RDS(
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MOS管
电路设计
三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。对于MOS管，我们在电路设计中都会遇到，那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢？MOS管开关电路我们一般会用一个三极管去控制，如下图！MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见，由于MOS管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！电流路径如下：后端电流路径如何改善这个问题呢？有两个方式，一种
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三极管
MOS管
电路设计
三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。对于MOS管，我们在电路设计中都会遇到，那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢？MOS管开关电路我们一般会用一个三极管去控制，如下图！MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见，由于MOS管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！电流路径如下：后端电流路径如何改善这个问题呢？有两个方式，一种
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MOS管
开关电路设计
三极管
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Warning: getimagesize(): Failed to enable crypto in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/control
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MOS管
电路设计
今天可以大家分享的是：使用 MOS 管构建一个简单的双向逻辑电平转换器电路逻辑电压电平的变化范围很大，从1.8V-5V。标准逻辑电压为5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V逻辑电平的系统/控制器（如Arduino）如何与使用3.3V逻辑电平的另一个系统（如ESP8266）通信呢？这个时候就需要用到逻辑电平转换器，这里还将介绍 MOS管构建一个简单的双向逻辑电平转换器电路。一、高电平和低电平输入电压从微处理器/微控制器方面来看，逻辑电平的值不是固定的，对此有一定的耐受性，例如，5V逻辑电平微控制器可以
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MOS管
逻辑电平转换器
电路设计
BMS确保电池高效安全运行，MOS管检测过充、过放、过流等。电池电压高低与MOS管选型相关，选择时需注意热设计、RDS(ON)和雪崩能量。微碧专注MOS产品20余年，适用于高性能BMS场景。BMS（电池管理系统）负责监控、控制和保护电池，以确保电池的高效运行和安全性。MOS管在其中起到了检测过充电，过放电，充放电过流等作用。在充电状态时，当电池充电后过压时，充电控制端会由高电平转为低电平，从而使MOS管Q1关断，充电回路被切断，进入过电压保护。当电池通过负载放电，电池电压低于设定值时，放电控制端由高电平转
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MOS管
BMS
MOS管在LED非隔离电源中调节亮度和电流，确保LED稳定工作并延长寿命。它作为开关元件、电流驱动器和保护器，提高电源稳定性和安全性。选型时需注意额定电压、电流、导通电阻和耐压能力。推荐微碧半导体的MOS管产品，具有稳定性和可靠性，适用于LED非隔离电源等场景。MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）被广泛应用于LED中，主要用于调节LED的亮度和电流，实现对LED的高效控制。在LED非隔离电源的应用方案中，MOS管（绝缘栅场效应管）扮演着关键性角色，提升LED非隔离电源的稳定性和安全性。LED非隔离设计
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MOS管
LED
非隔离器
LED汽车灯采用LED技术，提供外部照明和舒适光源。设计中需解决热极限、EMC等挑战。有源纹波补偿Buck电路是关键，可提升LED驱动电源的可靠性与寿命。选择适合的MOSFET可降低开关损耗，提高电源效率。选型时考虑功率、电压、电流承受、开关速度、热特性和封装类型。微碧半导体的MOSFET产品具有卓越性能和可靠性，为汽车LED驱动提供解决方案。摘要由作者通过智能技术生成有用MOS管在汽车LED 中的应用方案LED汽车灯已成为车辆照明领域的一大亮点，其采用LED技术，既能提供外部照明，又能为车内带来舒适的光
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MOS管
汽车LED
例：FDH45N50F如下参数：有人可能会这样计算：开通电流带入数据得关断电流带入数据得于是乎得出这样的结论，驱动电流只需 250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。应该怎么计算才对呢？其实应该是这样的，根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I=Q/t，获得了具体MOS管Qg数据，和我们线路的电流能力，就可以获得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的时候，Qg=105nC。如果用1A的
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MOS管
电路设计
MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。▉ 场效应管分类场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也
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MOS管
无源器件
模拟电路
相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三个极怎么判定？MOS管符号上的三个脚，辨认要抓住关键地方 ：G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。2. 是N沟道还是P沟道？三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。判断沟道之后，再判断三个脚极性。3. 寄生二极管的方向如何判定？接下来，是寄生二极管的方向判断：它的
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MOS管
电路设计
模拟电路
如何从MOS管的驱动波形来判断驱动好不好，到底是哪里出了问题？本文分享几种常见的MOS管驱动波形。基础知识一般认为三极管是电流驱动型，所以驱动三极管，要在基极提供一定的电流。一般认为MOS管是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。实际是这样吗？由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容，这使得MOS管的驱动变得不那么简单。备注：如下图为软件绘制，示意图仅供参考，便于理解。1、MOS正常驱动波形描述：MOS一般是慢开快关，上升沿相
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MOS管
电路设计
MOS管使用方法1、NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；2、PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高）。1、使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；2、若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是
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MOS管
电路设计
今天咱们来聊聊为啥mos管开关得快点儿，还有怎么才能快点开关。mos管驱动有几种方法，我们知道，其中有一种是用专门的驱动芯片驱动，我们就以这个驱动设计为主。说起mos管关断，通常电压会比开通时高，所以关断的损失也会比开通时大，所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。那么，咱咋能让mos管快些开关呢？咱们看看这张图在mos管开通时，电阻R1和R4限制了电流，这样就能给mos管电容充电；要注意的这儿，R1和R4的电阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。当mos管关断时，R4电阻上的电压被限制在0.7V，一旦超
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MOS管
电路设计
**1. 关于MOS管的极限参数说明：**在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：a. **ID（持续漏极电流）**：该参数含义是mos可以持续承受的电流值，在设计中，产品的实际通过电流值应远小于该值，至少应小于1/3以下，例：该mos管的使用持续电流应小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：该参数是指设计中，实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积，不应大于该值。 所以该值的很大程度取决于mos管中实际流过的电流值。c. **Vgs（栅源电压范围）**：该值表示在mos管的实际
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MOS管
电路设计
三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器，其基本原理就是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，控制回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，利用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路，在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。一、前言 三相逆变是指转换出的交流电压为三相，
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RS瑞森半导体
碳化硅
MOS管
MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生电容。MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波，当Cgs达到门槛电压之后， MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中，会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的
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MOS管
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。· 查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。· 了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达
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驱动
电路
设计
mos管介绍
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transc [
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